横评：同步整流 SR 控制器

版本：2026-10-04 重建版——原文件遗失后按库内各 IC 深读文件收敛重建；数值与结论均可溯源至库内文件。出处格式 型号/文件号 §节号：00=规格书全译、01=引脚、02=原理、03=应用计算、04=排障、RM=README（速查表 #n=各自 README 关键参数速查表行号）。源文件中「待核实/本库推算/业界经验/业界惯例」等标记原样保留；无现成出处的对比结论标「（本库归纳）」。〔对位注〕待核实与推断总表中以 HP(SR) 引用本篇的条目（判据体系分组、关断延迟 100 ns=1.5 A 倒灌、T_LL 隐含频率上限、NCP4307 四处数值不一致、HVC 取电损耗 0.47 W）按本重建版口径对位。

同步整流 SR 控制器的本质是二极管仿真器：把 SR MOSFET 的正向压降伺服到几十 mV、电流反向前快速关断、同时不被振铃假信号误触发——全部判据要回答三个问题：何时开通、何时关断、假信号来了怎么办（MP6908/02 §1）。库内四颗深读 IC 覆盖两条赛道：反激单通道（NCP4307、MP6908）与 LLC 双通道（MP6922、TEA1995T）。本横评按板块纪律组织为族内分组 + 选型决策树 + 典型误用（30_经典IC精读/README）。

对象	厂商	通道	主场拓扑	判据体系	库内入口
NCP4307	onsemi	单	反激 DCM/CCM/QR、正激	阈值系（−85/0 mV + 量产固化消隐档 + −dV/dt 斜率辅助）	NCP4307/README
MP6908	MPS	单	反激 DCM/CCM/QR（高侧/低侧）	SLEW 斜率判据（计时判据）	MP6908/README
MP6922	MPS	双	LLC 中心抽头/全桥	时序窗（T_MIN/T_OFF）+ TLL/RCP	MP6922/README
TEA1995T	NXP	双	LLC 中心抽头 + 多输出反激低边	纯阈值系（四阈值，无时间窗）	TEA1995T/README

选型速览

IC	一句话定位	适用场景	关键限制
MP6908	反激 SR 性价比主力：SLEW 一只电阻按机型整定斜率判据 + HVC 免辅助绕组，0 V 输出/短路工况 SR 照常工作（MP6908/RM；02 §3）	常规 DCM/CCM/QR 反激（几十~几百 kHz）；宽输出/低输出（5 V 档、0 V 起调）；DCM/QR 振铃严重、固定消隐窗不好覆盖的机型（MP6908/RM 适合谁）	T_SLEW 必须逐机型实测整定，且整定过严拒真沿是斜率方案独有陷阱（MP6908/03 步骤 4；04 陷阱 2）；TSOT23-6 热预算 P_D 0.56 W @25 ℃，极大电流（>10 A 级输出）先核热与驱动（MP6908/RM 不适合谁）
NCP4307	阈值系免整定稳健派：0 mV 关断阈值 + 7 A 灌电流把导通时间吃满，三层防误开通判据（NCP4307/RM；02 §13）	65 W 级 USB-PD 宽输出适配器（双 V_CC 吃宽输出）；DCM/CCM/QR 反激与正激的 SR 升级替换；偏好“档位量产固化、外围极简”的设计（NCP4307/RM 适合谁）	判据档位量产固化，选错只能换 OPN（NCP4307/04 陷阱 4）；输出长期低于 ~4 V 超出 V_CCL 范围（3.5 V typ 才起振；NCP4307/RM，此条为推断）；正文与特性表四处数值不一致、以特性表为准（NCP4307/00 附注 2）
MP6922	LLC 双通道时序窗派：70 mV 调节 + 快关断 + TLL/RCP 两项 LLC 专属机制（MP6922/RM）	12~24 V 级大电流输出 LLC（适配器、TV 电源、通信电源）（MP6922/RM 适合谁）	SOIC8/SOIC8E 固定 T_LL=2.2 µs 隐含约 200 kHz 频率上限（本库推算，MP6922/02 §5.4）；VDD 需落在 8~24 V 窗口（MP6922/RM）；正文四处数值以特性表为准（MP6922/02 §8）
TEA1995T	双通道伺服派：自适应栅驱动 + 无最小导通时间 + 关断后 4 Ω 锁死栅极，轻载逐拍跟随（TEA1995T/RM）	LLC 中心抽头次级、对全负载段效率挑剔的适配器/PC/TV/服务器电源；待机功耗按 mW 核算的方案；愿为 4 线 Kelvin 检测付出布局投入的团队（TEA1995T/RM 适合谁）	漏极检测耐压 100 V DC：反激高反射电压场合适用性受限（TEA1995T/03 第 4 节）；检测布线不合格则伺服环在伺服噪声（TEA1995T/RM）；Ptot 0.5 W 限制高频大 Qg 组合（TEA1995T/03 步骤 7）

