05 开关电源英语词汇 —— 读原厂资料不再受阻的中英术语对照
读者画像：能读电路、但读原厂英文资料（datasheet / application note / 原厂邮件）时常受阻的电源工程师。目标：看到英文词能对上库内中文说法，写邮件/查手册不再查词典。 数据规范：术语对照以库内全译文档为准（每行标出处）；通识词标「通用」；库内没把握的英文原词照录并标「待核实」；不编造。 出处简称：NCP1342全译=30_经典IC精读/02_准谐振QR/NCP1342/01_规格书全译.md｜XDPS2201全译=30_经典IC精读/03_AHB混合反激/XDPS2201/01_规格书全译.md｜TEA1995T全译=30_经典IC精读/05_同步整流SR/TEA1995T/01_规格书全译.md｜控制通识=10_基础理论/03_控制理论/01_控制原理通识.md｜NCP1680=30_经典IC精读/06_PFC/NCP1680/README.md｜CoolMOS=20_基本元器件/03_功率器件/超结MOSFET/00_CoolMOSC7技术全译.md｜CoolGaN=20_基本元器件/03_功率器件/GaN/00_CoolGaN栅驱动设计指南全译.md｜PC817=20_基本元器件/04_隔离反馈器件/光耦/00_PC817精译.md｜Nichicon=20_基本元器件/05_电容家族/00_电解电容Nichicon全译.md｜EMC=50_电源设计流程/02_电磁兼容设计与整改.md
0. 为什么需要这份词汇表
- 原厂资料 90% 是英文：规格书、应用笔记、勘误表、评估板手册全是英文，术语不熟等于看天书。
- 同一概念、多厂叫法不一：valley（谷）有人叫“最低点”、hiccup（打嗝）即“自恢复”、frequency foldback（频率折返）不同厂写 foldback / frequency reduction / frequency backfold。查手册时对照这份表，就能在“库内中文说法 ↔ 原厂英文原文”之间互译。
- 本表是“语料库导出”：绝大部分词条来自库内 3 篇规格书全译（NCP1342 / XDPS2201 / TEA1995T）与控制原理通识等已定稿文档，每个词条都能回查到出处原文；通用行业词标「通用」，与库内文档无关。
- 写邮件 / 回原厂 FAE 时：用原厂原词（brown-out 而非“low voltage”、foldback 而非“frequency decrease”），沟通零歧义——本表的“英文原词”列就是现成的邮件词库。
1. 拓扑与工作模式
| 英文 | 中文 | 释义要点 | 库内出处 |
|---|---|---|---|
| flyback converter | 反激变换器 | 变压器储能、次级二极管整流的单管拓扑 | NCP1342全译 §1 |
| forward converter | 正激变换器 | 变压器传能、需磁复位绕组的单管拓扑 | 通用（库内 10_基础理论/04_开关电源/03_隔离拓扑补遗_正激推挽半桥全桥） |
| push-pull / half-bridge / full-bridge | 推挽 / 半桥 / 全桥 | 由 2 或 4 只管构成的隔离桥式拓扑 | 通用（库内 10_基础理论/04_开关电源/03_隔离拓扑补遗_正激推挽半桥全桥） |
| buck / boost / buck-boost | 降压 / 升压 / 升降压 | 非隔离 DC-DC 基础拓扑 | 通用（库内 10_基础理论/04_开关电源） |
| LLC (resonant converter) | LLC 谐振变换器 | Lr+Cr+Lm 三元件谐振的 ZVS 拓扑 | TEA1995T全译 §1、NCP1399 |
| quasi-resonant (QR) | 准谐振 | 谷底开通的反激，频率随负载反变 | NCP1342全译 §1/§10 |
| asymmetrical half-bridge (AHB) | 非对称半桥反激（混合反激） | 半桥+串联电容的扩展储能反激 | XDPS2201全译 §2/§5.1 |
| active clamp flyback (ACF) | 有源钳位反激 | 用有源钳位管回收漏感能量 | 通用（库内 30_经典IC精读/08_有源钳位ACF） |
| zero voltage switching (ZVS) | 零电压开关 | 管子两端电压为零时开通，无硬开关损耗 | XDPS2201全译 §2/§5.1 |
| zero current switching (ZCS) | 零电流开关 | 电流为零时关断，免反向恢复损耗 | XDPS2201全译 §5.1 |
| synchronous rectification (SR) | 同步整流 | 用 MOSFET 取代次级二极管整流 | TEA1995T全译 §1 |
| continuous conduction mode (CCM) | 连续导通模式 | 电感电流全程不为零 | 通用（库内 10_基础理论/04_开关电源） |
| discontinuous conduction mode (DCM) | 断续导通模式 | 电感电流每周期回零、有死区 | NCP1342全译 §15.3/§17.7 |
| critical / boundary conduction mode (CrM/BCM) | 临界导通模式 | 恰好临界、谷底开通、变频率 | NCP1680 README（CrM） |
| continuous resonant mode (CRM) | 连续谐振模式 | ⚠️ 仅 XDPS2201 语境：连续开关的谐振工作模式，与 CCM 是两码事 | XDPS2201全译 §5.1.1 |
| burst mode | 突发模式（打嗝/猝发） | 轻载时整组脉冲通断、中间休眠 | NCP1342全译 §15.5、XDPS2201全译 §5.3.4 |
| skip mode / cycle skipping | 跳模式 / 跳周期 | 轻载时跳过部分开关周期 | NCP1342全译 §15.4（跳模式）、XDPS2201全译 §1.2（跳周期） |
| valley switching | 谷底开通（谷开关） | 在漏极振铃波谷开通以省开关损耗 | NCP1342全译 §10、NCP1680 README |
| valley lockout (VLO) | 谷底锁定 | 锁死工作谷底、防谷间跳动产生音频噪声 | NCP1342全译 §15.1 |
| frequency foldback | 频率折返 | 轻载降频至最低值（含快速折返/MPCM） | NCP1342全译 §15.3、NCP1680 README（折返） |
| frequency reduction | 降频 | 轻载降低开关频率改善效率 | XDPS2201全译 §1.2 |
