NCP1568 — 01 引脚功能与关键规格

依据 NCP1568/D Rev.5 表 1（引脚功能）、表 2（绝对最大额定值）、表 3（推荐工作条件）、表 4（电气特性，全表见 01_规格书全译）。封装 TSSOP-16，实际 12 个有效脚（脚 2、3、14、15 因爬电与电气间隙合规被移除——离线 IC 常见手法，用“空脚”换脚间距）。 措辞分级：未标注者为手册事实；「推断」为本库推理；「业界经验」为工程惯例。

本篇总结

1. 12 个脚里 NCP1568 的“身份脚”是四个：SW（开关节点实测，自适应死区+ZVS 变频的信号源）、ATH/DTH（DCM↔ACF 两个方向的切换门限，把轻载行为交给设计者编程）、ADRV（5 V 逻辑钳位驱动信号）——其余脚与同类 PWM 控制器大同小异。
2. RT 定“最低频率”而非工作频率：变频算法在其上自适应，这与 UC3842/UCC2897A 的 RT 语义完全不同，是本项目最容易踩的概念陷阱。
3. HV 是一根“一根线三用”的脚：启动电流源 + 掉电检测 + 线电压量化（OPP 补偿用），因此对外围网络格外敏感（串联电阻 ≤3 kΩ、对地电容 ≤22 pF）。
4. FLT 是双向越窗故障脚：上升越 3.0 V 判 OVP、下降越 0.4 V 判 OTP（NTC 直配），首电上电用 418 mV 特殊退出阈值服务老化测试。
5. CS 的阈值是“活的”：随模式（DCM/ACF/转换期）与 ACF 频率（785→590 mV）变化，还叠加 OPP 补偿电流——逐脚理解才能算对限流点。
6. 驱动两脚是“一大一小”：LDRV 是 12 V 钳位强驱动（0.85/1.5 A），ADRV 是 5 V 逻辑信号（65/150 mA）——后者必须搭配外部驱动器或逻辑电平钳位管。

1. 引脚总表（DS 表 1 全译 + 补充要害信息）

2. 逐脚详读

2.1 HV（脚 1）—— 一根线三用，所以最“挑”外围

• 内部电路结构：三套电路共享这一脚——①两段式启动电流源（VCC<0.57 V typ 时灌 Istart1=0.54 mA typ；越过 inhibit 阈值后加大到 Istart2=3.67 mA typ，直到 VCC(on)=15.2 V）；②掉电比较器（VHV(start)=113 V typ 上升启动 / VHV(stop)=98 V typ 下降告警，带 396 ms typ 判定滤波）；③线电压量化器（把分压后的 VHV 按档位数字跟踪，得 CHVV/HMHVV 两个记录值，供 OPP 与线相关参数调用）。
• 为什么需要：离线电源若用电阻降压启动，启动电阻要常年耗散数瓦；700 V 电流源只在充电窗口耗电，其余时间漏流仅 ≤23~25 µA（DS 表列 IHV(off)，单位原印 mA 疑为 µA）——这是待机 <30 mW 的第一块拼图。掉电/掉线检测复用同一脚，省掉辅助检测电路。
• 外围怎么接：经两只二极管分别接交流 L 与 N（全波整流感知）；可串低值电阻限流，但总串联电阻 ≤3 kΩ；对地电容 ≤22 pF。
• 器件怎么算：限流电阻按浪涌电流算：R ≥ (V_surge−700 V)/20 mA 的富余量设计（手册只给上限 3 kΩ，具体阻值由浪涌等级定，推断）。
• 开路/短路/接错会怎样：HV 开路→启动电流源无源可取，VCC 永远到不了 15.2 V，系统不启动；串阻超 3 kΩ→掉电/线检测功能受损（DS 明示）；对地电容 >22 pF→掉线（line removal）误判，电源随机停机（DS 明示）。将 HV 误接直流母线正端而非整流后交流感知点，则失去 Brown-out 与 OPP 的线信息（推断：功能降级，HV 电压本身仍在额定内）。