总口径（本库归纳，判据出处随注）：反激单管数百 kHz → MP6908 或 NCP4307；LLC 次级双管 → MP6922 或 TEA1995T；≥500 kHz ZVS/ACF → MP6951（07 族）。

族内分组（核心分组轴＝开通/关断判据体系）

核心分组轴＝判据体系（原横评分组口径存录于待核实与推断总表：MP6908 SLEW 判据 vs MP6951 时间窗 vs MP6922 时序窗 vs NCP4307/TEA1995T 阈值系）。落库后的体系对照（MP6908/02 §6 三哲学对比 + TEA1995T/02 §10）：

体系	成员	判据核心	强项	弱点
阈值系	NCP4307 / TEA1995T	电压阈值定开通与关断：NCP4307 −85/0 mV＋量产固化消隐档位＋−dV/dt 斜率辅助（NCP4307/02 §13）；TEA1995T −400/−55/−50/+150 mV 四阈值、无任何时间窗（TEA1995T/02 §2/§5）	NCP4307 免整定、量产一致（NCP4307/02 §13）；TEA1995T 判据由物理事实直读、窄脉冲逐拍跟随（TEA1995T/02 §5.3）	NCP4307 档位固化选错只能换 OPN（NCP4307/04 陷阱 4）；TEA1995T 完全依赖测量精度，4 线开尔文检测是基础前提（TEA1995T/02 §7）
时序窗	MP6922	最小导通 T_MIN 1 µs／最小关断 T_OFF 1.6 µs 双向消隐＋TLL 导通脉宽判据（MP6922/02 §4.1/§5）	单端检测环境下用时间窗作为后备，布线不可控时下限稳（TEA1995T/02 §10）	高频＋固定 T_LL 重载误锁（本库推算，MP6922/02 §5.4）；CCM 同步导通期勿 <1 µs（手册明文，MP6922/02 §4.1）
斜率判据	MP6908	T_SLEW 计时判据：V_DS 从 +2 V 走到 −86 mV 用时不超过 T_SLEW 才放行，等效平均斜率门槛 23.2 V/µs @400 kΩ（本库推算）（MP6908/02 §5）	一只电阻适配任意机型，判据物理意义直白（振铃慢、真沿快）（MP6908/02 §6）	必须逐机型实测整定；整定过严把真开通也拒掉是该体系独有失效（MP6908/04 陷阱 2）

（07 族提一句：MP6951 用时间窗——量低电平平台时长与 R_TW 设定窗比较＋快/慢双档驱动，关断 20 ns、支持 1 MHz 与 ZVS/ACF/HFB，见 MP6951/README；三哲学对比原表见 MP6908/02 §6。）

次级分组轴一：拓扑与通道数。 反激单通道（NCP4307 兼正激续流位/正激位、MP6908 兼高侧/低侧）vs LLC 双通道（MP6922、TEA1995T，TEA1995T 兼多输出反激低边）。两赛道不可互换：反激次级电流是三角波、头号风险误导通；LLC 次级是准正弦、头号风险倒灌/直通（MP6922/02 §1 工况对照表；MP6922/RM）。

次级分组轴二：封装与热预算。 NCP4307 TSOP-6、250 ℃/W（NCP4307/RM 速查表 #18）；MP6908 TSOT23-6、220 ℃/W（MP6908/RM 速查表 #16）；MP6922 SOIC8E/SOIC8/SOIC14＝50/90/86 ℃/W（MP6922/RM 速查表 #17）；TEA1995T SO8、Rth(j-a) 140 K/W（TEA1995T/RM 速查表 #16）。TSOT23-6 档 P_D 预算 0.56 W @25 ℃（MP6908/RM），是取电接法裁决线（见逐颗点评）。