| frequency jittering | 频率抖动 | 低频三角波调制开关频率、摊开 EMI 峰 | NCP1342全译 §13、XDPS2201全译 §5.3.5 |
| soft-start | 软启动 | 启动时逐周期限制峰值电流/电压 | NCP1342全译 §12、XDPS2201全译 §1.2 |
| minimum peak current modulation (MPCM) | 最小峰值电流调制 | 折返期先抬升最小峰值电流以加速降频 | NCP1342全译 §15.3 |
| Quiet-Skip | Quiet-Skip | 限制跳模式突发频率不落入音频区 | NCP1342全译 §15.5 |
| zero voltage resonant valley switching (ZV-RVS) | 零电压谐振谷底开关 | XDPS2201 的轻载变模式（CRM 外） | XDPS2201全译 §5.1.3 |
| FCCrM | 频率钳位 CrM | CrM + 频率钳位 + DCM 谷底开通的组合模式 | NCP1680 README |
| constant on-time (COT) | 恒定导通时间 | 导通时间恒定、频率随条件变化的控制 | NCP1680 README（恒定导通时间控制） |
| totem-pole | 图腾柱 | 无桥 PFC 拓扑，快慢两桥臂 | NCP1680 README |
| bridgeless PFC | 无桥 PFC | 去掉输入整流桥的 PFC | NCP1680 README |
| primary side regulation (PSR) | 初级侧调节（原边反馈） | 免光耦、经辅助绕组取样的反馈方式 | 通用（库内 20_基本元器件/04_隔离反馈器件） |
| green / eco mode | 绿色 / 节能模式 | 轻载低功耗运行档 | TEA1995T全译 §2.1（energy save operation） |
| light load / no load / full load | 轻载 / 空载 / 满载 | 负载三档，轻载策略是效率重点 | NCP1342全译 §15（轻载管理） |
| hold-up time | 保持时间 | 掉电后输出电压维持规定值的时间 | 通用（库内 20_基本元器件） |
| free-wheeling | 续流 | 二极管/体二极管在关断期续流 | XDPS2201全译 §5.1（体二极管续流） |
| cross conduction / shoot-through | 交叉导通 / 直通 | 高低管同时导通、致命故障 | XDPS2201全译 §5.1.2（体二极管交叉导通） |
2. 控制与环路
| 英文 | 中文 | 释义要点 | 库内出处 |
|---|---|---|---|
| current mode control | 电流模式控制 | 内环控制电感电流的双环控制 | NCP1342全译 §1（电流模式架构） |
| peak current mode | 峰值电流模式 | 关断事件由峰值电流决定 | NCP1342全译 §1/§9 |
| voltage mode control | 电压模式控制 | 只有电压外环，LC 双极点需 III 型补偿 | 控制通识 §3.4 |
| average current mode | 平均电流模式 | 控平均电流（PFC 常用） | 通用（库内 30_经典IC精读/06_PFC） |
| compensation / compensator | 补偿 / 补偿器 | 给误差信号整形、决定环路性格的环节 | 控制通识 §1.2 |
| type II / type III compensation | II 型 / III 型补偿 | 单/双零点+极点组合的补偿网络 | 控制通识 §3.4、NCP1680 README（Type-II 数字补偿器） |
| slope compensation | 斜坡补偿 | CCM 峰值电流模式防次谐波振荡的外加斜坡 | 通用（库内 10_基础理论/03_控制理论/03_环路补偿与TL431光耦） |
| loop gain | 环路增益 | 功率级×补偿器×反馈的总传递函数 T(s) | 控制通识 §2/§8.1 |
| phase margin (PM) | 相位裕量 | fc 处相位离 −180° 的距离；量产 ≥60° | 控制通识 §5.2 |
| gain margin (GM) | 增益裕量 | 相位 −180° 处增益离 0 dB 的距离 | 控制通识 §5.2 |
| crossover frequency (fc) | 穿越频率 | |T|=1 的频率=带宽，环路能力的最高频 | 控制通识 §5.2 |
| bandwidth | 带宽 | 同 fc；决定瞬态跌落与恢复 | 控制通识 §6.3 |
| right-half-plane (RHP) zero | 右半平面零点 | 增益上翘但引起相位滞后的零点 | 控制通识 §3.6 |
| zero / pole | 零点 / 极点 | 增益被抬/压的频率；每极点 −20 dB/dec | 控制通识 §3 |
| transfer function | 传递函数 | 系统“输入→输出”的频域黑箱名片 | 控制通识 §2 |
| Bode plot | 波特图 | 增益+相位随频率的两条曲线 | 控制通识 §4 |
| feedback / negative feedback | 反馈 / 负反馈 | 测误差、放大整形、调被控量 | 控制通识 §1 |
| open loop / closed loop | 开环 / 闭环 | 有无反馈回路的两种工作方式 | 控制通识 §1.3 |
| feedforward | 前馈 | 直接按输入/输出条件前馈补偿，不等环路 | XDPS2201全译 §5.3.1.1（Vin/Vout 前馈补偿） |
| duty cycle | 占空比 | 导通时间占开关周期的比例 | XDPS2201全译 §5.1.4 |
| error amplifier | 误差放大器 | 放大误差信号的放大器（TL431 内部即是） | 控制通识 §1.5 |
| damping ratio (ζ) | 阻尼比 | 阶跃振铃程度：<1 振、=1 临界、>1 慢 | 控制通识 §6.2 |
| overshoot | 超调 | 阶跃过冲百分比；PM 45°≈30% | 控制通识 §6.2 |
| regulation | 调整率 / 稳压 | 输出随输入/负载变化的保持能力 | 通用（库内 10_基础理论/04_开关电源/01_开关电源基础概念） |
| line / load regulation | 输入（线性）/ 负载调整率 | 输入变化/负载变化引起的输出偏差 | 通用（库内 10_基础理论/04_开关电源/01_开关电源基础概念） |
