Magnetics 粉芯产品目录·技术章节精译 — 金属粉芯：材料家族、损耗三法、选型流程与拟合公式

原文：Magnetics（Mag-Inc）《Powder Core Catalog》（210 页产品目录）。原文 PDF：90_资料源/电感磁芯_Magnetics_PowderCoreCatalog.pdf。 本篇只译技术章节（目录自印页码）：General Information/Introduction 材料家族（p.9~14）、Material Properties（p.15~16）、Core Identification/Inductance and Grading（p.17~18）、Core Coating（p.19）、Core Selection 选型流程与算例（p.20~22）、Powder Core Loss Calculation 损耗计算三法与三个算例（p.23~27）、Core Selector Charts 依据（p.28）、Permeability vs. DC Bias / Temperature 拟合公式（p.63~65、p.138）。 未译（产品型号表），见原 PDF：Core Locator 按型号索引（p.2~8）、各材料产品页的曲线族与订货页（p.11~14）、Core Selector 图（p.29~45）、Wire Table 线规表（p.46~47）、Permeability vs. DC Bias 曲线族（p.48~63）、Core Loss Density 损耗曲线族（p.66~111）、DC Magnetization 磁化曲线族（p.112~132）、各磁芯数据页（Core Data）、五金件（Hardware）与购买页。 与 04_电感深潜 的“铁氧体气隙 vs 金属粉芯”取舍表、“损耗双项核算”直接配套；铁氧体侧看 02_TDK铁氧体笔记全译。

译注约定（先读）

1. 原目录公式在 PDF 中为排版式，pdftotext 提取碎裂，已对照原页转录；“4r”即 4π（OCR 将 π 印作 r），全文径改并在此声明。
2. 损耗式 PL = a·Bpk^b·f^c 的单位口径：PL 单位 mW/cm³、Bpk 单位 Tesla、f 单位 kHz（原目录明确）。
3. DC 磁化拟合式 B = (a+bH+cH²)^x/(1+dH+eH²) 的分式与指数排布 OCR 存疑——「待核实」以原 PDF 为准（常数表本身数值清晰，照录）。
4. 表格均按原 PDF 字符列位核对后转录；曲线族内部刻度以原 PDF 为准。

1. 材料家族一览（Introduction，原目录 p.9~10）

Magnetics 粉芯是分布气隙磁芯。各家族要点（关键数字照录）：

• Kool Mµ®：铁合金粉制分布气隙芯，高温低损耗；近零磁致伸缩——滤波电感无可闻噪声的理想选择；高频下磁芯损耗显著低于铁粉芯，温升更低。Bsat = 10 500 gauss（1.05 T），比开气隙铁氧体 E 芯储能能力更强、芯更小；有超大芯型支持特大电流。
• Kool Mµ® MAX：铁-硅-铝合金，DC 偏置性能优于 Kool Mµ、损耗低；与其他合金粉芯一样高温无老化效应（对比铁粉芯的优势）。
• Kool Mµ® Hƒ：分布气隙合金粉，为 200~500 kHz 优化；损耗比 Kool Mµ 低约 35%，中高电流功率电感提效的性价比方案。
• Kool Mµ® Ultra：Magnetics 损耗最低的粉芯材料；DC 偏置优于 Kool Mµ、与 Hƒ 相当，损耗比 Hƒ 再低近 30%。
• XFlux®：6.5% 硅铁粉。损耗低于铁粉芯、DC 偏置优异；软饱和特性对比铁氧体是优势。低中频扼流圈、峰值负载电感量关键的场合理想。
• High DC Bias XFlux®：与标准 XFlux 同样高饱和，DC 偏置最高改善 20%——省匝数、降铜损、省成本。
• XFlux Ultra：同饱和，损耗改善 20%。
• High Flux：50% 镍 50% 铁合金粉环芯，高偏置能力；高功率、高 DC 偏置、高交流激磁幅值应用表现最优。Bsat 为 MPP 的 2 倍、铁氧体的 3 倍以上。
• Edge®：极致性能取向；对比 High Flux 损耗低约 40%、DC 偏置改善 30%。
• High DC Bias Edge®：Magnetics DC 偏置最高的材料，比标准镍铁 Edge 再高最多 20%。
• MPP（钼坡莫合金）：81% 镍、17% 铁、2% 钼环芯——损耗极低、Q 最高、温度稳定性最佳；高电阻率、低磁滞/涡流损耗；高直流磁化或高直流偏置后电感稳定性优异，高交流激磁下电感漂移极小。

