MOV 压敏电阻（Metal-Oxide Varistor）——跨在线上的“泄洪通道”
类别定位
MOV（金属氧化物压敏电阻，亦称 SIOV/VDR，国际文献总称 TVSS）是并联在待保护电路两端的电压依赖电阻：正常电压下漏电流微安级（高阻态），浪涌来时在纳秒级时间内变成低阻分流——它不消灭浪涌能量，而是把浪涌电压钳住、把能量收进自己的 ZnO 体积里。钳位机理本质是分压器（源阻抗 × 器件阻抗）：这就是 Littelfuse 篇的核心论断——零源阻抗下钳位器件无效、源阻抗假设错 10 倍只让 MOV 的保护水平漂 21%（线性器件漂 447%）。
在开关电源里 MOV 常驻 AC 输入 X 侧（保险丝之后、整流之前），与保险丝（防后续电流）、NTC/旁路二极管（管上电浪涌）、X/Y 电容（滤波）组成输入模块；本库三处实锚见下方联动。
关键数字速查（TDK SIOV 总技说 + Littelfuse AN9768 口径）
| 参数 | 值 | 条件/出处 |
|---|---|---|
| 非线性指数 α | > 30 可做到；B60K250 算例 α≈38 | V1mA=390 V、V1A=470 V，式 (5)（SIOV §1.6.2） |
| MOV 有效 α | 15~30（跨几个数量级浪涌电流） | 对比：线性 α=1、SiC α≈5、硒 α≅8、齐纳 α≅35（AN9768 §3/图 3） |
| 响应时间 | 陶瓷亚纳秒；封装后 >1 ns；器件规格 <25 ns；ESD 50 A/ns 可处理 | SIOV §1.7.9；引线电感 ~1 nH/mm 是主要恶化项 |
| 微压敏电阻 | 单个 ≈ 对称齐纳 3.5 V@100 µA；晶粒 ⌀10~100 µm（图 3 标 10~50 µm）；比电压 30~250 V/mm | SIOV §1.3；厚度→保护水平、面积→电流、体积→能量三行口诀 |
| 压敏电压 | 1 mA 下压降；仅作标准参考点；测量通电 0.2~2 s（典型 1 s） | SIOV §1.7.5/§1.7.6 |
| 公差档 | K ±10% / L ±15% / M ±20%（25 ℃，1 mA） | SIOV §1.13；其他电流点公差带更大（§1.6.3） |
| 浪涌电流口径 | 最大非重复浪涌电流 = 8/20 µs（IEC 60060，≈20 µs 矩形） | SIOV §1.7.2；长脉冲/多次按 §1.8 降额（10 倍分档曲线） |
| 能量口径 | 最大能量吸收 = 2 ms 矩形波；W = ∫v(t)i(t)dt；Wmax = vmax·imax·trmax | SIOV §1.7.3/§1.8.1 |
| 高温降额 | >85 ℃ 或 125 ℃：电压/浪涌电流/能量/平均功耗按图 21 曲线 1~4 降额 | SIOV §1.8.2 |
| 电压温度系数 | 负；|TC| < 0.05%/K（1%/Δ20K）；约 1 mA 以上可忽略 | SIOV 式 (7)、图 19/20 |
| 电容 | ∝ 面积、∝ 1/厚度；1 kHz 典型值；不做出厂检验 | SIOV §1.7.8 |
| K40 vs K50 | S07K40 imax=250 A vs S07K50 imax=1200 A | 同直径差近 5 倍——选型先查 K 档重叠（SIOV §1.3/§1.6.4） |
| S14K14 示例核算 | 22 V±10%（19.8~24.2 V）；18 VDC 下漏电流 6 µA~200 µA；100 A 浪涌 → 35~60 V | SIOV §1.6.3（公差带上下限的读法范本） |
| 中度过载 | ≈1.5 倍额定 → 压敏电压漂移 >±10%（不可逆）；ETFV 热保险丝可能断开 | SIOV §1.11.1 |
| 严重过载 | 击穿/爆裂；ZnO 晶粒熔合成低阻通路；陶瓷与电极脱焊 | SIOV §1.11.2——失效后接电源=后续电流问题 |