| cross regulation | 交叉调整率 | 多路输出一路变化影响另一路 | 通用（库内 30_经典IC精读/01_反激Flyback） |
| propagation delay compensation (PDC) | 传播延迟补偿 | 补偿比较器+驱动延迟造成的峰值过冲 | XDPS2201全译 §5.3.1.4 |
| control law | 控制律 | 数字控制器里“输入→输出”的数学规则 | XDPS2201全译 §5.3.1.3 |
| setpoint (ISET) | 设定点 | 数字控制器内部的电流/电压目标值 | XDPS2201全译 §5.3.1.3 |
| digital compensator | 数字补偿器 | 片内数字滤波器等效 Type-II | NCP1680 README |
| hysteresis | 迟滞 | 上下阈值之差，防阈值附近抖动 | NCP1342全译 §5.6/§15.1（600 mV 迟滞） |
| reference (VREF) | 基准 | 内部基准电压，比较器/ADC 的依据 | TEA1995T全译 §6（V AND I REFERENCE） |
3. 保护与故障
| 英文 | 中文 | 释义要点 | 库内出处 |
|---|---|---|---|
| over current protection (OCP) | 过流保护 | 电流超限后按策略动作 | NCP1342全译 §17.5、XDPS2201全译 §5.3.2.5 |
| over voltage protection (OVP) | 过压保护 | 输出/母线/VCC 超压动作 | NCP1342全译 §17.8（VCC OVP）、XDPS2201全译 §5.4.8.2 |
| under voltage protection (UVP) | 欠压保护 | 输出/输入欠压动作 | XDPS2201全译 §5.4.8.1（VoutUVP） |
| over temperature protection (OTP) | 过温保护 | 结温/NTC 超温动作 | NCP1342全译 §17.3、XDPS2201全译 §5.4.9 |
| over power protection (OPP) | 过功率保护 | 高压输入时限制最大输出功率 | NCP1342全译 §11（非耗散式 OPP） |
| short circuit protection (SCP) | 短路保护 | 输出/绕组短路动作 | XDPS2201全译 §5.4.8.3（VoutSCP） |
| brown-out | 掉电（欠压停止） | 输入过低停止开关，恢复才重试 | NCP1342全译 §17.1、XDPS2201全译 §1.2 |
| brown-in | 吸合（上电就绪） | 输入达到启动条件 | XDPS2201全译 §5.3.3/§5.4.4.1（BIP 吸合保护） |
| latch / latch mode (LM) | 锁存 / 锁存模式 | 动作后保持待机、须断电（VCC 复位）清除 | NCP1342全译 §16、XDPS2201全译 §5.4.1 |
| auto-restart mode (ARM) | 自动重启模式 | 动作后定时自动尝试重启 | XDPS2201全译 §5.4.1 |
| auto-recovery | 自恢复 | 故障消除后自动恢复（非锁存） | NCP1342全译 §16（自恢复定时器） |
| hiccup mode | 打嗝模式 | 反复“开-打嗝-停”的保护节奏 | 通用（库内 50_电源设计流程/00_可靠性设计） |
| fault timer | 故障定时器 | 积分故障持续时间、到期才动作 | NCP1342全译 §17.4（过载故障定时器 tOVLD） |
| blanking / blanking time | 消隐 / 消隐时间 | 事件后一段不响应窗口 | NCP1342全译 §5.10（消隐） |
| leading edge blanking (LEB) | 前沿消隐 | 开通瞬间屏蔽 CS 尖峰误触发 | NCP1342全译 §9/§5.10、XDPS2201全译 §5.3.2.1 |
| abnormal over current protection (AOCP) | 异常过流保护 | 绕组短路等大电流快速关断 | NCP1342全译 §17.5 |
| under voltage lockout (UVLO) | 欠压锁定 | VCC 低于阈值时禁用/锁定 | TEA1995T全译 §8.2、XDPS2201全译 §5.4.2（UVOFF） |
| thermal shutdown (TSD) | 热关断 | 结温超限禁用输出 | NCP1342全译 §17.9、NCP1680 README（TSD 150℃） |
| watchdog timer (WDOG) | 看门狗定时器 | 监视内部流程、未及时喂狗即复位 | XDPS2201全译 §5.4.10 |
| restart timer | 自恢复定时器 | 到期触发下一轮启动尝试 | NCP1342全译 §16（tautorec） |
| fault input | 故障输入脚 | 专用故障检测脚（OVP 锁定 / NTC 过温） | NCP1342全译 §17.3 |
| arm / trigger | 武装 / 触发 | 先“武装”再“触发”的两步检测 | NCP1680 README（ZCD 武装/触发阈值） |
| soft OVP / fast OVP | 软过压 / 快过压 | 逐级降压 vs 立即封脉冲 | NCP1680 README（105% 软 OVP / 108% 快 OVP） |
| bus under voltage (BUV) | 母线欠压 | PFC 母线欠压时对下游的策略 | NCP1680 README |
| line drop / SAG | 线跌落 | 瞬时单周期掉电的容忍机制 | NCP1680 README（SAG 25 ms） |
| brown-out blanking time | 掉电消隐时间 | 掉电判定前的延迟窗口 | NCP1342全译 §5.3（tBO(stop) 40~100 ms） |
4. 基本元器件
| 英文 | 中文 | 释义要点 | 库内出处 |
|---|---|---|---|
| MOSFET | 金属氧化物半导体场效应晶体管 | 功率开关主力器件 | TEA1995T全译 §14 |
| GaN HEMT | 氮化镓高电子迁移率晶体管 | 增强型 GaN 功率器件 | CoolGaN §1（HEMT 全称） |
| SiC (MOSFET) | 碳化硅（MOSFET） | 宽禁带高压高温器件 | 通用（库内 20_基本元器件/03_功率器件/SiC） |