总述：Magnetics 粉芯是真正的高温材料、无热老化。粉芯最常用于功率电感——开关电源滤波电感（DC 电感/扼流圈），也用于差模电感、boost/buck 电感与反激变压器。最低损耗选 Kool Mµ Ultra/Hƒ/Edge/MPP；DC 偏置主导的最小体积选 Edge/High Flux（磁通容量最高）；XFlux/XFlux Ultra 是 High Flux 的低成本替代（可接受其较高损耗与有限磁导率档时）；Kool Mµ/MAX 是偏置下经济选择。其他应用：高 Q 滤波、高可靠/高温电感与滤波器、大电流 CT、电信滤波、负载线圈。形状：环型、E、U、EQ、LP、EER、圆柱、方块、圆方块。

2. 应用与材料对比总表（原目录 p.10，全表照录）

（*号 = 该行最优选择。）

铁粉芯对照（低价替代家族）：磁导率 10~100；损耗最高；DC 偏置特性尚好；温度稳定性一般；温度额定较低；软饱和；零镍含量；成本最低。Kool Mµ 对比铁粉芯的四大优势：①磁芯损耗更低；②无热老化（制造不用有机粘结剂）；③近零磁致伸缩（治可闻噪声）；④磁导率随交流磁通密度的稳定性更好。

3. 材料特性（Material Properties，原目录 p.15~16）

µ vs T / B / f（典型）——“µ vs T 动态范围”（−50~+100 ℃）、“µ vs B 动态范围”（0~400 mT）、“60µ 平坦至”，全部材料额定 200 ℃（按磁导率逐档全表照录，每材料一行压缩转录）：

• Kool Mµ：14µ 0.6% / +0.6% / 20 MHz｜26µ 1.2% / +1.1% / 13 MHz｜40µ 1.9% / +1.7% / 9 MHz｜60µ 2.9% / +2.5% / 5 MHz｜75µ 3.7% / +3.1% / 4 MHz｜90µ 4.4% / +3.8% / 3 MHz｜125µ 6.2% / +5.2% / 2 MHz
• Kool Mµ MAX：14µ 0.3% / +0.9% / 27 MHz｜19µ 0.4% / +1.3% / 25 MHz｜26µ 0.6% / +1.7% / 22 MHz｜40µ 0.9% / +2.7% / 18 MHz｜60µ 1.3% / +4.0% / 13 MHz｜75µ 1.5% / +5.5% / 8 MHz
• Kool Mµ Hƒ：26µ 0.8% / +0.8% / 23 MHz｜40µ 2.0% / +1.25% / 31 MHz｜60µ 2.5% / +1.8% / 16 MHz
• Kool Mµ Ultra：26µ 0.14% / +5.0% / 3 MHz｜40µ 0.08% / −2.0% / 3.5 MHz｜60µ 0.4% / +3.0% / 3 MHz
• XFlux：19µ 0.5% / +7.1% / 6 MHz｜26µ 1.1% / +10.2% / 5 MHz｜40µ 2.0% / +13.2% / 4 MHz｜60µ 3.0% / +16.3% / 4 MHz｜75µ 3.7% / +20.3% / 2 MHz｜90µ 4.5% / +24.4% / 2 MHz｜125µ 6.2% / +28.5% / 1 MHz
• XFlux Ultra：26µ 1.3% / +1.0% / 3 MHz｜60µ 0.7% / +6.0% / 2.5 MHz
• Edge：26µ 0.9% / +0.8% / 22 MHz｜60µ 1.2% / +1.9% / 15 MHz｜75µ 1.5% / +0.2% / 10 MHz｜90µ 1.6% / +0.3% / 5 MHz｜125µ 2.0% / +0.5% / 2 MHz
• High Flux：14µ 1.5% / +5.0% / 3 MHz｜26µ 2.0% / +9.0% / 1.5 MHz｜60µ 2.6% / +13.5% / 1 MHz｜125µ 3.6% / +19.0% / 700 kHz｜147µ 4.8% / +22.0% / 500 kHz｜160µ 5.5% / +25.0% / 400 kHz
• MPP：14µ 0.7% / +0.4% / 4 MHz｜26µ 0.9% / +0.4% / 3 MHz｜60µ 1.0% / +0.8% / 2 MHz｜125µ 1.3% / +1.4% / 300 kHz｜147/160/173µ 1.5% / +1.9% / 200 kHz｜200µ 1.6% / +2.8% / 100 kHz｜300µ 1.6% / +4.5% / 90 kHz｜550µ 8.7% / +21.0% / 20 kHz