次级分组轴三：供电路线。 自取电族：NCP4307 三源择优（V_CCH 优先、CS 自供电 105 mA typ @V_CS=50 V，NCP4307/02 §3；速查表 #5）、MP6908 HVC/VD 漏极取电三段制 9/5 V（MP6908/02 §3）——换来 0 V 输出/短路工况的生存能力；输出直连族：MP6922 VDD 8~24 V（MP6922/RM 速查表 #1）、TEA1995T 4.5~38 V（TEA1995T/RM 速查表 #1）——接法简单，但“输出在 SR 才在”（MP6922/02 §4.5）。

关键参数对比

参数	NCP4307	MP6908	MP6922	TEA1995T
开通阈值	−85 mV typ（−120/−40）（NCP4307/RM 速查表 #6）	−115/−86/−57 mV（MP6908/RM 速查表 #2）	−70 mV（体二极管平台 ~−500 mV 必先触发，MP6922/02 §3.1）	−400 mV typ（−450~−350）（TEA1995T/RM 速查表 #5）
调节点（仿真压降）	无调节环：满栅压维持至 0 mV 关断（NCP4307/02 §4.1）	25/40/55 mV（MP6908/RM 速查表 #1）	55/70/85 mV（MP6922/RM 速查表 #5）	−55 mV typ（−60~−50），栅压自适应随动（TEA1995T/RM 速查表 #6）
关断阈值	0 mV（−1/—/0；正文称典型 −0.5 mV）（NCP4307/RM 速查表 #7）	−6/+3/+12 mV（即 V_DS ≈ −3 mV）（MP6908/RM 速查表 #3）	+30 mV（VS−VD −30 mV typ）（MP6922/RM 速查表 #8 行口径，MP6922/02 §8）	关断锁定阈值 Vswoff +150 mV typ（90~200）＋4 Ω（3.2~5 Ω）锁死（TEA1995T/RM 速查表 #7/#12）
开通延迟	30 ns typ/60 ns max（NCP4307/RM 速查表 #9）	30 ns typ（max 50，C_LOAD 2.2 nF）（MP6908/RM 速查表 #4）	150 ns（5 nF）/250 ns（10 nF）typ；正文 200 ns 以表为准（MP6922/02 §8）	80 ns typ＋Qg/1 A（36 nC → 116 ns）（TEA1995T/RM 速查表 #8；03 步骤 3）
关断延迟	CS→DRV 15 ns typ/23 ns max（NCP4307/RM 速查表 #9）	传播 15 ns＋T_DOFF 25 ns typ（max 45）@2.2 nF（MP6908/RM 速查表 #4/#5）	传播 15 ns；总 35 ns（5 nF）/45 ns（10 nF）typ；特性栏“20 ns”为宣传口径（MP6922/02 §3.3）	去激活 40 ns typ＋1.0 A 灌（TEA1995T/RM 速查表 #8/#9）
驱动能力	2 A 拉/7 A 灌（源/灌 2/0.5 Ω），钳位 10 V typ、另有 5 V 档（NCP4307/RM 速查表 #10/#11）	0.5 A 拉/3 A 灌，下拉 1 Ω typ（MP6908/RM 速查表 #14）	下拉 1 Ω typ/3 A；VG 高 14 V typ（VDD>16 V）或 VDD−2.2 V（MP6922/RM 速查表 #15）	1.0 A 拉/1.0 A 灌 @VCC=12 V；调平档 100 mA（TEA1995T/RM 速查表 #9/#10）
防误开通体系	三层：最小 tON/tOFF 档位（t_ON_MIN 500~2000 ns/t_OFF_MIN 1.0~6.25 µs 各 8 档）＋−dV/dt（3.0→0.5 V ≤15~45 ns 档）＋TRIG/DIS（NCP4307/02 §13；速查表 #12/#13）	SLEW 计时判据（65/90/115 ns @400 kΩ）＋开通/关断双消隐＋关断锁存到 V_B-OFF 2.5 V typ（MP6908/02 §5/§8；速查表 #6/#7/#8）	时序窗 T_MIN 1 µs/T_OFF 1.6 µs；开通消隐期关断阈值抬 +100 mV（MP6922/02 §4.1；速查表 #9/#10）	深阈值 −400 mV＋Vswoff 正压 4 Ω 锁定（TEA1995T/02 §5.4）
轻载策略	LLD：V_CS >100 mV 持续 100 µs → 185 µA typ（NCP4307/02 §10；速查表 #4/#16）	无专门锁闭：判据不放行＋I_q 100 µA 级待机（MP6908/02 §9）	TLL：导通 <2.2 µs 持续 120 µs → 锁闭 <600 µA；RCP 3 V/100 µs 双通道同锁（MP6922/02 §5/§6；速查表 #11/#12/#13）	无锁闭、逐拍跟随；energy-save 160 µA typ（TEA1995T/02 §8；速查表 #3）
供电	V_CCL UVLO 4.0/3.5 V typ；三源择优（NCP4307/02 §3；速查表 #1/#5）	HVC/VD 漏极取电三段制 9/5 V；UVLO 上升 3.75 V/跌破 3.55 V（MP6908/02 §3/§4；速查表 #9/#10）	VDD 8~24 V（abs max 26 V）输出直连；UVLO 上升 5.0/6.0/7.0 V（MP6922/RM 速查表 #1/#2）	4.5~38 V 输出直连；Vstart/Vstop 4.55/4.20 V typ（TEA1995T/RM 速查表 #1/#2）
高压检测脚耐压	CS −1~+200 V（动态 −10~200 V @200 ns）（NCP4307/RM 速查表 #17）	VD/HVC −1~+180 V（推荐 150 V）（MP6908/RM 速查表 #15）	VD −0.7~+180 V（MP6922/RM 速查表 #14）	DSA/DSB −0.8~+100 V（DC 极限）（TEA1995T/RM 速查表 #13）
频率口径	数十~数百 kHz 反激/正激（NCP4307/RM）	几十~几百 kHz 常规反激（MP6908/RM）	300 kHz（绝对最大额定值表）（MP6922/RM）	500 kHz（若不受 Ptot 0.5 W 限制）（TEA1995T/RM 速查表 #15）
封装/热阻	TSOP-6，250 ℃/W（NCP4307/RM 速查表 #18）	TSOT23-6，220 ℃/W，P_D 0.56 W @25 ℃（MP6908/RM 速查表 #16）	SOIC8E/SOIC8/SOIC14＝50/90/86 ℃/W（MP6922/RM 速查表 #17）	SO8，Rth(j-a) 140 K/W（TEA1995T/RM 速查表 #16）

