PC817 家族数据手册全译 —《Photocoupler LTV-817/827/847 Series》
原文：LITE-ON Technology Corp. / Optoelectronics《Photocoupler LTV-8x7 Series Product Data Sheet》，Spec No. DS-70-96-0016，Effective Date 2017-08-09，Revision O（LITE-ON DCC RELEASE BNS-OD-FC001/A4，内页编号 BNC-OD-FC002/A4），共 18 页（封面 + 内页 1/17~17/17），原文 PDF：
90_资料源/光耦PC817_datasheet.pdf，版权归 LITE-ON Technology。 型号甄别（先读）：源文件名为“PC817”，原文实为 Lite-On LTV-817/827/847 系列手册——即业界通称“PC817 家族”的 Lite-On 版本（PC817 是 Sharp 原厂命名，LTV-817 为同规格兼容型号；全库 EVM 文档以“PC817”泛指这一 4 脚晶体管输出光耦家族，引脚与 CTR 分档习惯一致。两厂电气数值是否逐项等同，以所选厂家手册为准——待核实）。本篇按原文实际内容全译 LTV-8x7。 本篇为全文忠实精译：覆盖原文全部 10 章（描述与特性、封装尺寸、编带尺寸、额定值与特性、CTR 分档表、特性曲线图 1~11、焊接温度曲线、推荐焊盘、命名规则、注意事项）。图与封装图均为版式插图，逐图标“见原 PDF 图 N（内页 X/17）”并附图内可读信息。
本篇与库内文档的关系
03_环路补偿与TL431光耦 讲的是 TL431+光耦环路的通用方法论（CTR 三层散差、光耦极点、RLED 取值）；本篇是原厂定量展开——那只“817”的所有器件级数字都出自这里：
- CTR 分档表（§5）＝环路教程 §4.3“档位散差”一行的原始出处：L/A/B/C/D 五档 50~600%，测试条件 IF=5 mA、VCE=5 V、Ta=25 ℃；
- 图 7 相对 CTR-温度曲线＝温漂一行的器件级曲线（低温只掉 ~10%、高温 100 ℃ 掉 ~40%，与教程“业界经验”口径的差异见 §6.7 译注）；
- 图 9 暗电流曲线＝低温/高温漏电核算；fc=80 kHz、tr/tf=4/3 µs（RL=100 Ω）＝“光耦极点”话题的 DS 基线（环路极点位置主要由初级上拉电阻决定，见环路教程 §4.5）；
- VCEO=35 V / Viso=5000 Vrms / Riso≥5×10¹⁰ Ω＝全库隔离方案的器件事实底座。
正文遇到环路设计接口处以「参见环路补偿与TL431光耦」做内链注。
译注约定（先读）
- 原文 PDF 为版式化排印，文本提取存在字形/单位粘连（如
m与µ、W与Ω），已逐一对照原 PDF 还原，还原清单见文末译者附注； - 原文自身排版问题保持原样并加译注（如 §9 命名规则的 CTR 档位列举与 §5 分档表不一致、§10 注意事项两条重复）；曲线图上的具体读数为读图近似值，均标注「读图」，设计取值以原图为准；
- 原文未提供 CTR 寿命老化曲线——老化要点为库内口径补充（§11，明确标注来源，非 DS 内容）。
1. 描述（DESCRIPTION，内页 1/17）
1.1 特性（Features，全译）
- 电流传输比（CTR）：最小 50% @ IF=5 mA、VCE=5 V；
- 高输入-输出隔离电压（Viso = 5000 Vrms）；
- 响应时间（tr：典型 4 µs @ VCE=2 V、IC=2 mA、RL=100 Ω）；
- 双列直插封装（Dual-in-line package）：LTV-817 单通道／LTV-827 双通道／LTV-847 四通道；
- 宽引脚间距封装（Wide lead spacing）：LTV-817M／827M／847M（1/2/4 通道）；
- 表贴封装（Surface mounting）：LTV-817S／827S／847S（1/2/4 通道）；
- 编带卷盘包装（Tape and reel）：LTV-817S-TA／817S-TA1／817S-TP（单通道）、LTV-827S-TA／827S-TA1（双通道）；