（读法：XFlux/High Flux 的“µ 随 B 上升”最猛（+13~+28%）——高 B 时磁导率不降反升；MPP/Edge 全档最平。）

居里温度 / 密度 / 热膨胀系数（60µ 密度）：Kool Mµ 500 ℃ / 5.8 g/cm³ / 10.8×10⁻⁶/℃；Kool Mµ MAX 500 ℃ / 6.5 / 10.8；Kool Mµ Hƒ 500 ℃ / 6.0 / 10.8；Kool Mµ Ultra 500 ℃ / 6.0 / 10.8；XFlux 700 ℃ / 6.9 / 11.6；XFlux Ultra 700 ℃ / 7.1 / 11.6；Edge 500 ℃ / 7.8 / 5.8；High Flux 500 ℃ / 7.6 / 5.8；MPP 460 ℃ / 7.8 / 12.9。

磁芯重量：其他磁导率的密度按 60µ 密度 × 系数——14µ 85%、19µ 89%、26µ 91%、40µ 96%、60µ 100%、75µ 102%、90µ 103%、125µ 105%、147/160/173µ 106%、200/300µ 107%、550µ 108%。

单位换算：A.T/cm = 奥斯特 ×0.795；奥斯特 = A.T/cm ×1.26；tesla = gauss ×0.0001；gauss = tesla ×10 000；gauss = mT ×10；cm² = in² ×6.452；cm² = 圆密尔 ×5.07×10⁻⁶。

4. 电感量与分级（Inductance and Grading，原目录 p.17~18）

测量值 vs 计算值：目录对每个磁芯给出 AL（单位 nH/T²，方块芯在标准 picture frame 下测）。标称计算电感：

$$L_N = A_L \cdot N^2 \cdot 10^{-3}\ (\mu H) \qquad \text{（AL 单位 nH/T²）}$$

Magnetics 的电感标准在 Kelsall 磁导计杯中测量；杯外实测电感因漏磁通与绕组电流产生的磁通而大于标称计算值——偏差与芯尺寸、磁导率、涂层厚度、线径/匝数及绕法有关：磁导率高于 125 且匝数 >500 时可忽略；磁导率/匝数越低越显著（例：C055930A2，125µ，1000 匝 +0.0%、100 匝 +3%、25 匝 +9%）。

漏感加项（按历史测试数据回归，均匀绕组假设，偏差可达 ±50%）：

$$L_{LK} = 0.292\,N^{1.065}\cdot\frac{A_e}{l_e}\ (\mu H) \qquad \text{（Ae 单位 mm²，le 单位 mm）}$$

原文算例：C055930A2（Ae=65.4 mm²，le=63.5 mm），AL=157 nH/T²，25 匝 → LN = 157×25²×10⁻³ = 98.1 µH；漏感加项 LLK = 0.292×25^1.065×(65.4/63.5) = 9.3 µH → 估计实测 L = LN + LLK = 107 µH。

公差与分级：粉芯按 ±8% 电感公差精密制造（Kelsall 杯 + 精密电桥）；OD <12.7 mm 的 Kool Mµ 公差更宽。C0 前缀的 MPP 与 High Flux（OD >4.65 mm）分级到 2% 电感带；OD ≤4.65 mm 的 C0 MPP 分级到 5% 带——高匝数紧公差电感可省调匝工序。分级标印（Grade Stamped ±8 → 实际偏差带与匝数偏差带对照，全表照录）：+8→+8~+7（匝 −4.0~−3.5）；+6→+7~+5（−3.5~−2.5）；+4→+5~+3（−2.5~−1.5）；+2→+3~+1（−1.5~−0.5）；0→+1~−1（−0.5~+0.5）；−2→−1~−3（+0.5~+1.5）；−4→−3~−5（+1.5~+2.5）；−6→−5~−7（+2.5~+3.5）；−8→−7~−8（+3.5~+4.0）。