注：四家延迟参数测试条件不同（负载电容与口径不一），横向快慢排序属本库归纳，设计核算以各家表值口径为准。

逐颗点评

MP6908 —— 反激“斜率派”性价比主力

定位：常规反激（几十~几百 kHz）SR 的性价比主力，“一颗 IC + 一只管”免辅助绕组方案（MP6908/RM）。
亮点：SLEW 一只电阻按机型实测整定斜率判据（MP6908/02 §5）；40 mV 伺服环令栅极关断前预放电，25 ns 干净收尾、CCM 是其价值最大的场景（MP6908/02 §7/§8）；HVC 漏极取电三段制撑起 0 V 输出与输出短路工况（MP6908/02 §3）。
代价：取电接法是效率与热的权衡——高线漏极取电 LDO 内耗 ≈0.47 W（95 V×5.5 mA）vs 输出取电 60 mW、差 8 倍（本库推算；MP6908/01 HVC 节；03 步骤 6），高线大 Qg 机型超出 TSOT23-6 热预算（P_D 0.56 W @25 ℃、50 ℃ 环温只剩 0.45 W），接法选择是设计关键；T_SLEW 整定必须实测且有过严拒真沿的独有陷阱（MP6908/03 步骤 4；04 陷阱 2）；T_B-ON 1.1 µs 为固定值，轻载窄导通期存在架构代价（MP6908/04 陷阱 10）。
适合谁：宽输出/低输出（5 V 档、电池充电、0 V 起调）、不想绕辅助绕组或高侧取电困难的紧凑设计（MP6908/RM）。

