EMI 滤波（Line Filter）——适配器/服务器电源进网的“第一道安检门”
类别定位
EMI 滤波是电源进电网的第一关：电网里的浪涌（雷击/操作过电压）、开关电源自己的开关噪声（传导 150 kHz~30 MHz、辐射 30 MHz~1 GHz）都在这一级被挡。它的物理位置在保险丝之后、整流桥之前，和 MOV、NTC、保险丝同居输入模块——MOV 管外部来的电压应力（并联泄放雷击浪涌）、NTC 管自己上电的电流应力（串联限流）、EMI 滤波管“噪声频谱”（X/Y 电容 + 共模/差模电感把开关频点的干扰压到限值以下）、保险丝管失效后的后续电流。四者分工见 00_总览 的输入保护配套组合示意，本篇把“X/Y 电容 + 共模电感 + 放电电阻”这一段补齐成显学。
器件层知识在库内已经铺好：X/Y 电容属于安规薄膜/瓷介（03_薄膜安规TDK全译 讲 X/Y 分类、自愈、AC 三区限值；Y 电容用 Class 1/C0G 的原因与其呼应）；共模电感的磁芯材料属于磁芯（02_TDK铁氧体笔记全译 有 EMI 应用磁芯章：环形磁芯、共模扼流圈、NiZn/MnZn 分工）；本篇 Würth ANP015 则给出从 LISN 测量到滤波器算尺寸再到实测定案的完整设计流程。
方法论出处：本文件夹 01_Wurth_ANP015全译 为 Würth《ANP015: 1-Phase Line Filter Design》（ANP015d 2024/06/03，21 页）全文精译——式 (1)~(40)、图 1~49 全录；含 LISN 共模/差模分解、单级/两级滤波器设计、压敏电阻选型、漏电流与放电电阻计算、共模电感磁芯材料。
关键数字速查（ANP015 口径）
| 参数 | 值 | 条件/出处 |
|---|---|---|
| LISN 测量电阻 | 50 Ω×2：DM 串联 100 Ω、CM 并联 25 Ω | §2.1（式 1/2） |
| 单级滤波器斜率 | 40 dB/decade（二阶 LC）；两级 80 dB/decade | §3/§4（式 3/10） |
| 单级算例 | f_SW=300 kHz 需 40 dB → f_CO = 30 kHz | 式 (5)；两级 → 95 kHz（式 12） |
| 两级截止频率 | f_CO1≈0.6×、f_CO2≈1.6× 有效截止频率；两峰须相隔 ≥1 倍频程（2:1） | 式 (13)(14) |
| CM 设计起点 | 参考测量后按“≥36 dB”；无预合规则按 ≥40 dB（CM+DM） 起步 | §2.2 |
| Y 电容漏电流 | 实用限值 3.5 mA（带保护导体常见应用）；式 (29) 例：4.7 nF 级 → 0.89 mA 量级 | §8（式 29~31） |
| 放电电阻 | 拔插后 1 s 内 V<60 V（IEC 60950/60335/62368）；例 2.52 µF/253 V → R_discharge<256 kΩ（复算 276 kΩ，待核实），取 240 kΩ，耗散 267 mW | §9（式 32~35） |
| 压敏电阻算例 | 2 kV/2 Ω 浪涌：I_G=1163 A → I_C1=653 A、I_Cmax=766 A；钳位 794~1020 V；W_max=12.9 Ws<140 Ws；T_cool=21.5 s<60 s | §7（式 19~28） |
| 8/20 µs 等效 | t_eq=0.5·T1+1.43·(T2−T1)=21.16 µs | 式 (20)~(22) |
| CMC 磁芯分工 | MnZn 50 kHz~5 MHz；NiZn 5 MHz~500 MHz；纳米晶 最宽带、无温度依赖 | §11（图 40~43） |
| “标称电感不是起始值” | 1 mH 纳米晶 1 MHz 处只剩 0.146 mH（Z=0.915 kΩ）、锰锌 0.62 mH（Z=3.91 kΩ） | §11（图 41） |
| 布局铁律 | Y2 参考地低电感（WA-SMST 螺柱）；CMC 下方不得铺铜；不走短桩线 | §10（图 36~38） |
与库内联动（跨 IC 检索入口）