2.2 FLT（脚 4）—— 双向越窗：上窗 OVP、下窗 OTP

• 内部结构：上/下两个比较器分别带消隐（35/33 ms typ），下窗配 IFLT(OTP)=45.5 µA typ 上拉电流源用于 NTC 测温；输入端内置 1.75 V 钳位（串联 1.58 kΩ typ）防开路时误达上阈值；响应（锁定/自恢复）由出厂选项决定。
• 为什么需要：适配器需要系统级过温（NTC 贴变压器/外壳）与输出/辅助过压两级保护，共享一根脚最省引脚——用“方向”区分故障类型。
• 外围怎么接：下窗：NTC 热敏电阻上拉接 VCC 侧基准（EVM 用 220 kΩ NCP18WM224 NTC）；上窗：稳压管+电阻从辅助绕组 VAUX 串联到地，FLT 接分压点；再并一只旁路电容消噪（DS 建议，EVM 用 1 nF/120 pF 量级，推断）。
• 器件怎么算：NTC 选型按“工作温度时 VFLT 介于 0.937 V（OTP 退出）与 3.0 V（OVP）之间、过温时跌破 0.40 V”设计分压；上窗按“OVP 动作点 = V_OVP(目标) × R_分压比”倒推稳压管。
• 开路/短路/接错会怎样：FLT 开路→内部钳位使其到不了上阈值，OVP 失效（DS 明示设计意图）；对地短路→VFLT=0 V 低于 OTP 进入阈值，禁止开关（首电后 33 ms 判 OTP）；NTC 极性/阻值选错→老化测试（65 ℃ 环境）中误触发，适配器“老化工位全军覆没”——DS 专设 VFLT(OTP_out_1st)=418 mV typ 首电阈值解决此问题（详见 04 篇陷阱 11）。

2.3 RT（脚 5）—— 定的是“下限”，不是“频率”

• 内部结构：内部放大器把 RT 脚强制在 2 V，从外接电阻灌出的电流直接设定振荡器频率 F(RT)=1/(RT×100 pF)；RT≥10 kΩ。
• 为什么需要：ACF 变频系统需要一条“频率下限”——重载 ZVS 调频不许跌破它，轻载折返也钳在它之下（DCM 上限=F(RT)/2）。RT 就是这条频率下限的唯一定义点。
• 外围怎么接：一只精密电阻对地（1% 以内，业界经验），尽量短就近；不需要电容。
• 器件怎么算：RT=100 kΩ→100 kHz；RT=33 kΩ→303 kHz（DS 测试条件即用此值）；RT=49.9 kΩ→200.4 kHz（EVM 候选值，推断）。先按最低输入电压、最低输出档（USB-PD 的 5 V）、最大负载定最低频率，再反推 RT（DS 建议的选频原则）。
• 开路/短路/接错会怎样：RT 开路→无电流灌出，振荡器失去频率设定（开关停止或异常，推断：FSW→0 方向）；RT 短路→电流灌到极大，频率顶到内部上限（约 1 MHz 量级，DS 注 3 警告超范围运行可能损坏 IC 或系统）；把 RT 误当“定频”编程→重载频率规划整体错位。