NCP4307 —— 阈值系“免整定”稳健派

定位：0 mV 关断阈值＋7 A 灌电流把“电流真正到零之前的导通时间”吃满，三层防误开通判据免现场整定（NCP4307/RM；02 §13）。
亮点：0 mV vs 竞品 −10~−5 mV——1 mΩ 管在 −10 mV 关断意味着电流降到 10 A 才关、最后 10 A 全部转由体二极管独自承担 0.7 V 压降（瞬时 7 W）（NCP4307/02 §4.1）；−dV/dt 斜率表（3.0→0.5 V ≤15~45 ns 档，等效门槛 ≈56~167 V/µs，推断换算）解 5 V 高线窄初级导通——t_OFF_MIN 4.00 µs 大于最短间隔 1.9 µs 时 −dV/dt 是刚需（NCP4307/02 §7；03 步骤 4）；版本族 FA/FB/AA/WA 覆盖反激/ACF/正激正激位（NCP4307/03 步骤 4）。
代价：判据档位量产固化，选错只能换 OPN（NCP4307/04 陷阱 4）；CS 脚严禁 RC 滤波——任何滤波都直接拆掉 −dV/dt 防御（NCP4307/04 陷阱 3）；输出长期低于 ~4 V 超出 V_CCL 范围（NCP4307/RM 不适合谁）；正文与特性表四处数值不一致、以特性表为准（NCP4307/00 附注 2 ①~④）。
适合谁：65 W 级 USB-PD 宽输出适配器；偏好“判据档位量产固化、外围极简、不需要现场整定”的稳健设计（NCP4307/RM）。

MP6922 —— LLC 双通道“时序窗派”

定位：LLC 次级双通道 SR，70 mV 调节＋TLL/RCP 两项 LLC 专属机制（MP6922/RM）。
亮点：70 mV 调节环把等效 r_DS(on) 在过零前养大——倒灌判据 1 A vs 满驱 6 A，是关断可靠性特性而非效率特性（MP6922/02 §3.2）；快关断（总 35/45 ns）＋RCP（3 V/100 µs 双通道同锁）两道保险（MP6922/02 §3.3/§6）；TLL 锁闭后 <600 µA，满足 Energy Star/0.5 W 待机（MP6922/RM）。
代价：SOIC8/SOIC8E 固定 T_LL=2.2 µs 隐含约 200 kHz 频率上限——fsw=300 kHz 时半周导通 ~1.5 µs＜2.2 µs，重载被误判轻载锁闭（本库推算；MP6922/02 §5.4；04 陷阱 2：满载 VG 无输出、体二极管发热剧增、效率掉 4~5 个点），高频须用 SOIC14 调 R_LL，按“小于重载最小导通、大于轻载无油水点”两侧夹逼（示例 68.1 kΩ → T_LL=1.5 µs）（MP6922/03 第 5 步）；CCM 同步导通期勿 <1 µs（手册明文，MP6922/02 §4.1）；正文与特性表四处不一致、以特性表为准（MP6922/02 §8）。
适合谁：12~24 V 大电流输出 LLC（适配器、TV 电源、通信电源）；想把反激 SR 经验迁移到 LLC 的人（MP6922/RM）。

TEA1995T —— 双通道“伺服派”

定位：NXP GreenChip 新一代双通道：自适应栅驱动＋无最小导通时间＋关断后 4 Ω 锁死（TEA1995T/RM）。
亮点：栅压成为电流波形的复写纸——驱动损耗随负载缩放、过零前栅已预放电、40 ns 干净关断（TEA1995T/02 §1/§5.3）；防倒灌是架构内建（电流根本没机会反向），对比 MP6922 的 RCP 属“预防派 vs 补救派”（TEA1995T/02 §5.4/§10）；逐拍跟随 LLC 突发窄脉冲、轻载无锁闭（TEA1995T/02 §5.3）。
代价：5 mV 调平迟滞窗对布线零容忍——1 nH 残余电感 ×200 A/µs=0.2 V、40 倍于窗，4 线开尔文检测是基础前提（TEA1995T/02 §7；04 陷阱 1）；漏极检测 ≤100 V DC——反激高反射电压场合（12 V 输出＋100 V 反射=112 V 超限）分压方案会破坏判据的幅值比例关系：弃用本 IC 或改拓扑口径（TEA1995T/03 第 4 节；04 陷阱 6）；Ptot 0.5 W：500 kHz＋60 nC＋12 V 组合 0.73 W 超限（TEA1995T/03 步骤 7）；5 V 供电必须配逻辑电平管（TEA1995T/04 陷阱 4）。
适合谁：LLC 中心抽头次级、对全负载段效率曲线挑剔的电源工程师；待机预算按 mW 核算的方案（TEA1995T/RM）。

