TDK《Ferrites and accessories — Application notes》（2022-10，39 页）全文精译 — 铁氧体磁芯：滤波/宽带/LAN/EMI/传感器/功率六大应用与选型体系

原文：TDK Electronics AG，《Ferrites and accessories — Application notes》，Date October 2022（条款页 Release 2022-07），共 39 页。原文 PDF：90_资料源/电感磁芯_TDK_FerritesApplicationNotes.pdf。 本篇为全文忠实精译：§1 滤波磁芯（含 640 µH 谐振电感完整算例）、§2 宽带变压器（k₃ 与 CDF 全表）、§3 LAN、§4 EMI（NiZn/MnZn 分工）、§5 电感式传感器、§6 功率应用（五大拓扑推荐、P_trans 公式与全部功率容量表＋热阻表）、注意事项、符号术语全表、重要说明。图逐标注“见原 PDF 图 N”。 本篇管“磁芯材料与形状本身”；“变压器怎么设计”（匝数/气隙/ΔB）见 02_反激变压器设计，两篇是同一设计的两半。

译注约定（先读）

1. 原文公式在 PDF 中为排版式，pdftotext 提取碎裂——已逐式对照原页转录，分式/求和号的精确排布以原 PDF 为准。
2. §6.5 功率容量大表原 PDF 为 8 材料列（N27/N41/N49/N72/N87/N92/N95/N97，ftyp 依次 25/25/500/25/100/100/100/100 kHz）；本稿经原 PDF 字符列位逐一核对后压缩为“芯型：N 材料=值”清单转录，只列原表非空项；空白 = 原表空白。热阻表同理压缩为“芯=Rth”清单。
3. 原文笔误照录：§6.5 “topolgy”（=topology）。图 10~24 为矢量图/曲线/照片；其中 12 张已从原 PDF 裁出并就地嵌入（img/ 目录下 fer_fig*.png…，取结构剖面/特性曲线/应用电路优先）——图 10、11、14、15、16、18、19、20、21、22、23、24；其余仍只转录图题与可读参数，曲线内部刻度以原 PDF 为准。

1. 滤波应用磁芯（原 PDF 第 2~4 页）

1.1 滤波/谐振电路用开气隙磁芯（第 2 页）

基本要求：低 tan δ；AL 值公差紧；温度系数公差紧；低减落因子 DF；调整范围宽。因此开气隙磁芯总用于高品质因数电路（材料见应用总览表）。小气隙（最大 0.2 mm）可只磨在半个磁芯上——带磨制气隙的半芯印字，另一半空白。

气隙的作用：把小信号区的损耗与温度系数按 µe/µi 比例压缩；更重要的是能实现很紧的 AL 公差。磨气隙磁芯的额定 AL 见各自 datasheet；单芯数据还给出有效磁导率 µe，用于从环芯特性近似推算有效损耗因子 tan δe 与有效磁导率温度系数 αe（见材料特性表）。

气隙的副作用（与开关电源直接相关）：气隙较大时，气隙紧邻区的杂散磁场会在铜绕组中引起附加涡流损耗。线圈品质要求苛刻时，建议在邻近气隙的那段绕组下方垫数层聚苯乙烯、尼龙带甚至 FPC 薄膜；三段骨架即中段贴近气隙的部位。

见原 PDF 图 10（第 2 页）：P 或 RM 磁芯对（总气隙 s）构造示意——两个磁芯半（1、2）、螺纹套（3）、加垫绕组（4）。

1.2 带螺纹套的 P/RM 磁芯（第 3 页）

多数 P/RM 磁芯出厂已胶粘螺纹套。TDK 全自动点胶与定位，粘接力定期抽检——含 40 ℃/93% 相对湿度（IEC 60068-2-3-78）4 天湿热与 3 周周期测试。Φ2 mm 孔（如 RM 5）常规粘接力 20 N、Φ3 mm 孔（如 P 14×11、RM 6）30 N，实测均值远超、达 >100 N；同心度持续受控。受控自动化流程比手工点胶可靠得多。铁氧体多孔，硬化胶渗入的结构应力无法完全避免——相对温度系数 αF 可能增大约 0.2×10⁻⁶/K。