2.4 DTH（脚 6）—— ACF→DCM 的“下台阶”门限

• 内部结构：VCC(on) 后 DTH 灌出 IDTH=16 µA typ（外接电阻成阈值电压 VDTH=16 µA×RDTH，量程 0~187.5 kΩ→0~3 V）；软启动完成且强制 ACF 期结束后被持续观测；FB 电压下降穿越 VDTH 且保持 TACF_DCM_HOLD=12 ms typ→触发 ACF→DCM 转换。DCM 运行中 DTH 电流源关断。
• 为什么需要：轻载继续跑 ACF 会让磁化电流 CCM 环流损耗消耗收益（详见 02 篇），必须有一个“负载低到该换 DCM”的判据。FB 电压正比于负载需求，DTH 就是这条刻度线。
• 外围怎么接：电阻对地；DS 建议并联 100 nF 消噪兼定时（引脚达稳态前有延迟）。
• 器件怎么算：RDTH=49.9 kΩ→VDTH=0.80 V（EVM 候选，推断）；DS 图 20 给出 25~125 kΩ→0.4~2 V 的常用区间。门限应放在效率曲线 ACF 段与 DCM 段的交点附近（业界经验，扫负载实测定）。
• 开路/短路/接错会怎样：DTH 开路→阈值顶到 3 V 上限，几乎不切换（永远 ACF），轻载效率差、待机功耗高；DTH 对地短路→阈值 0 V，微小负载就掉 DCM；与 ATH 设反（DTH>ATH）→迟滞带倒挂，模式抖动（推断，机理见 02 篇 §7）。

2.5 FB（脚 7）—— 光耦直连 + 一脚三比较

• 内部结构：内部 100 kΩ typ 上拉电阻 + 99 µA typ 上拉电流源；VFB 与三套阈值比较——PWM（经 KFB=4.00 typ 比例生成电流设定点）、DTH/ATH（模式切换）、VFB(skip)=400 mV typ（跳周期）与 VFB(Ipk_freeze)=792 mV typ（峰值电流冻结）。
• 为什么需要：FB 是整个多模式算法的“负载指针”——一个电压量被五种阈值瓜分，省掉专用负载检测电路。
• 外围怎么接：光耦集电极直连（DS 明示支持直连）；启动首脉冲前 FB 被内部上拉到 5 V（保证首脉冲就按 ACF 重载逻辑执行，见 02 篇 §9）。
• 器件怎么算：环路补偿（II 型）围绕 KFB=4.0 与光耦 CTR 设计；跳周期点 400 mV、模式门限 0.8~2.0 V（EVM 推断值）都落在同一根 FB 曲线上，设计时先画 FB-负载映射，再放阈值（业界经验）。
• 开路/短路/接错会怎样：FB 开路→上拉到 5 V→满功率倾向（重载逻辑），输出过压靠 OVP 后备；FB 短地→0 V→跳周期/停机方向；光耦 CTR 衰减会整体抬高 FB 曲线→模式切换点漂移（业界经验：老化后切换点偏移是常见投诉）。

2.6 CS（脚 8）—— 阈值“活的”电流检测

• 内部结构：检测电压与多路阈值比较（OCP 785 mV typ DCM / 785→590 mV typ ACF 按频率 / 转换期 1.19 V；SCP 1.19 V / 转换期 1.391 V）；LEB 消隐（OCP 195 ns S02、121 ns G03/G04；SCP 再短约 50 ns）；周期结束内部开关把 CS 放电保持低 100 ns；OPP 从此脚灌出补偿电流；还有 1 µA typ 上拉偏置。
• 为什么需要：峰值电流模式的核心输入；变频 + 双模式 + 转换期让“一个阈值”不够用，故阈值矩阵化。
• 外围怎么接：检测电阻 R_CS 接功率管源极与 GND；DS 建议脚旁小 RC（典型 20 pF + 732 Ω）抑噪。
• 器件怎么算：R_CS = V_OCP(目标)/I_pk(最大)。EVM 实装 0.5 Ω×2（若并联 0.25 Ω，推断）→ OCP 点 785 mV/0.25 Ω=3.14 A、SCP 点 4.76 A；本库推算工作峰值 ≈1.9~2.2 A，余量约 45%——量级自洽。
• 开路/短路/接错会怎样：CS 开路→1 µA 上拉+无电流信息→过早触发 OCP（假过流）或打嗝；CS 短地→永远检不到电流→靠 SCP/磁饱和事故后备，危险；RC 滤波过大→等效传播延迟加大→过流尖峰更高（业界经验）。