| super-junction (SJ) MOSFET | 超结 MOSFET | charge balance 结构解耦耐压与导通电阻 | CoolMOS §2（charge balance） |
| E-mode (enhancement mode) | 增强型 | GaN 常关型（区别于耗尽型） | CoolGaN §1 |
| body diode | 体二极管 | MOSFET 寄生二极管，续流/换向关键 | XDPS2201全译 §5.1（体二极管交叉导通） |
| Coss / Cgd / Cgs | 输出/栅漏/栅源电容 | 寄生电容，决定开关损耗与 ZVS 能量 | CoolMOS §3（QGD/Eoss 三代对比） |
| Qg / Qgd / Qgs | 栅电荷（总/米勒/输入） | 驱动能量与驱动速度的关键指标 | CoolGaN §1（Qg）、NCP1342全译 §8（栅荷 QG） |
| RDS(on) | 导通电阻 | 导通态漏源电阻，导通损耗来源 | NCP1680 README、CoolGaN §1（动态 RDS(on)） |
| Miller plateau | 米勒平台 | Qgd 充放电期间的栅压平台 | 通用（库内 20_基本元器件/03_功率器件/栅驱动IC） |
| optocoupler | 光耦 | 跨隔离传递误差信号的器件 | PC817、控制通识 §1.5 |
| current transfer ratio (CTR) | 电流传输比 | 光耦输出电流/输入电流之比 | PC817、控制通识 §1.5 |
| TL431 | TL431 可调基准 | 次级误差放大+基准两用器件 | 通用（库内 20_基本元器件/04_隔离反馈器件/TL431） |
| bulk capacitor | 母线（大）电容 | PFC 后级/输入整流后的储能电容 | NCP1342全译 §11（母线电压 Vbulk） |
| equivalent series resistance (ESR) | 等效串联电阻 | 电容寄生电阻，影响纹波与环路零点 | Nichicon（tanδ/ESR/漏电流）、控制通识 §4.3（ESR 零点） |
| equivalent series inductance (ESL) | 等效串联电感 | 电容寄生电感，高频去耦的敌人 | Nichicon、通用（库内 10_基础理论/04_开关电源/05_开关电源PCB布局设计） |
| ripple current | 纹波电流 | 电容上流过的 AC 分量，决定温升寿命 | Nichicon（纹波-温升-寿命模型） |
| dissipation factor (tanδ) | 损耗角正切 | 介质损耗指标 | Nichicon（tanδ/ESR/漏电流） |
| leakage inductance | 漏感 | 未耦合磁通的电感，存能量也生尖峰 | NCP1342全译 §17.7、XDPS2201全译 §5.1 |
| magnetizing inductance (Lm) | 磁化电感 | 变压器励磁支路电感 | XDPS2201全译 §5.1 |
| resonant tank | 谐振腔 | Lr 与 Cr 构成的 LC 谐振回路 | XDPS2201全译 §5.1 |
| sense resistor / shunt | 采样电阻 / 分流电阻 | 电流检测用低阻电阻 | NCP1342全译 §9（CS 采样电阻）、XDPS2201全译 §5.1（RShunt） |
| auxiliary winding | 辅助绕组 | 供 VCC/检测的附加绕组 | NCP1342全译 §10、XDPS2201全译 §5.1（LAux） |
| NTC thermistor | 负温度系数热敏电阻 | 过温检测用 | NCP1342全译 §17.3、XDPS2201全译 §5.4.9 |
| X capacitor / Y capacitor | X 电容 / Y 电容 | 差模/共模安规电容 | NCP1342全译 §2（X2 放电）、EMC、通用（库内 11_EMI滤波） |
| common mode choke | 共模电感 | 共模 EMI 滤波磁件 | EMC、通用（库内 11_EMI滤波） |
| snubber | 缓冲（吸收）电路 | RCD/RC 吸收尖峰能量的网络 | 通用（库内 10_基础理论/04_开关电源/02_反激变压器设计） |
| clamp | 钳位 | 把电压限制在设定值（有源钳位等） | NCP1342全译 §8（有源电压钳位） |
| bootstrap | 自举 | 高侧驱动的悬浮供电电容 | XDPS2201全译 §5.3.3（自举电容预充电） |
| level shifter | 电平移位器 | 跨电压域传信号的电路 | XDPS2201全译 §4（隔离电平移位器） |
| gate driver | 栅极驱动器 | 驱动功率管栅极的输出级 | XDPS2201全译 §5.3.6、TEA1995T全译 §8.5 |
| half-bridge driver | 半桥驱动器 | 含高侧悬浮驱动的半桥驱动级 | XDPS2201全译 §1.1 |
| drain / source sense | 漏极 / 源极检测 | SR 控制器的电压检测脚 | TEA1995T全译 §8.3/§8.6 |
| Kelvin sense | 开尔文检测 | 独立采样线消除走线压降误差 | TEA1995T全译 §12（开尔文检测） |
| center-tap | 中心抽头 | 次级绕组中点抽头（SR 双路整流用） | TEA1995T全译 §1 |
| silicon-on-insulator (SOI) | 硅绝缘体工艺 | 提升耐压/速度的 IC 工艺 | TEA1995T全译 §1 |
| latch-up | 闩锁 | IC 内部寄生效应的失控导通 | XDPS2201全译 §7.2（闩感能力 ILU） |
| quality factor (Q) | 品质因数 | 谐振电路/环路峰高指标（注意区别于 Qg） | 通用（库内 30_经典IC精读/04_LLC谐振） |
| pull-up / pull-down resistor | 上拉 / 下拉电阻 | 脚位默认电平的电阻 | NCP1342全译 §5.5（内部上拉电阻） |
| source / sink current | 拉电流 / 灌电流 | 驱动输出流出/流入的电流 | NCP1342全译 §5.4、TEA1995T全译 §11.3 |
5. 测试与认证
| 英文 | 中文 | 释义要点 | 库内出处 |
|---|---|---|---|
| efficiency | 效率 | 输出/输入功率之比 | NCP1680 EVM（效率曲线）、通用（库内 10_基础理论/04_开关电源/01_开关电源基础概念） |