1.3 谐振电路电感的典型计算（第 3~4 页，完整算例）

设计一只 SIFERRIT 罐形磁芯电感：L = 640 µH、500 kHz 下最小 Q = 400（tan δL = 1/Q = 2.5×10⁻³）、αe 在 +5~+55 ℃ 内 100×10⁻⁶/K。

a) 选材料：查材料特性表与 tan δ/µi 曲线，500 kHz 可用 M33。 b) 选 AL 值：Q 与温度系数要求 → 开气隙罐形芯。M33 的 αF 平均约 1.6×10⁻⁶/K；要求 αe ≈ 100×10⁻⁶/K，则有效磁导率：

$$\mu_e = \frac{\alpha_e}{\alpha_F} = \frac{100\times10^{-6}/\mathrm{K}}{1.6\times10^{-6}/\mathrm{K}} = 62.5 \qquad \text{（式 (1)，第 3 页）}$$

查表：罐形 P 18×11（B65651）在 AL = 100 nH 时 µe = 47.9；P 22×13（B65661）在 AL = 100 nH 时 µe = 39.8。 c) 选绕组线：500 kHz 附近特别适合利兹线 20×0.05、单层天然丝包：含绝缘总外径 0.367 mm、平均电阻率 0.444 Ω/m（利兹线表）；建议实测总外径后按实测值计算。 d) 匝数与磁芯型式：AL = 100 nH、L = 640 µH，N = (L/AL)^(1/2) = 80 匝。骨架列线图：0.367 mm 线在 P 18×11 两段骨架可轻松容纳 80 匝——该芯配单段骨架即可。 e) 线长与直流电阻：平均匝长 lN = 35.6 mm → 80×35.6 = 2848 mm，加两端引线 2×10 cm 共 3.04 m；DCR = 3.04 m × 0.444 Ω/m ≈ 1.35 Ω。注意：datasheet 的 lN 指绕满骨架的平均匝长，未绕满须按实际绕宽修正。 f) 温度系数复核：P 18×11、AL = 100 nH 的 µe = 47.9；M33 αF ≈ 1.6×10⁻⁶/K，则

$$\alpha_e = \mu_e \cdot \alpha_F = 47.9 \times 1.6\times10^{-6}/\mathrm{K} = 76.6\times10^{-6}/\mathrm{K} \qquad \text{（式 (2)，第 4 页）}$$

实测 90×10⁻⁶/K。要点：罐形芯磁通几乎全在芯内，空芯线圈温度系数影响极小；但 µe < 80 时绕组影响引入约 (10~30)×10⁻⁶/K 附加温度系数，必须计入。

2. 宽带变压器磁芯（原 PDF 第 5~8 页）

一般要求：高 AL（高有效磁导率）限制匝数；宽带特性好（直到尽量高频仍高阻抗）；低总谐波失真（低磁滞材料常数 ηB）；对叠加直流不敏感（TC 与 BS 尽量高）；高频应用低 tan δ。

2.1 精磨无气隙磁芯（第 5 页）

数字通信匹配变压器、脉冲信号变压器等用闭磁路磁芯（环型、双 E、双孔）或无气隙配对芯。为获得最高有效磁导率，这类芯精磨到残余气隙 s ≈ 1 µm；选低矮芯型可再提高 AL、减少匝数。N30、T38、T46 材料的 RM 与罐形芯特别适合；高频应用选 N22、M33、K1。

2.2 10 kHz 至 1 GHz 以上宽带变压器基础——示例（第 5~6 页）

宽带变压器主要用闭磁路形状（环型、双孔）；分体芯（P/RM 或小 E/ER）绕线更简单，适合约 200 MHz 以下。最重要特性是带宽 f = foG − fuG（上/下截止频率）。截止频率 = 电压跌 3 dB（−30%）处频率。电路品质 Q > 10（典型值）时：

$$f = f_r \cdot \frac{L_H}{R_i \cdot C_0} \qquad \text{（式 (3)，第 5 页）}$$

fr = 谐振频率；Ri = 信号源内阻（通常 Ri ≪ 铁氧体损耗电阻）；LH = 主电感；C0 = 绕组电容。传输损耗曲线按 α = ln(U/Ur)（Ur 为 fr 处电压；α 为与线路阻抗——如 50 Ω——匹配时的衰减）。示例：1:1 变压器，E6.3/T38，2×10 匝。