- 安全认证：UL 1577；VDE DIN EN60747-5-5（VDE 0884-5）；CSA CA5A；CQC GB4943.1-2011 / GB8898-2011（满足海拔 5000 m）；北欧认证（FIMKO/NEMKO/SEMKO/DEMKO）；BSI；
- RoHS 合规：全部材料符合欧盟 RoHS 指令（No. 2011/65/EU）；
- ESD：通过 HBM 8000 V / MM 2000 V；MSL 1 级。
1.2 应用（Applications，全译）
- 需要高密度安装的混合基板（Hybrid substrates）；
- 可编程控制器（Programmable controllers）。
（译注：原文“Applications”仅此两条——本器件在开关电源里的头号用途“跨越隔离带传反馈”未列于原文，属业界通行用法；环路侧的完整方法学参见03_环路补偿与TL431光耦。）
2. 封装尺寸（PACKAGE DIMENSIONS，内页 2~4/17）
2.1 LTV-817（DIP-4）／2.2 LTV-817M（宽引脚间距 DIP-4）／2.3 LTV-817S（SMD-4）／2.4 LTV-827（DIP-8）／2.5 LTV-827M／2.6 LTV-827S／2.7 LTV-847（DIP-16）／2.8 LTV-847M／2.9 LTV-847S。均为机械图（尺寸标注 mm 与 inch 双单位），见原 PDF 内页 2/17~4/17 对应图。喷码注释（三页一致，全译）：
- 年份代码 2 位，例：2016 = 16；
- 工作周代码 2 位，范围 '01'~'53'；
- 工厂识别标记（W：中国-CZ 厂，Y：泰国厂）；
- 档位（Rank）可标可不标；
- “●” 表示无卤素选项（halogen free option）；
- “4” 或 “V” 表示 VDE 选项（仅 817 页有此条，827/847 页无——原文如此）。
（尺寸单位为毫米（英寸）。）
3. 编带尺寸（TAPING DIMENSIONS，内页 5~7/17）
3.1 LTV-817S-TA / 3.2 LTV-817S-TA1 / 3.6 LTV-827S-TA / 3.7 LTV-827S-TA1 共用一张表；3.4 LTV-817S-TP 载带方向不同、仅 P1 一行不同。合并全译：
| 项目 | 符号 | TA/TA1 型 | TP 型（817S） |
|---|---|---|---|
| 编带宽度 | W | 16±0.3 mm (0.63) | 16±0.3 mm (0.63) |
| 链孔间距 | P0 | 4±0.1 mm (0.15) | 4±0.1 mm (0.15) |
| 腔体中心距 | F | 7.5±0.1 mm (0.295) | 7.5±0.1 mm (0.295) |
| 腔体间距 | P2 | 2±0.1 mm (0.079) | 2±0.1 mm (0.079) |
| 腔体到腔体距离 | P1 | 12±0.1 mm (0.472) | 8±0.1 mm (0.472) |
3.3 / 3.5 / 3.8 每卷数量（Quantities Per Reel）：TA/TA1 型 1000 pcs；TP 型 2000 pcs。
4. 额定值与特性（RATING AND CHARACTERISTICS，内页 8~9/17）
4.1 绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings，Ta=25 ℃，全表）
| 侧 | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入 | 正向电流 | IF | 50 | mA |
| 输入 | 反向电压 | VR | 6 | V |
| 输入 | 功耗 | P | 70 | mW |
| 输入 | 峰值正向电流（100 µs 脉冲、100 Hz 频率） | IFP | 1 | A |
| 输入 | 热阻（结-环境） | Rth J-A | 325 | ℃/W |
| 输入 | 热阻（结-壳） | Rth J-C | 200 | ℃/W |
| 输出 | 集电极-发射极电压 | VCEO | 35 | V |
| 输出 | 发射极-集电极电压 | VECO | 6 | V |
| 输出 | 集电极电流 | IC | 50 | mA |
| 输出 | 集电极功耗 | PC | 150 | mW |
| 输出 | 总功耗 | Ptot | 200 | mW |