判据体系专题：失效场景对照

（全部收敛自各 02/04 篇。）

失效场景	机理与各 IC 防线/表现	出处
振铃误触发（DCM/QR 退磁振铃越过开通阈值）	MP6908：SLEW 拒慢沿——振铃在 T_SLEW 内走不完 +2 V→−86 mV 全程（MP6908/04 陷阱 1）；NCP4307：t_OFF_MIN 定时器被 V_CS_RESET 0.5 V 复位线反复重触发，须“V_CS 持续高于复位阈值满档位时间”才放行（NCP4307/02 §6）；MP6922：T_OFF 1.6 µs 消隐防关断振铃误开通（MP6922/02 §4.1）；TEA1995T：−400 mV 深阈值＋Vswoff 正压 4 Ω 锁定（TEA1995T/02 §5.4）	各 02/04
真开通被拒（判据反向失效）	MP6908 SLEW 整定过严（阻值过小）把真换流沿也当振铃拒掉——SR 整周期不工作、体二极管过热、“效率比不用 SR 还差”，斜率方案独有：消隐窗方案只挡“太早”的信号，不拒绝一个到达阈值的真信号（MP6908/04 陷阱 2 及其与 NCP4307 对比）	MP6908/04 陷阱 2
锁闭误判（重载被当轻载）	MP6922 TLL 看导通脉宽：fsw≥200 kHz 时半周期导通也 <2.2 µs，重载持续 120 µs 即锁（本库推算）——满载 VG 无输出、体二极管发热剧增、效率掉 4~5 个点，极易被误判“SR 管坏了”；解：SOIC14 调小 R_LL 或降 fsw（MP6922/02 §5.4；04 陷阱 2）	MP6922/02 §5.4；04 陷阱 2
轻载振荡/反复进出锁闭	MP6922：临界负载在 T_LL/T_LL+T_LL-H（2.2/2.4 µs）判据附近反复进出，轻载效率台阶、VG“一阵有一阵无”（MP6922/04 陷阱 3）；NCP4307：突发恢复第一拍深振铃假关断，靠 t_LLD_EXIT_BLK（45~300 ns 档）消隐期滤除不合格脉冲（NCP4307/02 §10；04 陷阱 7）；MP6908：T_B-ON 1.1 µs 最小导通时间与轻载窄导通期矛盾，靠“最小导通时间期间的关断阈值 1.3/1.8/2.1 V”紧急关断，反向尖峰随负载降低而变大属异常方向（MP6908/02 §9；04 陷阱 10）；TEA1995T：无锁闭，窄脉冲被开通时序（80 ns＋Qg/1 A）延迟导致丢失的周期退回体二极管整流，属物理极限非失效（TEA1995T/04 陷阱 9）	各 04
窄初级导通占用下一周期（宽输出低压档）	NCP4307：5 V 档高线初级脉宽可短于 t_OFF_MIN（4.00 µs vs 间隔 1.9 µs 算例）→ −dV/dt 检出“又深又快的负跳变”提前作废计时；斜率旗只缩短消隐不直接开通，还需 −85 mV 电平判据作为后备（NCP4307/02 §7；03 步骤 4）	NCP4307/02 §7
CCM 交叉导通	NCP4307：CS 判据是“事后补救”、TRIG 触发是“事前预防”（t_TRIG_PD 5 ns typ），DS 图 72“使能/禁止对比法”是一手判别（NCP4307/02 §9；04 陷阱 8）；MP6922：+30 mV 快判据管常规换向、RCP 管异常尖峰，两道防线各管一段（MP6922/02 §6）	各 02