2.7 GND（脚 9）

地参考。功率地（R_CS、VCC 电容负端）与信号地（RT/DTH/ATH/FB 电容）单点汇接，驱动回路（LDRV/ADRV）单独成环再汇入——业界经验，机理见 04 篇布局要点。

2.8 LDRV（脚 10）—— 12 V 钳位强驱动

• 内部结构：拉/灌 0.855/1.41 A typ（1.5 nF 下升/降 10.7/6.5 ns typ），输出钳位 11.75 V typ（VCC=18 V 时）——VCC 被辅助绕组拉高也不许超驱动栅压。
• 为什么需要：主管是开关损耗主体，需要强驱动+栅压保护二合一。
• 外围怎么接：直驱主开关（DS 图 1 路线，串 10 Ω 级栅阻，业界经验）；EVM 路线：LDRV 作为逻辑送 NCP51530 低侧输入，由 1.9 A 驱动器驱动大栅荷 ThinPak 管（05 精译器件表）。
• 器件怎么算：直驱时栅电荷 Qg/1.5 A≈开关沿时间，用 EVM 数例：60 nC/1.5 A=40 ns 量级（本库推算），大栅荷管核算驱动损耗 I²R 与 VCC 容量。
• 开路/短路/接错会怎样：LDRV 短地→主管不开，无输出；栅阻开路→驱动悬空，MOSFET 靠漏电半开，烧管风险；VCC 超压时若无 12 V 钳位（该功能失效）→栅击穿（推断）。

2.9 VCC（脚 11）—— 启动靠 HV、运行靠辅助、故障靠 HVBC

• 内部结构：UVLO 15.2/9.0 V typ（迟滞≥5.5 V）；复位电平 6.1 V typ；VCC OVP 27.8 V typ（持续 63 ms typ 锁存低功耗态）；故障态由 HV 脚电流源以 HVBC 方式（充到 VCC(on) 停、跌到 VCC(off) 再充）维持监视功耗。
• 为什么需要：辅助绕组建立前必须有人供电；故障/待机时既要“活着”监视又要省电——HVBC 是折中方案。
• 外围怎么接：电容对地（启动规格按 0.47 µF 标定，实用 68 µF，EVM C22）；辅助绕组经整流二极管+限流电阻接入。
• 器件怎么算：按 DS 式 3（详见 03 篇步骤 8）：DS 数例 64.3 µF，+20% 余量→约 77 µF；EVM 取 68 µF 标称值。
• 开路/短路/接错会怎样：VCC 电容过小→辅助接管前跌破 9 V→HVBC 循环“打嗝”启动失败；VCC OVP 失效（脚坏）→辅助绕组失控时芯片过压损坏（推断）；把辅助绕组同名端接反→VCC 供不上，启动后跌回 9 V 关断再启动，周期性打嗝（业界经验）。

2.10 ADRV（脚 12）—— 5 V 逻辑，“交替地”基准

• 内部结构：5 V 逻辑电平输出（钳位 4.75 V typ），拉/灌 65/150 mA typ，最小脉宽 234 ns typ；T_ZVS 误差时间从 ADRV 下降沿起算；LDRV 关→ADRV 开之间有固定死区（S02=20 ns，G03/G04=0 ns，出厂选项）。
• 为什么需要：把高边功率驱动“信号级化”——芯片内部不做浮动自举强驱，封装耐压与成本让给外部驱动器；“交替地（alternate ground）”即外部驱动器的浮动地（SW 域）。
• 外围怎么接：EVM：ADRV→NCP51530 高侧输入，NCP51530 自举驱动钳位管（600 V 半桥驱动）；或直配逻辑栅 GaN/低阈值 SJ 管（推断路线 A/B，见 03 篇步骤 10）。
• 器件怎么算：65 mA 拉 × 钳位管栅荷 → 直驱沿速度：17 nC/65 µA?不对——拉电流 65 mA→17 nC/65 mA≈260 ns 量级（本库推算），仅够小栅荷；大管必外驱。
• 开路/短路/接错会怎样：ADRV 断线→钳位管永不开→漏感能量无处回收→主管电压尖峰击管（严重故障）；ADRV 与 LDRV 接反→上下管时序颠倒，桥臂直通风险（推断）。