| 共通 | 隔离电压¹ | Viso | 5000 | Vrms |
| 共通 | 工作温度（LTV-827/847） | Topr | −30 ~ +100 | ℃ |
| 共通 | 工作温度（LTV-817） | Topr | −55 ~ +110 | ℃ |
| 共通 | 储存温度 | Tstg | −55 ~ +125 | ℃ |
| 共通 | 焊接温度 | Tsol | 260 | ℃ |
脚注 1（全译）：隔离电压按 AC、1 分钟、相对湿度 40~60% 条件考核，测量方法如下：(1) 初级侧阳极-阴极短路、次级侧集电极-发射极短路；(2) 使用带过零电路（zero-cross circuit）的耐压测试仪；(3) 施加电压波形为正弦波。
（译注：LTV-817 的工作温度上限 110 ℃ 比双/四通道的 100 ℃ 高——原文未给原因，推断与单通道封装热密度较低有关，待核实。）
4.2 电气光学特性（ELECTRICAL OPTICAL CHARACTERISTICS，Ta=25 ℃，全表）
| 类 | 参数 | 符号 | Min. | Typ. | Max. | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入 | 正向电压 | VF | — | 1.2 | 1.4 | V | IF=20 mA |
| 输入 | 反向电流 | IR | — | — | 10 | µA | VR=4 V |
| 输入 | 端子电容 | Ct | — | 30 | 250 | pF | V=0，f=1 kHz |
| 输出 | 集电极暗电流 | ICEO | — | — | 100 | nA | VCE=20 V，IF=0 |
| 输出 | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | 35 | — | — | V | IC=0.1 mA，IF=0 |
| 输出 | 发射极-集电极击穿电压 | BVECO | 6 | — | — | V | IE=10 µA，IF=0 |
| 传输 | 集电极电流 | IC | 2.5 | — | 30 | mA | IF=5 mA，VCE=5 V |
| 传输 | 电流传输比¹ | CTR | 50 | — | 600 | % | IF=5 mA，VCE=5 V |
| 传输 | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | — | 0.1 | 0.2 | V | IF=20 mA，IC=1 mA |
| 传输 | 隔离电阻 | Riso | 5×10¹⁰ | 1×10¹¹ | — | Ω | DC 500 V，40~60% R.H. |
| 传输 | 浮动（隔离）电容 | Cf | — | 0.6 | 1 | pF | V=0，f=1 MHz |
| 传输 | 截止频率 | fc | — | 80 | — | kHz | VCE=5 V，IC=2 mA，RL=100 Ω，−3 dB |
| 传输 | 响应时间（上升） | tr | — | 4 | 18 | µs | VCE=2 V，IC=2 mA，RL=100 Ω |
| 传输 | 响应时间（下降） | tf | — | 3 | 18 | µs | VCE=2 V，IC=2 mA，RL=100 Ω |
脚注 1（全译）：CTR = IC / IF × 100%。
（译注：CTR 50~600% 是“LTV-817 不分档（No Bin）”的整机范围；按档交付时范围收窄，见 §5。这两行与“集电极电流 IC 2.5~30 mA”是同一测试条件下的三种表述。）
5. CTR 分档表（RANK TABLE OF CURRENT TRANSFER RATIO，内页 10/17，全表）
测试条件（原文表注）：IF=5 mA，VCE=5 V，Ta=25 ℃。
| 型号 | CTR 分档 | Min (%) | Max (%) |
|---|---|---|---|
| LTV-817 | L | 50 | 100 |
| LTV-817 | A | 80 | 160 |
| LTV-817 | B | 130 | 260 |
| LTV-817 | C | 200 | 400 |
| LTV-817 | D | 300 | 600 |
| LTV-817 | L 或 A 或 B 或 C 或 D | 50 | 600 |