- EVM 翻译的 EMI 实测节：库内 EVM 精译的输入模块就是 ANP015 的实板锚点——NCP1680/05_EVBUM2822精译_300W 的 EMI 前级“两级共模（2×35 mH/3.5 A＋2×7 mH/7 A）＋差模 150 µH”正是 §4 两级滤波器的选型口径（L3/L4 为 WE-CMBNC 纳米晶，见 §11 磁材）；NCP1568/05_EVBUM2734精译 的 T2 共模电感 6.5 mH（KEMET SCF-03-650）＋C4 220 nF X2（Würth 890334023028） 与 §3 单级计算、§9 放电式直接配套；NCP1680/05_EVBUM2886精译_图腾柱 的 EMI 滤波器模块（L101 共模 + L102 差模 + C101~103 差模电容 + CY101/102 Y 电容 + 压敏电阻 + 涌流旁路二极管）是“输入模块全家桶”的完整示例。
- 抖频（spread spectrum）与滤波器是同一预算：库内 IC 用抖频摊开开关频点能量——InnoSwitch3/README 的“ILIM 按 fM=1.25 kHz 在 100%~95% 调制 → ~7 kHz 频谱展开 @~100 kHz”、UCC28700/UC3842 系规格书与排查篇的抖频表述，正对应 ANP015 §3“开关频率低于频谱则按首个相关谐波设计”与 §5/§6“两级 350 kHz 起宽带多 30 dB”的取舍——抖频把能量摊进滤波器抑制带，抖频深度与滤波器阶数是同一份 EMI 预算的两面。
- 与电感磁芯 TDK 篇呼应：02_TDK铁氧体笔记全译 §4（EMI 应用磁芯，原 PDF 第 11~13 页：环形磁芯/共模扼流圈/NiZn 与 MnZn 分工）与 ANP015 §11 磁芯材料章互相印证——NiZn/MnZn 的分工在两篇都是“频率段决定材料”；ANP015 多讲“电感随频率/温度变化、要用 REDEXPERT 在工作频点读阻抗”（§11 图 41/42），TDK 篇多讲材料损耗与 AL 值。两篇一起读，共模电感的“材料→频率→电感量→插入损耗”链路才完整。
- 与电容家族联动：03_薄膜安规TDK全译（X/Y 安规分类、自愈、AC 三区限值）+ 02_MLCC铁电特性Wuerth全译（Y 电容若用 Class 2 瓷介须注意 DC-bias）——X 电容的“寿命期劣化”（ANP015 §3，电网浪涌致容值掉）正是薄膜自愈机理的宏观表现；X2 放电电阻（ANP015 §9）是薄膜 X2 电容安全性的器件层另一半。
- 与 MOV/NTC 联动：00_总览（同 X 侧防雷）+ 00_总览（上电浪涌）——ANP015 §7 的压敏电阻选型流程（2 Ω 最坏情况、钳位电压 < 半导体反向电压、40 次脉冲寿命校核）正是 MOV 类的“器件层选型主文献”；与 MOV 篇的 SIOV/Littelfuse 按“最大 AC 工作电压分档”同源。
本文件夹导航
| 篇 | 内容 | 出处（原文 PDF 在 90_资料源/） |
|---|---|---|
| 00_Wurth_ANP015全译.md | Würth ANP015 全文精译：LISN 预合规（CM/DM 分解）/单级与两级滤波器计算（式 3~18）/LTspice 仿真/EMC 实测/压敏电阻选型（式 19~28）/漏电流（式 29~31）/放电电阻（式 32~35）/布局要领/CMC 磁芯材料/WE-CLFS 集成滤波器 + BOM 表与极点分析（式 36~40） | EMI滤波_Wurth_ANP015_1PhaseLineFilterDesign.pdf（ANP015d 2024/06/03，21 页） |
存疑与待核实
- ANP015 §9 放电电阻算例原文 256 kΩ vs 本库复算 276 kΩ（约 8% 差异，见 00 篇译者附注，均导向 240 kΩ 标准值）。
- 原文式 (26) “794 kV” 为笔误（应为 794 V）；附录图 49 图题误复用图 45——见 00 篇译者附注。
- 图 33 寿命曲线、图 40~44 磁材曲线的具体刻度以原 PDF 为准，译稿只转录图题与判读结论。
- 全库收敛于 01_待核实与推断总表。