选型决策树

Q0 拓扑与通道数？
├─ LLC/谐振次级双管（中心抽头/全桥）
│   ├─ Q1 频率：fsw 逼近或超过 200 kHz？
│   │     → 是：TEA1995T（500 kHz 口径）或 MP6922 SOIC14＋调小 R_LL（300 kHz 为 MP6922 上限）
│   │       （MP6922/02 §5.4，本库推算；MP6922/RM）
│   │     → 否：MP6922（默认 T_LL）与 TEA1995T 均可，按 Q2 定
│   ├─ Q2 布线与轻载：4 线 Kelvin 可保证、轻载权重大？
│   │     → 是：TEA1995T（TEA1995T/02 §10）
│   │     → 否（噪声环境/布线收敛困难/需整片睡眠待机）：MP6922（TEA1995T/02 §10）
│   └─ Q3 输出轨：8~24 V → MP6922 直连；4.5~38 V（5 V 档配逻辑管）→ TEA1995T（两 RM）
├─ 反激/正激次级单管
│   ├─ Q4 输出会低至 0 V/短路工况 SR 必须活着，或不想绕辅助绕组？
│   │     → 是：MP6908（HVC 漏极取电三段制）（MP6908/02 §3）
│   ├─ Q5 输出长期低于 ~4 V？→ NCP4307 不适用（V_CCL 3.5 V typ 才起振，推断），走 MP6908 口径（NCP4307/RM）
│   ├─ Q6 振铃特征复杂（QR/DCM 变频）、愿意逐机型实测整定？→ MP6908 SLEW；
│   │     求免整定与量产一致 → NCP4307 档位（MP6908/02 §6；NCP4307/02 §13）
│   └─ Q7 深 CCM 重载交叉导通敏感？→ NCP4307＋初级侧 TRIG 触发（NCP4307/02 §9）
└─ ≥500 kHz ZVS/ACF/HFB 软开关 → MP6951（07 族：时间窗＋快/慢双档驱动）（MP6908/02 §6）

前置排除项：反激高反射电压方案（低边 SR 关断平台 = Vout＋反射电压，12 V 输出＋100 V 反射 ≈ 112 V > 100 V DC 极限）直接排除 TEA1995T（TEA1995T/03 第 4 节）。树本身为本库归纳，分岔判据出处随行标注。

典型误用与家族共性陷阱

家族共性一：检测路径的开尔文纪律。 四颗 IC 的判据全部建立在“检测脚=管子真实压降”上：MP6908 VSS 同时是 VD 检测的源极参考，共地阻抗上的伏级瞬态直接叠加在 40 mV 判据上（MP6908/04 陷阱 3）；NCP4307 CS 必须从漏极焊盘取样（走线电感 3.2 A/µs×15 nH≈48 mV，与整个判据窗同量级）、GND 只准直连源极焊点（NCP4307/04 陷阱 1/2）；MP6922 PGND 对 VS 绝对极限仅 ±0.3 V，15 A×2 mΩ=30 mV 就垫歪 70 mV 判据（MP6922/04 陷阱 6）；TEA1995T SS 线借功率地——1 nH×200 A/µs=0.2 V、40 倍于 5 mV 迟滞窗（TEA1995T/04 陷阱 1）。

家族共性二：读数以电气特性表为准。 NCP4307 正文与特性表四处数值不一致：①特性列表 10.5 ns vs 表 t_TRIG_PD typ 5/11 ns；②V_CS_OFF typ 空缺（Min −1/Max 0 mV）vs 正文“典型 −0.5 mV”；③t_ON_INIT_BLK 档位 55/90/200 ns vs 图 38 设置 100 ns；④OPN 表 t_CS_−DV/DT=24 ns vs 表档位 15/25/35/45 ns（NCP4307/00 附注 2）。MP6922 同样四处：开通延迟正文 200 ns→表 150/250 ns；关断 20 ns→表 15/35/45 ns；消隐期关断阈值 +100 mV vs +50 mV vs 表 +30 mV 体系；导通相位括注 0 mV→表 −30 mV（MP6922/02 §8）。“正文偏乐观、表格定量”是本家族通用读数纪律（本库归纳）。

家族共性三：供电链路是 SR 失效的隐形入口。 MP6908“0 V 输出/短路 SR 失效”多由取电链路断引起（串阻/阻断二极管/焊点任一断链 → VDD 跌破 UVLO → 由体二极管独自承担电流）（MP6908/04 陷阱 5）；NCP4307 高侧自供电电容不足 → 重载 UVLO 抖动（NCP4307/04 陷阱 6）；MP6922 突发间歇 VDD 掉电 → UVLO 反复重启、待机功耗超标（MP6922/04 陷阱 7/10）；TEA1995T VCC 去耦不贴脚 → 1 A 栅电流×10 nH=0.28 V 凹陷击穿 Vstop（4.2 V typ）、重载时两通道同时失去检测一个开关周期（TEA1995T/04 陷阱 2）。