| standby power | 待机功耗 | 空载/轻载的输入功耗，法规限值在收紧 | NCP1342全译 §1/§2（极低待机功耗） |
| no-load input power | 空载输入功率 | 无负载时的整机功耗 | NCP1680 EVM（空载功耗） |
| ripple (and noise) | 纹波（与噪声） | 输出上的周期性 AC 分量（含尖峰） | NCP1680 EVM（输出纹波）、通用 |
| total harmonic distortion (THD) | 总谐波失真 | 输入电流谐波占基波的比例 | NCP1680 README（THD<10%） |
| power factor (PF) | 功率因数 | 有功/视在功率之比 | NCP1680 README（PF≈1） |
| EMI / EMC | 电磁干扰 / 电磁兼容 | 干扰发射与抗扰的总称 | EMC |
| conducted emission | 传导发射 | 经电源线向外发射的干扰 | EMC（传导超标） |
| radiated emission | 辐射发射 | 经空间向外发射的干扰 | EMC（辐射超标） |
| immunity | 抗扰度 | 承受外部干扰的能力 | 通用（库内 50_电源设计流程/02_EMC） |
| electrostatic discharge (ESD) | 静电放电 | 静电泄放对器件/整机的应力 | TEA1995T全译 §9（ESD） |
| human body model (HBM) | 人体模型 | 模拟人手放电的 ESD 模型 | TEA1995T全译 §9、XDPS2201全译 §7.2 |
| charged device model (CDM) | 器件充电模型 | 模拟器件自身带电放电的 ESD 模型 | TEA1995T全译 §9、XDPS2201全译 §7.2 |
| surge | 浪涌（雷击） | 电网雷击/切换产生的瞬态高压 | NCP1342全译 §7（浪涌测试保护）、通用 |
| EFT / burst | 电快速瞬变脉冲群 | 感性负载通断引起的脉冲群干扰 | 通用（库内 50_电源设计流程/02_EMC） |
| certification | 认证 | 安规/能效等第三方合格评定 | 通用（库内 50_电源设计流程/04_设计开发流程） |
| UL / IEC / CE / FCC | 各国认证体系 | UL（美）、IEC（国际）、CE（欧）、FCC（美 FCC 电磁） | 通用（库内 50_电源设计流程/04_设计开发流程） |
| CISPR / EN 550xx | 传导/辐射限值标准 | 骚扰发射限值的标准族 | 通用（库内 50_电源设计流程/02_EMC） |
| creepage distance | 爬电距离 | 沿绝缘表面两导体间最短路径 | XDPS2201全译 §7.3（爬电距离 DCR） |
| clearance | 电气间隙 | 空气中两导体间最短直线距离 | 通用（库内 50_电源设计流程/02_EMC） |
| junction temperature (Tj) | 结温 | 芯片内部最高温度点 | NCP1342全译 §4/§5.4（TJ）、TEA1995T全译 §10 |
| thermal resistance (Rth) | 热阻 | 单位功耗的温升（结-环境/外壳） | TEA1995T全译 §10（Rth(j-a) 140 K/W） |
| derating | 降额 | 按低于额定值使用以延长寿命 | 通用（库内 50_电源设计流程/00_可靠性设计） |
| mean time between failures (MTBF) | 平均无故障时间 | 可靠性指标 | 通用（库内 50_电源设计流程/00_可靠性设计） |
| lifetime | 寿命 | 电解电容等按温度/纹波折算的寿命 | Nichicon（寿命模型） |
| load transient / load step | 负载瞬态 / 负载阶跃 | 输出在突变负载下的动态表现 | NCP1680 EVM（负载瞬态）、控制通识 §1.4 |
| hold-up time | 保持时间 | 掉电后维持输出的时间 | 通用（库内 20_基本元器件） |
| waveform | 波形 | 示波器观测的时域信号 | 通用（库内 50_电源设计流程/04_设计开发流程） |
| evaluation board (EVM) | 评估板 | 原厂给的板卡/参考设计 | NCP1680 EVM、XDPS2201 评估板 |
| bill of materials (BOM) | 物料清单 | 整机元件清单 | XDPS2201全译 §1.2（BOM 最少化）、NCP1680 EVM（BOM 全表） |
6. 工程与文档
| 英文 | 中文 | 释义要点 | 库内出处 |
|---|---|---|---|
| datasheet / data sheet | 规格书 / 数据手册 | 器件的“宪法”，以 DS 简称 | NCP1342全译、TEA1995T全译（data sheet） |
| application note (AN) | 应用笔记 | 原厂专题应用/设计文档 | 通用（库内全库应用笔记全译） |
| application | 应用（典型应用） | 器件适用的场景/电路 | NCP1342全译 §1（应用）、TEA1995T全译 §3 |
| feature | 特性 | 器件的功能卖点清单 | NCP1342全译 §2（FEATURES）、XDPS2201全译 §1.2 |
| specification (spec) | 规范 / 规格 | 对器件性能的书面约定 | TEA1995T全译 §16.2（product specification） |
| absolute maximum rating | 绝对最大额定值 | 超限即可能永久损坏的应力上限 | NCP1342全译 §4、XDPS2201全译 §7.2、TEA1995T全译 §9 |
| recommended operating conditions | 推荐工作条件 | 保证正常工作的电压/温度范围 | XDPS2201全译 §7.4（工作范围）、通用 |
| typical characteristics | 典型特性（曲线） | 电气特性的温度/条件曲线 | NCP1342全译 §18（图 27~56） |
| min / typ / max | 最小 / 典型 / 最大 | 参数三档值，设计按 min/max 角落 | NCP1342全译 §5、XDPS2201全译 §7.5 |
| ordering information | 订购信息 | 型号后缀/订购代码矩阵 | NCP1342全译 §3、TEA1995T全译 §4 |