| LTV-817 | No Bin（不分档） | 50 | 600 |
| LTV-827 | B | 130 | 260 |
| LTV-827 | C | 200 | 400 |
| LTV-827 | D | 300 | 600 |
| LTV-827 | BC | 130 | 400 |
| LTV-827 | CD | 200 | 600 |
| LTV-827 | No Bin | 50 | 600 |
| LTV-847 | BC | 130 | 400 |
| LTV-847 | CD | 200 | 600 |
（译注 1：相邻档约 1.6~2 倍的跨档比，就是03_环路补偿与TL431光耦 §4.3“档位散差”的定量出处——同型号不同档的环路增益差 2 倍以上，RLED 必须按所用档位的下限设计。） （译注 2：L 档为 Lite-On 命名；业界常说的“PC817 后缀 A/B/C/D”与本表 A~D 档一致，L 档及双/四通道的 BC/CD 合并档为该家族的交付选项。Sharp 原厂分档范围是否与本表逐项等同——待核实。） （译注 3：§9 命名规则中 CTR RANK 栏只写“(A, B or none)”，与本章 L~D 五档不一致——原文两处如此，推断命名栏仅为示例性列举，订货时应以本章分档表为准。）
6. 特性曲线（CHARACTERISTICS CURVES，内页 11~12/17，图 1~11 逐图）
见图 1（内页 11/17）Forward Current vs. Ambient Temperature：IF 降额曲线。−60~约 +75 ℃ 平台段保持 50 mA（读图），之后线性下降，+110 ℃ 降至约 10 mA（读图）——高温段每 ℃ 约 1 mA 的输入降额。 见图 2（内页 11/17）Collector Power Dissipation vs. Ambient Temperature：PC 降额。−60~约 +65 ℃ 平台段 150 mW（读图），之后线性下降，+110 ℃ 约 20 mW 量级（读图）。 见图 3（内页 11/17）Collector-emitter Saturation Voltage vs. Forward Current：VCE(sat)-IF 曲线族，IC=0.5/1/3/5/7 mA 五条，Ta=25 ℃；纵轴 0~6 V、横轴 IF 0~15 mA。IC 越大 VCE(sat) 越高。 见图 4（内页 11/17）Forward Current vs. Forward Voltage：IF-VF 特性（对数-线性），TA=115/75/25/0/−55 ℃ 五条曲线；纵轴 IF 0.1~100 mA、横轴 VF 0.6~1.6 V。同 VF 下高温电流更大——LED 正向压降负温度系数（读图，约 −1~−2 mV/℃ 量级，待核实）。 见图 5（内页 11/17）Current Transfer Ratio vs. Forward Current：CTR-IF 归一化曲线（归一化到 IF=5 mA，VCE=5 V，TA=25 ℃）。0.1 mA 处仅约 0.1（读图），随 IF 上升，在 5~10 mA 附近达到峰值（略高于 1 倍，读图），>20 mA 后回落，100 mA 处约 0.6~0.7（读图）。这就是“IF 工作平坦区选 2~10 mA”的曲线依据（参见环路教程 §4.6）。 见图 6（内页 11/17）Collector Current vs. Collector-emitter Voltage：IC-VCE(non-sat) 输出特性族，IF=1/5/10/20/30 mA，TA=25 ℃；纵轴 IC 0~80 mA、横轴 VCE 0~10 V，虚线为 Pc(MAX) 功耗边界。饱和区在 VCE<0.2 V 量级，线性区电流随 IF 阶梯抬升。 见图 7（内页 12/17）Relative Current Transfer Ratio vs. Ambient Temperature：相对 CTR-环境温度（归一化到 IF=5 mA、VCE=5 V、TA=25 ℃）。曲线：−55 ℃ 约 0.9，25~40 ℃ 附近峰值约 1.05，此后单调下滑，+100 ℃ 约 0.6、+110 ℃ 约 0.55（均为读图近似）。 