家族共性四：外围件不得破坏判据速度。 MP6908 VD/HVC 串阻窗口 300 Ω~1 kΩ（下限保负压钳位、上限保供电与检测斜率，两侧都是硬约束），阻断二极管 t_rr <250 ns（MP6908/03 步骤 5）；NCP4307 CS 上严禁 RC 滤波（NCP4307/04 陷阱 3）；MP6922 VD 串阻经验口径 10 Ω~1 kΩ、RCP 分压比按“高于正常振铃峰、低于危险区”整定（MP6922/03 第 2/6 步）；TEA1995T 检测脚不加串阻（DS 无指引，待核实）（TEA1995T/03 步骤 5）。

专属雷点速查：MP6908——SLEW 过松误开通（最坏直通炸机）、过严拒真沿（MP6908/04 陷阱 1/2）；NCP4307——TRIG 拉高 ≥100 µs 即“意外待机”、版本档位与振铃周期错配（NCP4307/04 陷阱 5/4）；MP6922——RCP 分压激进误触发/保守不触发、消隐期内硬关（同步周期 <1 µs）（MP6922/04 陷阱 4/8）；TEA1995T——A/B 对角脚位接反、5 V 口径用标准管半开发热（TEA1995T/04 陷阱 3/4）。

与其他拓扑的取舍

关断延迟 ↔ 倒灌电流是 SR 的核心预算：SR 关断总延迟每差 100 ns = 1.5 A 倒灌（12 V/15 A LLC、过零斜率 14.8 A/µs；本库推算，复算口径 I=斜率×Δt；同口径 45 ns→≈0.67 A 见 MP6922/02 §3.3、03 第 8 步）。对照：总关断延迟 300 ns 级的慢控制器在同斜率下倒灌 4.4 A，中心抽头两臂构成回路、轻则效率凹陷重则直通炸管（MP6922/02 §3.3）。
体二极管先行导通承担整流的窗口：开通沿上体二极管先行导通承担整流的时长＝开通延迟＋栅压建立——MP6908 约 60 ns（6.5 A×0.7 V×60 ns×100 kHz≈2.7 mW，可忽略，“开通沿不必更快”）（MP6908/02 §5）；MP6922 10 nF 档 250 ns 延迟末电流已达 ~3.7 A、二极管段损耗 32 mW/通道（MP6922/02 §3.1）；TEA1995T 口径：迟到的开通按 0.7 V 体二极管压降计入损耗（TEA1995T/03 步骤 3）。开通沿不必过快、关断沿才是预算重心——四家都把灌电流/下拉能力重点配置在关断上（本库归纳，数值随注）。
关断阈值的最后一段：NCP4307 0 mV 判据 vs 竞品 −10~−5 mV（1 mΩ 管，最后 10 A 转由体二极管独自承担 0.7 V 压降）（NCP4307/02 §4.1）；MP6908/MP6922/TEA1995T 用调节环令栅极关断前预放电，收窄这一段（MP6908/02 §8；MP6922/02 §3.2；TEA1995T/02 §5.3）——“栅极状态与阈值位置是配套设计，不能拆开单看某一个数”（MP6908/02 §8，机理推断）。另有封装电感使压降抬升为正造成的提前关断：NCP4307 算例 1.5 nH×3.2 A/µs≈4.8 mV → 提前关断 ~1 A，选管须看封装电感参数（NCP4307/03 步骤 2）。
反激 vs LLC 的投入点不同：反激 SR 的投入在“别误开”（防误开通判据），LLC SR 的投入在“及时关＋轻载闭嘴”（快关断＋TLL＋RCP）——两族 IC 不可互换（MP6922/02 §1 工况对照表）。
与初级侧的分工：LLC 初级方案见 HR1000A/NCP1399（官方 180 W 平台即 HR1000A＋MP6922 同板，MP6922/RM）；初级侧直控 SR 时序（防直通最彻底）的架构见 07 族（如 UCC28781，MP6908/RM）。
换成 SR 的收益量化：MP6922 平台 5.25 W/管（体二极管 7.5 A×0.7 V）→ 0.70 W/管（5 mΩ SR），整机省约 5% 效率（MP6922/03 第 1 步）；NCP4307 65 W 例二极管 ≈2.3 W → SR ≈0.22 W，Δη≈2.8 个百分点（NCP4307/03 步骤 7）；MP6908 65 W 例肖特基 1.6 W → SR ≈0.2 W，约 2.2 个百分点（MP6908/03 步骤 3）。