| pin configuration / pin description | 引脚配置 / 引脚描述 | 引脚排列与逐脚功能 | XDPS2201全译 §3、TEA1995T全译 §7 |
| block diagram | 框图 | 内部功能模块连接图 | TEA1995T全译 §6 |
| functional description | 功能描述 | 手册的机理说明章节 | NCP1342全译 §6、XDPS2201全译 §5 |
| electrical characteristics | 电气特性 | 手册的参数表章节 | NCP1342全译 §5、XDPS2201全译 §7.5 |
| package outline / footprint | 封装外形 / 焊盘图 | 封装尺寸图与 PCB 焊盘图 | TEA1995T全译 §13、XDPS2201全译 §8 |
| revision history | 修订历史 | 版本变更记录 | XDPS2201全译 §9、TEA1995T全译 §15 |
| disclaimer / legal information | 免责声明 / 法律信息 | 手册末尾的法律条款 | TEA1995T全译 §16 |
| marking | 标记（丝印） | 器件表面的型号标记 | TEA1995T全译 §5 |
| schematic | 原理图 | 电路连接图 | NCP1680 EVM（原理图） |
| layout / PCB layout | 布局 / PCB 布线 | 板级物理设计 | 通用（库内 10_基础理论/04_开关电源/05_开关电源PCB布局设计） |
| design guide | 设计指南 | 原厂的设计指导文档 | XDPS2201 设计指南（库内精译） |
| reference design | 参考设计 | 原厂给的完整方案 | 通用（库内各 EVM 精译） |
| errata | 勘误表 | 手册已知错误的更正清单 | XDPS2201全译 §9（勘误表 ES_2105…） |
| revision | 版本 | 文档/器件版本号 | XDPS2201全译 §9（R1.2） |
7. 易混词辨析
| 英文词 | 易误译 / 易混 | 正确含义 | 辨析要点 |
|---|---|---|---|
| compliance | 顺从 | 合规（安规/法规符合性） | 手册里 compliance 几乎都是“符合标准”，不是“顺从” |
| de-rate / derating | 降低速率 | 降额（按低于额定值使用） | de-rate 是降额使用，不是“降速” |
| snubber | 抑制器 | 缓冲（吸收）电路 | RCD/RC 吸收网络，译“缓冲”更准 |
| clamp | 夹子 / 限幅 | 钳位（把电压钉在设定值） | 有源钳位/电压钳位都是 clamp；与 snubber（吸收）不同 |
| knee | 膝盖 | 拐点 | 波特图曲线拐点/曲线“膝部”，译“拐点” |
| hiccup vs latch | 打嗝 = 锁存 | 打嗝=自恢复重启；锁存=断电才清 | 两者都是保护反应，但“是否自恢复”天差地别 |
| typ vs nom | 都译“典型” | typ=典型值；nom=标称值 | ISETnom% 是“标称设定点”，不是典型值；都别译错 |
| ripple vs noise | 纹波 = 噪声 | 纹波=周期性 AC；噪声=随机尖峰 | 测量常合称“ripple & noise” |
| regulation | 法规 / 调节 | 调整率（稳压能力） | 电源语境是“稳压/调整率”，法规另词是 regulation 同形 |
| specification vs feature | 规格 vs 特性 | spec=性能约定；feature=功能卖点 | “features”是特性清单，不是规范 |
| sense | 感觉 | 检测（sense input=检测输入） | 引脚 sense = 检测/采样，不是“感应” |
| sink / source | 沉 / 源 | 灌电流 / 拉电流 | 电流流入=灌（sink），流出=拉（source） |
| blanking | 空白 | 消隐 | LEB=前沿消隐，是屏蔽窗口，不是“空白” |
| fault vs failure | 故障 vs 失效 | fault=保护事件；failure=器件损坏 | OCP 触发叫 fault，器件烧了叫 failure |
| latch vs latch-up | 锁存 vs 闩锁 | latch=保护锁存；latch-up=IC 寄生导通 | 一字之差，一个是保护机制、一个是失效机理 |
| current limit vs OCP | 限流 vs 过流保护 | 限流=钳住电流；OCP=超限后动作 | 限流是“不让超”，OCP 是“超了怎么办” |
| valley vs trough | 谷 = 槽 | 谷底（波谷） | 电源语境 valley=振铃波谷，勿译“山谷” |
| foldback vs reduction | 折返 vs 降频 | foldback=频率折返（轻载降频） | 多家叫法不一，本表以“频率折返”为准 |
| reference | 参考 | 基准（电压基准） | VREF 是“基准”，reference design 才是“参考设计” |
| tolerance | 容忍 | 容差 | 参数容差（tolerance grade），不是“容忍度” |
| Q vs Qg | 都是 Q | Q=品质因数；Qg=栅电荷 | 同字母不同量，看上下文单位（无单位 vs 库仑） |
| duty cycle | 占空 vs 任务 | 占空比 | duty cycle 与“职责”无关 |
| dead time | 死区 = 死亡 | 死区时间（换向保护） | 死区是两管都不通的过渡时间 |
| boost vs boost converter | 提升 vs 升压 | 升压（拓扑） | 软件语境 boost 是“提升”，电源语境是升压拓扑 |
| efficiency vs efficacy | 效率 vs 功效 | efficiency=效率（能量比） | efficacy 是“效力/功效”，别混用 |
| EMC vs EMI | 兼容 vs 干扰 | EMC=电磁兼容（总目标）；EMI=电磁干扰（问题） | 解决问题管 EMI，达标管 EMC |
| immunity vs susceptibility | 抗扰 vs 敏感 | immunity=抗扰能力 | susceptibility=敏感度（同义反面） |
| rating | 评级 | 额定值 | absolute maximum rating=绝对最大额定值 |