见图 8（内页 12/17）Collector-emitter Saturation Voltage vs. Ambient Temperature：VCE(sat)-温度，IF=5/10/20 mA、IC=1 mA 三条，纵轴 0.02~0.14 V。三族曲线均随温度单调上升（深度饱和开关应用的高温核算）。 见图 9（内页 12/17）Collector Dark Current vs. Ambient Temperature：ICEO-温度，VCE=20 V；−25~+125 ℃ 横跨约 6 个数量级（10⁻¹¹~10⁻⁵ A，读图），近似每 25 ℃ 一个数量级（读图）——高温下暗电流不再是“可忽略的 nA”。 见图 10（内页 12/17）Response Time vs. Load Resistance：响应时间-负载电阻，VCE=2 V、IC=2 mA、TA=25 ℃；tr/tf/td/ts 四条曲线，横轴 RL 0.05~10 kΩ（对数）、纵轴 0.2~500 µs（对数）。tr/tf 随 RL 增大而拉长——反馈通道的上拉电阻越大，光耦自身越慢。 见图 11（内页 12/17）Frequency Response：频率响应，VCE=2 V、IC=2 mA、TA=25 ℃，RL=100 Ω/1 kΩ/10 kΩ 三条；纵轴电压增益 Av 0~−20 dB、横轴 0.5~500 kHz。RL=100 Ω 时 −3 dB 约 80 kHz（对应 §4.2 表值 fc typ.）；RL 越大截止频率越低（读图，1 kΩ 约十几 kHz、10 kΩ 数 kHz 量级——读图近似）。此即“20 kΩ 上拉 → 光耦极点 ≈1.6 kHz”的外推基准（外推推法与两项核算对比参见03_环路补偿与TL431光耦 §4.5）。 附图（内页 12/17）：响应时间测试电路（脉冲输入，输出定义 10%/90% 电平，标注 td/tr/ts/tf）与频率响应测试电路（信号源 + 偏置 + RL 取输出）。
7. 焊接温度曲线（TEMPERATURE PROFILE OF SOLDERING，内页 13~14/17）
7.1 IR 回流焊（符合 JEDEC-STD-020C）
推荐在下列温度-时间曲线内一次回流焊接；焊接不超过 3 次。
| 曲线项目 | 条件 |
|---|---|
| 预热 — 温度下限 (TSmin) | 150 ℃ |
| 预热 — 温度上限 (TSmax) | 200 ℃ |
| 预热时间 (ts) | 90±30 s |
| 焊接区温度 (TL) | 217 ℃ |
| 焊接区时间 (tL) | 60 s |
| 峰值温度 (TP) | 260 ℃ |
| 升温速率 | 最大 3 ℃/s |
| 降温速率 | 3~6 ℃/s |
曲线示意（内页 13/17）：25 ℃ → 预热 150~200 ℃ 维持 60~120 s（ts 标注 90±30 s）→ 217 ℃ 以上保持 60 s（tL）→ 峰值 260 ℃（约 20 s 内）→ 降温段 35~70 s。
7.2 波峰焊（符合 JEDEC22A111）
推荐在下列温度条件下焊接一次：焊接温度 260 +0/−5 ℃；时间 10 s；预热温度 25~140 ℃；预热时间 30~80 s。
7.3 烙铁手焊
每道工序只焊单侧引脚，推荐一次焊接：温度 380 +0/−5 ℃；时间最长 3 s。
8. 推荐焊盘图形（RECOMMENDED FOOT PRINT PATTERNS，内页 15/17）
8.1 4 脚封装（LTV-817 系）；8.2 8 脚封装（LTV-827 系）；8.3 16 脚封装（LTV-847 系）——三张焊盘尺寸图，尺寸单位毫米。见原 PDF 内页 15/17。
9. 命名规则（Naming rule，内页 16/17，全译）
带连字符形式：LTV-8X7(1)-(2)-(3)-G（DEVICE PART NUMBER）：
- (1) 无后缀 = 双列直插封装；M = 宽引脚间距封装；S = 表贴封装；
- (2) 编带类型（TA、TA1、TP 或无）：LTV-817 与 LTV-827 提供编带卷盘方案，编带朝向见第 5~7 页；
- (3) CTR 档位（A、B 或无）：参见第 10 页 CTR 表；
- (4) 无卤素选项（G）。
示例：LTV-817S-TA1-A-G。
无连字符形式：LTV8X7(1)(2)(3)-V-G：第 (1)(2)(3) 项与上式相同，第 (4) 项为 VDE 订货选项（V），第 (5) 项为无卤素选项（G）。示例：LTV817STA1A-V-G。