5. 磁芯涂层与温度稳定（Core Coating，原目录 p.19）

环芯涂环氧涂层——坚韧、蜡封、防潮防化学、介电性能优异；OD ≤16.5 mm 也可涂 Parylene-C（AY）。

击穿电压（线-线）：A2 = 2000 VAC min（High Flux、Edge、MPP）、A7 = 2000 VAC min（Kool Mµ 全家、XFlux 全家）、AY = 600 VAC min、A9 = 8000 VAC min。A2/A7 按尺寸分档：OD ≤4.65 mm 1000 VAC；4.65<OD<17.27 mm 1250 VAC；17.27≤OD<26.92 mm 2000 VAC；OD ≥26.92 mm 3000 VAC。测试：两片加压金属网夹持（10 psi，模拟绕线压力），60 Hz RMS 电压 1.25×保证值抽检；A2/A7 样品（26.9 mm 及以上）测到 3750 V min，AY 样品 750 V min。可用 ≥4.65 mm 磁芯定制更高耐压涂层。

AY（Parylene）：内径收缩最小（表面不如环氧光滑）；目录全部成品尺寸按环氧（A2/A7）标注，AY 涂层的最大 OD/HT 各减 0.18 mm、最小 ID 加 0.18 mm。环氧涂层最高稳态工作温度 200 ℃；Parylene 130 ℃（可短时到 200 ℃，如过波峰焊）。粉芯高温运行不影响磁性能；Magnetics 粉芯材料可 200 ℃ 连续运行、无老化无损伤。

MPP 温度稳定化：标准 MPP 电感温度系数小幅为正（合金 µ-T 特性 + 分布气隙的热膨胀响应）。受控稳定化 W4/M4（靠合金化学调整，涂层本身无关）：规定温度范围内电感几乎零温度系数——W4：−55~+85 ℃、最大 0.50%；M4：−65~+125 ℃、最大 0.50%（M4 满足 W4 并可替代 W4）。判定例：2 mT/10 kHz 下测 −55~+85 ℃ 各温度点，最高与最低电感差 ≤25 ℃ 值的 0.50%。稳定化芯的平坦特性只在低驱动（<10 mT）下成立——功率扼流圈用稳定化芯没有收益；W4/M4 成本高于标准稳定化芯。

6. 电感磁芯选型流程（Core Selection，原目录 p.20~21）

限流电感（current-limited inductor）选芯只需两个已知量：带直流偏置所需的电感量 L（mH）与直流电流 I（A）。

1. 算 LI²（mH·A²）。
2. 在 Core Selector 图（p.29~45）横轴定位 LI²，垂直上交第一条位于磁导率对角线上方的芯尺寸线——即可用最小芯。
3. 磁导率线按标准档分段；选图上所列磁导率——AL 与 DC 偏置的最佳折衷。
4. 算匝数并迭代： (a) 从磁芯数据页取 AL（nH/T²），用最坏负公差（一般 −8%）算最小 AL；所需匝数 $$N = \sqrt{\frac{L\cdot10^3}{A_L}} \qquad \text{（L 单位 µH）}$$ (b) 算偏置场强（奥斯特）： $$H = \frac{4\pi N I}{l_e} \qquad \text{（le 单位 mm）}$$ (c) 从 µ vs DC 偏置曲线（p.48~63）或其拟合式读出该偏置下初始磁导率的跌落百分比； (d) 所需电感 × 跌落百分比 = 带偏置电感； (e) 初始匝数 ÷ 跌落百分比 = 新匝数（保证步骤 (b)(c)(d) 迭代后带偏置电感贴近目标）； (f) 按需重复 (b)(c)(d) 微调。
5. 选线径（Wire Table p.46~47）：占空比 <100% 可用细线、绕组因子可低，但芯尺寸不能因此缩小。
6. 设计核查：(a) 绕组因子（p.22）；(b) 铜损（p.22）；(c) 磁芯损耗（p.23~27）——若交流损耗发热过大/效率过低，设计变成“损耗限制”而非“偏置限制”，对策：换大芯或低磁导率芯压低交流磁通密度，或换低损耗材料（Kool Mµ→MPP/Kool Mµ MAX；XFlux→High Flux）；(d) 温升。温升没有精确普适公式，静止空气中近似： $$T(\,^{\circ}\mathrm{C}) = \left(\frac{\text{总损耗 (mW)}}{\text{器件表面积 (cm}^2\text{)}}\right)^{0.833}$$ 绕到 40% 填充的芯表面积随磁芯数据给出。