| 熔断器匹配 | S05≤1A / S07≤3A / S10≤6A / S14≤10A / S20·Q14≤16A / S25·Q20≤25A / T14≤10A / T20≤16A / ETFV25≤25A / B32≤50A / B40·LS40·41≤80A / B60·LS50≤125A / B80≤160A | SIOV §1.12.1 全表——熔断器防“后续电流”不防浪涌本身 |
| MOV vs TVS | 2 µs 峰值脉冲：V8ZA2 60 kW vs P6KE 6.8 7 kW；5 V 漏电：<2 µA vs 200 µA；钳位：TVS 更低；失效：MOV 短路为主、TVS 短/开皆可 | AN9768 图 6/图 8/表 2；完整选型表见 01 篇 |
与库内联动
- MOV ↔ EVM 翻译里的防雷 X 侧：NCP1680 EVBUM2822 精译——输入侧 RT3 = V300LA20AP（Littelfuse，“470 V 压敏电阻/4.5 kA”；470 V 为压敏电压口径、300 为 VRMS 档，见该篇存疑点⑥）；EVBUM2886 精译——EMI 滤波模块内置 V430CH8SM（275 V AC、250 A、80 pF，SMD 3220），且原文声明“本演示板未针对浪涌、雷电等优化”。两处都是 §1.7.1“按最大 AC 工作电压分档”的实物例；目标防雷等级须另按 §1.8 降额与多级配合核算（见 01 篇防雷等级语境）。
- Littelfuse 篇（原理与对比）：02_Littelfuse瞬态抑制精译——分流 vs 衰减两大类、3000 V 分压器算例、表 2 八器件横比、MOV vs TVS 六项对赛、失效模式权衡（“瞬态中失效，短路更可取”）。
- NTC 姊妹类：00_总览——同一输入模块的分工：MOV 管雷击浪涌（并联泄放）、NTC 管上电浪涌（串联限流）、保险丝管 MOV 失效后的后续电流；EVBUM2822 里 RT1（100 kΩ NTC，FAULT 过温）与 RT3（MOV）同居一块板，正好是本类别两条产品线的同框。
- UCC28700 系 / NCP1681 的 NTC 保护脚（NTC 过温侧的入口）：见 NTC README 联动节——MOV 管电压应力、NTC 管热应力，两者的“保护回路自身失效”问题（MOV 漂移、NTC 开路）都要求产线检测，思路同源。
- 上游知识：ZnO 晶界导电与 20_基本元器件/03_功率器件 器件物理篇的“材料决定特性”同法；EMI 滤波器的配合（X/Y 电容、共模电感）见
90_资料源/EMI滤波_Wurth_ANP015_1PhaseLineFilterDesign.pdf（待译挂账）。
本文件夹导航
| 篇 | 内容 | 出处（原文 PDF 在 90_资料源/） |
|---|---|---|
| 00_SIOV总技说全译.md | TDK SIOV 总技说全文精译：微结构/等效电路三区/V-I 特性（式 1~5、α=38 算例）/术语与波形（8/20、2 ms）/降额/过载响应/熔断器匹配表/命名系统 + X 侧选型要点（本库展开） | MOV_TDK-EPCOS_SIOV-GeneralTechnicalInfo.pdf（2026-04，22 页） |
| 01_Littelfuse瞬态抑制精译.md | AN9768 全文精译：两大类/钳位 vs 撬棒/滤波器局限/3000 V 算例+表 1/四器件沿革/表 2 全录/齐纳 vs 压敏六项对赛 + MOV vs TVS 选型表、防雷等级语境（本库展开） | MOV_Littelfuse_AN9768_TransientSuppression.pdf（1998-01，8 页） |
存疑与待核实
- 图 3 晶粒直径 10~50 µm vs 正文 10~100 µm；图 19 首条温度曲线“10 ℃”疑为 −10 ℃；图 16 与图 15 图题重复——均见 00 篇译者附注 4。
- AN9768 的“400 V@500 A vs 520 A”混排、图 6 长脉冲端曲线归属——见 01 篇译者附注 3。
- 全库收敛于 01_待核实与推断总表。