| accuracy vs precision | 准确 vs 精密 | accuracy=准不准；precision=稳不稳 | 手册精度多指 accuracy |
| input power vs input current | 输入功率 vs 输入电流 | 待机测的是 input power | 别把“空载输入功率”说成电流 |
8. 缩写表
| 缩写 | 全称 | 中文 |
|---|---|---|
| AC / DC | Alternating / Direct Current | 交流 / 直流 |
| SMPS | Switched Mode Power Supply | 开关电源 |
| PWM / PFM | Pulse Width / Frequency Modulation | 脉宽调制 / 脉频调制 |
| PFC | Power Factor Correction | 功率因数校正 |
| LLC | (Lr+Cr+Lm 谐振) | LLC 谐振变换器 |
| QR | Quasi-Resonant | 准谐振 |
| ACF | Active Clamp Flyback | 有源钳位反激 |
| AHB | Asymmetrical Half-Bridge | 非对称半桥 |
| ZVS / ZCS | Zero Voltage / Current Switching | 零电压 / 零电流开关 |
| SR | Synchronous Rectification | 同步整流 |
| PSR | Primary Side Regulation | 初级侧调节（原边反馈） |
| HVIC | High Voltage IC | 高压集成电路 |
| CCM / DCM / BCM | Continuous / Discontinuous / Boundary Conduction Mode | 连续 / 断续 / 临界导通模式 |
| CrM / CRM | Critical / Continuous Resonant Mode | 临界导通 / 连续谐振模式（注意 CRM 与 CCM 不同，见 §1） |
| OVP / OCP / OTP / OPP | Over Voltage / Current / Temperature / Power Protection | 过压 / 过流 / 过温 / 过功率保护 |
| UVP / UVLO | Under Voltage Protection / LockOut | 欠压保护 / 欠压锁定 |
| SCP | Short Circuit Protection | 短路保护 |
| LEB | Leading Edge Blanking | 前沿消隐 |
| TSD | Thermal ShutDown | 热关断 |
| AOCP | Abnormal Over Current Protection | 异常过流保护 |
| ARM / LM | Auto-Restart Mode / Latch Mode | 自动重启模式 / 锁存模式 |
| MPCM | Minimum Peak Current Modulation | 最小峰值电流调制 |
| VLO | Valley LockOut | 谷底锁定 |
| PDC | Propagation Delay Compensation | 传播延迟补偿 |
| DRE | Dynamic Response Enhancement | 动态响应增强（NCP1680 带载突变加速充电） |
| ESR / ESL | Equivalent Series Resistance / Inductance | 等效串联电阻 / 电感 |
| ESD / EFT | ElectroStatic Discharge / Electrical Fast Transient | 静电放电 / 电快速瞬变脉冲群 |
| EMI / EMC | Electromagnetic Interference / Compatibility | 电磁干扰 / 电磁兼容 |
| THD / PF | Total Harmonic Distortion / Power Factor | 总谐波失真 / 功率因数 |
| CTR | Current Transfer Ratio | 电流传输比 |
| MOSFET | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor | 金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| GaN HEMT | Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor | 氮化镓高电子迁移率晶体管 |
| SiC | Silicon Carbide | 碳化硅 |
| SJ | Super-Junction | 超结 |
| HBM / CDM | Human Body Model / Charged Device Model | 人体模型 / 器件充电模型 |
| SOI | Silicon-On-Insulator | 硅绝缘体工艺 |
| NTC / PTC | Negative / Positive Temperature Coefficient | 负 / 正温度系数热敏电阻 |
| BOM | Bill of Materials | 物料清单 |
| EVM | Evaluation Module / Board | 评估板 |
| AN / DS | Application Note / Data Sheet | 应用笔记 / 规格书 |
| UL / IEC / CE / FCC | Underwriters Laboratories / Intl Electrotech Commission / Conformité Européenne / Federal Communications Commission | 各国认证体系 |
| RoHS | Restriction of Hazardous Substances | 有害物质限制（无铅环保） |
| MTBF | Mean Time Between Failures | 平均无故障时间 |
| Tj / Rth | Junction Temperature / Thermal Resistance | 结温 / 热阻 |
| VCO | Voltage Controlled Oscillator | 压控振荡器（NCP1342 谷计数模式语境） |
| CISPR | Comité International Spécial des Perturbations Radioélectriques | 国际无线电干扰特别委员会（限值标准） |