见原 PDF 图 11（第 6 页）：E6.3/T38、2×10 匝（并联）变压器的传输损耗曲线。

2.3 数字数据传输低失真变压器（ISDN、xDSL）（第 6~8 页）

铜线数字传输（ISDN、HDSL、ADSL）为保住最大线长要求极小谐波失真，可用小信号磁滞的 Rayleigh 模型（正弦电流）从材料参数算出。典型设计经匝比 N1:N2:N3…、电感 L1/L2/L3… 与最大直流电阻 R1/R2/R3… 与芯片组匹配。绕组 j 的三次谐波失真：

$$k_3 = \frac{0.6}{\mu_0} \cdot \eta_B \cdot \frac{\hat{U}}{2\pi f} \cdot L_j \cdot \sum \frac{N_j^2}{R_j}\cdot\frac{l_e}{l_e A^2}\cdot\frac{l_N}{A_N^{3/2}} \qquad \text{（式 (4)，第 7 页）}$$

[译注：pdftotext 对该式分式/求和结构碎裂严重，上式按因子顺序复原；因子分组：材料 ηB｜电路条件 Û、f｜设计约束 Lj、Nj²/Rj｜磁芯几何｜骨架几何——精确公式以原 PDF 第 7 页为准。]该式把各设计参数的贡献拆开：

• 材料由磁滞材料常数 ηB 表征（极限值见 SIFERRIT 材料表；各芯实际水平有差异）。选材时 ηB(T)/ηB(25 ℃) 归一化温度曲线很有用——主要由成分决定，是材料专属曲线。
• 几何用磁芯失真因子 CDF 计入：$CDF = \dfrac{\sum l_i}{l_e} \cdot \dfrac{l_e\, l_N}{A_e^2 A_N^{3/2}}$（式 (5)，第 7 页）。Σli/le 越接近 1，磁路截面越均匀。各优选芯型 CDF（单位 mm⁻⁴·⁵，全表照录，按原表三栏组转录）：

由这批数值可得近似规律 CDF ∝ 1/Ve^(3/2)——磁芯越大失真越小；受空间限制，往往只能在给定尺寸档的芯形里选。

• 电路条件（Û 与 f）直接决定磁通密度；磁通密度增大后 k₃ 实测偏离线性模型（tan δh–B̂ 曲线偏离线性）。
• 给定阻抗条件下的电路实际失真：$k_{3c} = \dfrac{k_3}{1 + 3\omega L_1\cdot\left(\dfrac{1}{R_i} + \left(\dfrac{N_2}{N_1}\right)^2\cdot\dfrac{1}{R_L}\right)}$（式 (6)，第 8 页；Ri 信号源内阻、RL 负载电阻、L1 初级电感）。电路实际失真 k3c 一般小于正弦电流假设下的 k3。

见原 PDF 图 12（第 8 页）：宽带变压器等效电路——Ri、N1:N2、RL（FAL0570-K 标记）。

3. LAN 应用磁芯（原 PDF 第 9~10 页）

LAN（局域网）多为楼内计算机互联，速率 10 Mbit/s（10BaseT）、100 Mbit/s（100BaseT）至 1 Gbit/s（千兆以太网）。

3.1 信号变压器（第 9 页）

1:1 信号变压器典型用小环型芯，职责是阻抗匹配与网络端接。受空间限制，芯要在给定工作条件（100 kHz）下满足电感量的前提下尽量小。常用尺寸外/内径 2.54/1.27 mm（0.1/0.05 in）至 3.94/2.24 mm（0.155/0.088 in），内径与高度有多种变体（参见“Toroids”章）。数字波形的多电平编码对零线并不总对称——不平衡造成有效直流，允许最大 8 mA；因此铁氧体环的电感在 8 mA 恒定直流下规定。饱和磁通密度 25 ℃ 下 430 mT，初始磁导率 4000（图 13）。室内 0~+70 ℃；要扩展到户外（−40~+85 ℃）而不改电气规格——材料 T57 两档都覆盖。

见原 PDF 图 13（第 9 页）：µrev–温度曲线（环 R 3.43/1.78/2.11 实测；T57，f = 100 kHz，B̂ = 6 mT，N = 26，HDC = 27 A/m 即 lDC = 8 mA）——纵轴 0~4000，Limit 标注约 2500。

3.2 共模扼流圈（第 10 页）

抑制约 30~300 MHz 共模干扰需电流补偿扼流圈。对应材料 K10——NiZn 材料，小型 Parylene 涂层芯磁导率约 700；其阻抗–频率曲线与 LAN 抑制需求理想匹配（图 14）。

见原 PDF 图 14（第 10 页）：归一化阻抗曲线（环 R 10、N = 2 匝）——K10，10⁰~10³ MHz、Ω/mm 双对数。

3.3 最高绝缘电阻的涂层（第 10 页）

环芯通常要过 1 kV 耐压测试，需 Parylene 涂层保证最高绝缘电阻：17 µm（0.0007 in）涂层可达 2.7 kV 击穿电压，还可在绕线时保护线材。