选型算例（原文全录）：要求带偏置最小电感 0.6 mH（600 µH）、DC 5.0 A。 ① LI² = 0.6×5.0² = 15.0 mH·A²；② 查 Kool Mµ 环芯 LI² 图（p.29）→ 选 0077083A7；③ 该芯 AL = 81 nH/T² ±8% → 最小 AL = 74.5 nH/T²；④ L=AL·N² → 空载 600 µH 需 90 匝。带载偏置 H = 4π×90×5.0/le = 57.5 Oe → 查 60µ Kool Mµ 曲线（p.48）得 72% 初始磁导率 → 调整匝数 90/0.72 = 125 匝；⑤ 以 125 匝重算偏置 79.8 Oe → 曲线读 58%；⑥ 最小 AL 74.5×0.58 = 有效 AL 43.2 nH/T² → 125 匝带 79.8 Oe 偏置时电感 = 125²×43.2×10⁻³ = 675 µH（最小值）——要求满足；⑦ 线表：500 A/cm² 电流密度下 5.0 A 需 17 AWG（1.177 mm²）→ 125 匝共 147.1 mm²，窗口 427 mm² → 绕组因子约 35%——可制造的设计。

7. 绕组因子与铜损（原目录 p.22）

绕组因子（填充因子） = 导体总截面（通常按铜）÷ 磁芯窗口面积；环芯 = N·AW/WA（N 匝数、AW 单线截面、WA 窗口面积）。环芯绕组因子 20~60%，许多应用典型 35~40%。实用绕法四档：单层（匝数受内圆周/线径限制；电容小、寄生可重复、散热好、成本低；功率承载低、漏磁多）；低填充（单层~30%，制造易、电容低）；满绕（30~45%，空间利用与制造成本的合理折衷）；高填充（可到约 65%，但常需特殊昂贵手段——残留孔过小后手工补绕）。

MLT 与 DCR：先按芯/线规/匝数算绕组因子，在线规表查该线规单位长度电阻，在磁芯数据页 Winding Turn Length 图上（必要时插值）查 MLT（平均匝长）→ DCR = MLT × N ×（Ω/Length）；单层绕组的 MLT 即数据页 0% 填充值，单层 DCR 也可直接查绕组表。

线损：DC 铜损直接 I²R（铝线用铝表；并计入电阻随温度的上升）。大纹波、高频率下 AC 铜损可观——但计算不直接，通常只能估算。

8. 粉芯损耗计算（Powder Core Loss Calculation，原目录 p.23~27）

磁芯损耗由材料内交变磁通场产生（没有磁材料的磁响应是完美高效的）。损耗密度 PL 是交流磁通摆幅之半（Bpk = ½ΔB）与频率 f 的函数，可查损耗曲线或用曲线拟合式：

$$P_L = a \cdot B_{pk}^{\,b} \cdot f^{\,c} \qquad \text{（PL: mW/cm³；Bpk: T；f: kHz）}$$

a、b、c 为曲线拟合常数（各材料各磁导率档的常数表随曲线族给出，p.66~111；如 60µ Kool Mµ：a=44.3、b=1.988、c=1.541）。损耗计算的任务就是从已知设计参数求出 Bpk——三种方法：

方法 1：从直流磁化曲线求 Bpk = f(H)

先算交流两端点的磁场强度（IDC 为直流电流、I 为交流峰-峰的一半——即纹波峰-峰值的一半）：

$$H_{AC\,max} = \frac{4\pi N\,(I_{DC} + I/2)}{l_e} \qquad H_{AC\,min} = \frac{4\pi N\,(I_{DC} - I/2)}{l_e}$$

再从 BH 曲线或拟合式（p.112~132）读出 B_AC max、B_AC min，则：

$$B_{pk} = \frac{B_{AC\,max} - B_{AC\,min}}{2}$$

算例 1（交流为直流的 10%）：20 匝绕在 Kool Mµ 0077894A7（60µ，le=63.5 mm，Ae=65.4 mm²，AL=75 nH/T²），电流 20 A DC + 2 A p-p @100 kHz。① H_AC max = 4π×20×(20+1)/63.5 = 83.1 Oe → B_AC max = 0.404 T；H_AC min = 75.2 Oe → B_AC min = 0.377 T；Bpk = (0.404−0.377)/2 = 0.014 T。② PL = 44.3×0.014^1.988×100^1.541 = 11.0 mW/cm³。③ 磁芯损耗 Pfe = PL×(le/10)×(Ae/100) = 11.0×6.35×0.654 ≈ 46 mW。