2.11 ATH（脚 13）—— DCM→ACF 的“上台阶”门限（量化档位）

• 内部结构：VCC(on) 后灌出 IATH=10 µA ±5%（表 5 映射）；4 位 A/D 把引脚电压量化为 15 个档（50 mV~1.63 V），每档映射到内部精密基准（1.04~3.28 V，容差约 ±2.5%）；FB 上升穿越该基准且 DCM 已满 18 个开关周期（NDCM）→转 ACF。
• 为什么需要：阈值要精确稳定，但引脚电流/电阻有容差——“引脚只选档、精确值在片内”的量化设计把门限精度从电阻容差（±1~5%）收敛到内部基准 ±2.5%，且抗扰（毛刺落进档间隙不误切）。
• 外围怎么接：电阻对地。DS 表 5：46.4 kΩ→2.0 V、53.4 kΩ→2.16 V、161.2 kΩ→3.28 V、8 kΩ→1.04 V 等 15 档。
• 器件怎么算：EVM 候选 49.9 kΩ×10 µA=499 mV→落入 bin6（460 mV）与 bin7（540 mV）之间→选中 bin6→内部基准 2.0 V（推断，按 DS 图 18/表 5 机理）；本库示例亦可直接取表内标称阻值 46.4 kΩ 免歧义。
• 开路/短路/接错会怎样：ATH 开路→引脚电压超量程→最高档 3.28 V→很重载才回 ACF，重载效率反常；对地短路→0 V→DCM 刚起就回 ACF，轻载效率差；与 DTH 倒挂→迟滞消失、模式振荡（机理见 02 篇 §7）。

2.12 SW（脚 16）—— 自适应死区与 ZVS 的“眼睛”

• 内部结构：两套功能共用——①死区管理：SW 上升过 9.6 V typ（DT_E_R_VTH）触发 DT_E_R 定时器，下降过 9.6 V typ（DT_R_E_VTH）触发 DT_R_E 定时器，DT_Max（276/449 ns typ）后备；②ZVS 检测：比较器在 SW 下降沿捕获 ZVS 时刻，与 T_ZVS 基准比较生成变频误差。有态电流消耗 ISW(on)≈117 µA typ，关态漏流 ≤1.5~4 µA（单位疑误，译注见 00 篇）。
• 为什么需要：死区最优值随管子 COSS、原边电流、磁化电感、漏感变化（SW 斜率跨度 100 MV/s→10 GV/s），固定死区必在某工况浪费或硬开关——只能“看节点说话”。
• 外围怎么接：直接接开关节点（Kelvin 短走线，业界经验）；无外接元件要求。
• 器件怎么算：无需计算，但走线电感/耦合决定检测质量——SW 采样点应贴主管漏极（业界经验）。
• 开路/短路/接错会怎样：SW 开路→死区退化为 DT_Max 后备+变频失准→效率下降甚至硬开关；SW 被噪声污染→ZVS 误判→频率乱跳、偶发硬开关（详见 04 篇陷阱 2）；把 SW 误接到变压器原边另一端（静点）而非开关节点→检测逻辑完全错乱（推断）。

3. 引脚相关的绝对最大额定值（超出即损坏，勿依赖功能正常）

4. 关键参数的设计含义（≥15 行速查）

5. 三个出厂变体对“引脚参数”的影响

同一封装同一引脚定义，但 S02/G03/G04 的固化时序常数不同（DS 订购表/电气表），引脚级差异速查：

选型含义：先定开关技术（Si/GaN）再定后缀；G03 vs G04 的选择本质是“ZVS 检测窗宽窄”——GaN 管 COSS 更小、谐振更快者配 G03（本库推断，需以实测 ZVS 时间核对）。EOL 风险后缀量产前核对生命周期。

精炼要点

上一级：NCP1568