9. 精炼速查 —— 最常查 50 词
英文（原厂写法）→ 中文。覆盖最高频的“读手册/写邮件必用词”。
| 英文 | 中文 |
|---|---|
| flyback | 反激 |
| boost / buck | 升压 / 降压 |
| LLC | LLC 谐振 |
| quasi-resonant (QR) | 准谐振 |
| valley switching | 谷底开通 |
| burst mode | 突发模式 |
| skip mode | 跳模式 |
| hiccup / auto-recovery | 打嗝（自恢复） |
| soft-start | 软启动 |
| CCM / DCM / CrM(BCM) | 连续 / 断续 / 临界导通模式 |
| ZVS / ZCS | 零电压 / 零电流开关 |
| synchronous rectification (SR) | 同步整流 |
| current mode / voltage mode | 电流模式 / 电压模式 |
| compensation (Type II / III) | 补偿（II / III 型） |
| loop gain | 环路增益 |
| phase margin (PM) | 相位裕量 |
| crossover frequency (fc) | 穿越频率 |
| RHP zero | 右半平面零点 |
| pole / zero | 极点 / 零点 |
| feedback / negative feedback | 反馈 / 负反馈 |
| feedforward | 前馈 |
| duty cycle | 占空比 |
| regulation (line / load / cross) | 调整率（输入 / 负载 / 交叉） |
| OCP / OVP / UVP / OTP / OPP / SCP | 过流 / 过压 / 欠压 / 过温 / 过功率 / 短路保护 |
| brown-out / brown-in | 掉电 / 吸合 |
| latch / auto-restart | 锁存 / 自动重启 |
| UVLO | 欠压锁定 |
| LEB (leading edge blanking) | 前沿消隐 |
| thermal shutdown (TSD) | 热关断 |
| MOSFET / GaN / SiC | 场效应管 / 氮化镓 / 碳化硅 |
| RDS(on) / Qg / Coss | 导通电阻 / 栅电荷 / 输出电容 |
| body diode | 体二极管 |
| optocoupler / CTR | 光耦 / 电流传输比 |
| TL431 | TL431 可调基准 |
| bulk capacitor | 母线电容 |
| ESR / ESL | 等效串联电阻 / 电感 |
| ripple current / ripple & noise | 纹波电流 / 纹波噪声 |
| efficiency / standby power | 效率 / 待机功耗 |
| THD / PF | 总谐波失真 / 功率因数 |
| EMI / EMC | 电磁干扰 / 电磁兼容 |
| ESD / surge / EFT | 静电放电 / 浪涌 / 脉冲群 |
| certification / UL / IEC / CE | 认证 / 各体系 |
| derating | 降额 |
| junction temperature (Tj) | 结温 |
| datasheet / application note | 规格书 / 应用笔记 |
| absolute maximum rating | 绝对最大额定值 |
| pin configuration / block diagram | 引脚配置 / 框图 |
| electrical characteristics | 电气特性 |
| revision history | 修订历史 |
| BOM / EVM | 物料清单 / 评估板 |
出处索引（本文引用库内文件）
- 30_经典IC精读/02_准谐振QR/NCP1342/01_规格书全译.md
- 30_经典IC精读/03_AHB混合反激/XDPS2201/01_规格书全译.md（含 §9 勘误表、§5.4 保护表 4）
- 30_经典IC精读/05_同步整流SR/TEA1995T/01_规格书全译.md
- 30_经典IC精读/06_PFC/NCP1680/README.md、30_经典IC精读/06_PFC/NCP1680/05_EVBUM2822精译_300W.md、05_EVBUM2886精译_图腾柱.md
- 20_基本元器件/03_功率器件/超结MOSFET/00_CoolMOSC7技术全译.md、20_基本元器件/03_功率器件/GaN/00_CoolGaN栅驱动设计指南全译.md
- 20_基本元器件/04_隔离反馈器件/光耦/00_PC817精译.md、20_基本元器件/04_隔离反馈器件/TL431/
- 20_基本元器件/05_电容家族/00_电解电容Nichicon全译.md、20_基本元器件/08_EMI滤波/00_Wurth_ANP015全译.md
- 10_基础理论/03_控制理论/01_控制原理通识.md
- 50_电源设计流程/00_可靠性设计.md、02_电磁兼容设计与整改.md
- 10_基础理论/04_开关电源/01_开关电源基础概念.md、04_开关电源/03_隔离拓扑补遗_正激推挽半桥全桥.md、03_控制理论/03_环路补偿与TL431光耦.md
存疑点（待核实）
- CRM：通用语境指“临界导通模式”（CrM），XDPS2201 规格书内 CRM=Continuous Resonant Mode（连续谐振模式）——两者中文易撞车，引用时以具体手册为准。
- MPCM / VLO / Quiet-Skip / FCCrM / DRE / SAG：均为原厂自造缩写，库内仅 NCP1342 / NCP1680 文档用过，业界无统一中文译名，英文原词照录。
- “同步整流（synchronous timing）”：TEA1995T 规格书 Table 3 中 DSA/DSB 措辞“drain sense input for synchronous timing MOSFET”，全译文档疑为 synchronous rectification 之笔误——引用该手册原文时注意。
- hiccup：库内全译文档多用“自恢复（auto-recovery/auto-restart）”，“打嗝模式”为业界通用叫法，标注为「通用」。
- 本文各“通用”词条的英文用法为电源行业惯例，未逐条核到库内原文，仅中文释义有库内出处。
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