算例 2（交流为直流的 40%）：同一 20 匝电感、同 20 A DC，纹波 8 A p-p @100 kHz。H_AC max = 95.0 Oe → B_AC max = 0.441 T；H_AC min = 63.3 Oe → B_AC min = 0.331 T；Bpk = 0.055 T → PL = 168 mW/cm³ → Pfe = 698 mW。

算例 3（纯交流、无直流）：同一 20 匝电感、0 A DC、8 A p-p @100 kHz。H_AC max = +15.8 Oe → B_AC max = 0.092 T；H_AC min = −15.8 Oe → B_AC min = −0.092 T；Bpk = 0.092 T → PL = 466 mW/cm³ → Pfe = 1.94 W。

[译注：曲线拟合式对 B 的负值无效——对 |B| 求值后反转 H 的符号（原文注明）。]

原文要点：①磁芯损耗只来自交流激磁——直流偏置本身无论多大都不产生磁芯损耗；②对比算例 3 与算例 2：直流偏置显著影响磁芯损耗——偏置把工作点压到 BH 曲线低斜率段，同样纹波下 Bpk 更小；③低磁导率同样降低 Bpk（纹波不变时）——可用直流偏置实现，也可直接选低磁导率材料。

方法 2：小 H 时从带偏置有效磁导率近似 Bpk = f(µe, H)

BH 曲线瞬时斜率 = 绝对磁导率 = µ0（4π×10⁻⁷）× 材料 µ（沿曲线变化）。小交流激励下斜率可视为常数，用直流偏置点的有效磁导率 µe 近似：dB/dH = µ0·µe，故

$$B_{pk} = (0.5)\cdot\mu_0\cdot(\%\mu_i)\cdot\mu_i\cdot\frac{1000\,H}{4} \qquad \text{（H 为交流半摆幅的场强，Oe；1000 为 Oe 到 SI 的单位换算因子）}$$

其中 %µi（初始磁导率的百分比）由 DC 偏置曲线或拟合式给出。复算例 1：HDC = 4π×20×20/63.5 = 79.2 Oe → 拟合式 %µi = 0.58，µi = 60；H(交流) = 4π×20×2/63.5 = 7.9 Oe → Bpk = 0.5×(4π×10⁻⁷)×0.58×60×1000×7.9/4 = 0.014 T（与方法 1 一致）。复算例 2：H = 31.7 Oe → 0.055 T（一致）。复算例 3：HDC=0 → %µi = 1.0 → 0.095 T（vs 方法 1 的 0.092 T——小信号近似在无偏置时略偏高）。

方法 3：小 H 时从带偏置电感求 Bpk = f(L, I)

由法拉第定律 V = N·Ae·dB/dt = L·dI/dt，可得 B 与 L 的关系（L 随 I 非线性；小交流下斜率视为常数，用带偏置电感 LDC 近似）：

$$B_{pk} = \frac{L_{DC}\cdot I}{2\,N\,A_e} \qquad \text{（I 为交流峰-峰的一半）}$$

复算例 1：Lnoload = AL·N² = 75 nH/T²×20² = 30 µH；LDC(20A) = %µi×Lnoload = 0.58×30 = 17.4 µH → Bpk = 17.4×10⁻⁶×1 / (2×20×65.4×10⁻⁶) = 0.013 T（vs 方法 1 的 0.014 T、方法 2 的 0.014 T）。复算例 2：→ 0.053 T（vs 0.055/0.055）。复算例 3：LDC = Lnoload = 30 µH → 0.092 T（vs 0.092/0.095）。