（译注：命名规则中 CTR RANK 栏只写“(A, B or none)”，与 §5 分档表 L~D 五档不一致——原文两处如此，推断命名栏仅为示例性列举，订货时应以 §5 分档表为准；两处示例均只演示到 A 档，C/D/L 档订货写法按同一格式类推——推断，待核实。）
10. 注意事项（Notes，内页 17/17，全译）
- Lite-On 持续改进质量、可靠性、功能或设计，保留不经另行通知修改的权利；本出版物所示产品面向一般电子应用（办公自动化设备、通信设备、音视频设备、电器应用与仪器仪表）设计；用于高可靠性或高安全性设备/装置（航天应用、核电控制设备、医疗设备等）时，请联系我们的销售代表；任何“特定（specific）”应用需要器件时，请提前联系我们的销售；对本出版物内容如有疑问，请随时与我们联系；本文所述内容可能不经通知予以变更；不建议将器件本体浸入焊锡膏（Immerge unit's body in solder paste is not recommended）。
（译注：原文末两条“subject to change…”与“Immerge…”各重复出现两次——原文排版如此，此处合并为一遍并注明。）
11. 老化与寿命要点（库内口径补充——原文无此内容）
本节不是 DS 内容：原厂手册没有给出 CTR 随寿命衰减的曲线或量化指标（18 页全查无此项）。光耦老化核算在库内的口径如下，均标注来源：
| 项 | 口径 | 来源 |
|---|---|---|
| LED 光衰导致 CTR 寿命期内 −30%~−50%，高温 + 大 IF 加速 | 业界经验，10 年设计按此预算 | 03_环路补偿与TL431光耦 §4.3 |
| 档位×温漂×老化三层散差合计可达 5~6 倍；RLED 按“CTR 最低档×寿命末期×低温”定穿越频率，PM 按“最高档×高温×新机”复核 | 库内推导口径 | 同上 §4.3/§7.1 |
| DS 能给的只有“测试点”：CTR 标定在 IF=5 mA、VCE=5 V、25 ℃ | 手册事实（本篇 §4.2/§5） | 本篇 |
| 温漂形状：图 7 显示低温只跌 ~10%，高温 100 ℃ 跌 ~40% | 读图近似（本篇图 7） | 本篇 |
| 大 IF 直接加速光衰 → IF 平坦区取 2~10 mA、TL431 偏置 ≥1 mA 的双重含义 | 器件事实（图 5）＋业界经验 | 本篇＋环路教程 §4.2/§4.6 |
工程结论（库内口径）：散热与降额就是 CTR 寿命管理——IF 常态工作点越低、结温越低，寿命末期 CTR 剩余越多；“CTR 最低档×寿命末期×低温”决定环路增益下限，“最高档×高温×新机”决定上限，两端夹出的 RLED 才能同时过瞬态与稳定两关。
译者附注（全库视角）
- 章节对照：原文共 10 章（Description / Package Dimensions / Taping Dimensions / Rating and Characteristics / Rank Table of CTR / Characteristics Curves / Temperature Profile of Soldering / Recommended Foot Print Patterns / Naming rule / Notes），本篇逐章对应，无增删。
- 与库内文档的数字对接：CTR 分档表（§5）↔ 环路教程 §4.3 档位散差；图 7 ↔ 温漂角落（教程按“低温跌 20~40%”的保守经验做角落，本 DS 实测低温仅 −10% 左右、高温端才是大头——角落验证权重应向高温偏移）；图 11/图 10 ↔ 光耦极点与上拉电阻的关系（教程 §4.5）；VCEO 35 V/Viso 5000 Vrms ↔ 全库隔离方案器件事实。
- OCR/字形还原清单（txt 提取 → 原 PDF 实印）：图题拼写
Temperatute/Dissiption/Forword按原文原样保留于英文原注；额定表内o C/W→℃/W；RRECOMMENDED→RECOMMENDED（原文章题多印一个 R）；§2.3 注 6 的 “4”or“V” 仅见于 817 页。 - 待核实项汇总：LTV-817 与 Sharp PC817 的逐项数值等同性；L 档在 Sharp 命名体系中的对应；817 工作温度上限更高的原因；C/D 档订货写法示例。
上一级：光耦