三法互校后，用损耗曲线或拟合式查 PL（方法 1 与 2 的差异见原目录 p.27 图——方法 2 把 BH 曲线局部斜率线性化，偏置越深两者越接近）。

9. 选芯图的使用边界（Core Selector Charts，原目录 p.28）

选芯图是“DC 偏置应用下最优磁导率与最小芯尺寸”的快速指南，其隐含前提：偏置下磁导率（电感）跌幅 ≤50%；典型绕组因子环芯 40%、E/U 芯 60%、EQ 芯 75%（螺旋管圈假设）；交流电流相对直流很小；电流密度按材料 400~1000 A/cm²（Kool Mµ/Hƒ/Ultra/MPP 400，MAX/XFlux/XFlux Ultra/High Flux/Edge 600）。

反向提醒（原文原话精神）：若为大交流电流（相对直流）选芯——反激电感、buck/boost 电感——往往需要更大的芯来限制交流磁通造成的磁芯损耗：设计变成“损耗限制”而非“偏置限制”。加大功率的另一途径是叠芯：功率按比例增加——C055908A2 双叠后功率承载翻倍到约 400 mH·A²；加高芯型可订制。

10. 拟合公式集（原目录 p.63~65、p.138）

磁导率 vs DC 偏置（全材料全磁导率档系数表见 p.63~65）：

$$\%\,\mu_i = \frac{1}{a + b\,H^{\,c}} \qquad \text{（H 单位 Oe；仅曲线所示范围有效）}$$

60µ 档系数（环芯，照录）：

（读法：c 越大跌得越晚——Edge 的 c=3.044 意味着低偏置段几乎不跌，这正是“DC 偏置最优”的数学面。）

磁通密度 vs 磁场（DC 磁化曲线）：B = (a + bH + cH²)^x / (1 + dH + eH²)（B 单位 T、H 单位 Oe）——「待核实」指数排布以原 PDF 为准。系数例（High DC Bias XFlux，照录）：26µ a=6.175E-02、b=1.035E-02、c=1.920E-04、d=4.322E-02、e=1.167E-04、x=1.778；40µ a=6.362E-02、b=1.000E-02、c=2.079E-04、d=3.212E-02、e=1.276E-04、x=1.648；60µ a=6.481E-02、b=1.000E-02、c=2.277E-04、d=2.431E-02、e=1.361E-04、x=1.496。

磁导率 vs 温度（p.138，全材料系数表见原页）：

$$\frac{\mu_T - \mu_{25\,^{\circ}\mathrm{C}}}{\mu_{25\,^{\circ}\mathrm{C}}} = a + bT + cT^2 + dT^3 + eT^4$$

系数例（Kool Mµ，照录）：14µ a=−1.892E-03、b=9.866E-05、c=−1.966E-06、d=5.728E-09、e=−8.706E-14；60µ a=−5.590E-03、b=3.495E-04、c=−6.822E-06、d=2.772E-08、e=−3.192E-11；125µ a=−1.082E-02、b=7.039E-04、c=−1.368E-05、d=5.880E-08、e=−7.690E-11。

译者附注（全库视角）

1. 三法一张表（本篇 §8 的记忆锚点）：同一只 20 匝/60µ Kool Mµ/le·Ae 63.5×65.4 mm 电感 @100 kHz——纹波 2 A p-p（带 20 A 偏置）Bpk=0.014 T→46 mW；纹波 8 A p-p（带 20 A 偏置）Bpk=0.055 T→698 mW；纹波 8 A p-p（无偏置）Bpk=0.092 T→1.94 W。直流偏置不产损耗，但把 Bpk 压小 40 倍级——粉芯扼流圈“偏置即降压”的设计逻辑源头。
2. “损耗限制 vs 偏置限制”判据（§9）：纹波小（滤波/扼流）→ 按 LI² 选芯即可；纹波大（反激/boost/buck、CrM PFC）→ 先估 Bpk 查 PL，磁芯损耗可能先把芯顶到上限。这正是 04_电感深潜 §5 PFC 算例的出发点。
3. OCR/转写存疑点：①DC 磁化拟合式的分式/指数排布「待核实」；②方法 2 公式中的 1000/4 单位因子按原文代入例反推核对（0.5×4π×10⁻⁷×0.58×60×1000×7.9/4 = 0.014 T 与原文一致）；③损耗曲线族/磁化曲线族内部刻度以原 PDF 为准；④“High DC Bias XFlux 26µ 损耗拟合常数 a=443.53、b=2.015、c=1.312”与“Edge 26µ a=83.23、b=2.106、c=1.520”照录自材料页，其余材料常数表在曲线族页（未转录，见原 PDF p.66~111）。

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