4. EMI 应用磁芯（原 PDF 第 11~13 页）

4.1 抑制线路干扰的环型磁芯（第 11 页）

电气/电子设备激增，使所有设施在电磁兼容（EMC）意义上互不干扰愈发重要。1996 年初生效的 EMC 法规适用于欧盟市场全部电气电子产品——既有设备也可能要改造。铁氧体磁芯是理想手段：宽频段抑制干扰。 1 MHz 以上，套在导线上的铁氧体环抬高该导线阻抗，其实部吸收干扰能量。材料对特定频段的适用性取决于随频率变化的磁特性——选材前先知道阻抗 |Z| 随频率的曲线；曲线典型特征是谐振频率处损耗陡增。

测量条件：室温 (25±2) ℃，HP 4191A 射频阻抗分析仪，B̂ ≤ 1 mT。阻抗峰随匝数增多移向低频——匝间电容所致（图 15，以 R 25/15 为例）。

见原 PDF 图 15（第 11 页）：阻抗特性曲线（R 25/15，多匝对比）。

不同材料阻抗曲线汇总对比用归一化阻抗 |Z|n = |Z|/(N²·(le/Ae))，只呈现材料属性（几何因子按芯尺寸算）。归一化曲线是指导值，多数用 R 10 环、N = 1 匝（线径 0.7 mm）测得，随几何略有出入。

4.2 共模扼流圈（第 12 页）

紧凑型设备主要产生共模干扰。为满足安全要求（漏电流限值），须用高不对称有效电感的扼流圈——闭磁路的电流补偿扼流圈特别合适。有效电流使磁芯饱和的问题靠两个等匝线圈解决：两线圈按“上方线圈磁通被下方线圈补偿”方式连接——工作电流磁通互相抵消，共模干扰电流磁通叠加。

见原 PDF 图 16（第 12 页）：电流补偿环型扼流圈（双扼流圈示例）——工作电流与干扰电流各自磁通流向标注。

TDK 的 Magnetic Design Tool 含所有适用 EMI 铁氧体材料的归一化阻抗–频率曲线。

4.3 NiZn 铁氧体（第 13 页）

NiZn 环芯特别适合高频干扰抑制：体电阻率高（约 10⁵ Ω·m），涡流负面效应可忽略，100 MHz 以上仍能有较高阻抗。限制：NiZn 初始磁导率做不高——磁导率越高居里温度越低。例如 µi = 800 的 NiZn（K10）居里温度规定 >150 ℃，对许多应用已属边缘。汽车业应用例：CAN 总线扼流圈，K10 材料、外径 2.5~6.3 mm（0.1~0.29 in）。电信传输频率不断上移，NiZn 需求预计继续增长。NiZn 环另一类用法：单独套在元件引脚上或做成板级器件——防寄生振荡，或衰减沿引脚/走线/电缆传播的杂散拾取与发射。

4.4 MnZn 铁氧体（第 13 页）

电流补偿扼流圈全尺寸段广泛用 MnZn：优势是磁导率高得多且居里温度足够高——高 µ 减少达到给定电感所需匝数，避开多匝的代价（直流电阻、寄生电容，还有成本）。分档：小芯 R 2.5~R 12.5（N30、T38、T46）用于 ISDN 等电信网络；中芯 R 13.3~R 26（N30、T65、T35、T37、T38、T46）作电源线扼流圈——电子镇流器、电视开关电源、洗衣机、充电器；大芯 R 34 及以上用于工业——变频器滤波（电梯、泵、牵引、输送、空调）、电力电子通用、UPS、风电。高温/大电流场合首选 T65：饱和磁通密度 460 mT、居里温度 >160 ℃，大芯初始磁导率约 4500~5000。无特别高温/大电流则推荐 N30（µi = 4300）与 T37（大芯 µi 约 5500~6000）。选材依据是所需衰减覆盖的频段——由磁导率特性决定。

5. 电感式传感器磁芯（原 PDF 第 14 页）

自动化广泛使用的接近开关基于“金属靠近使高频 LC 振荡器阻尼”原理。振荡器电感由圆筒线圈与铁氧体芯半组成，开口侧即“有效区”（active area）。铁氧体的作用是把磁场在空间上对齐、限定作用区域。振荡器设计必须考虑电感构成磁开路——与闭磁路不同，电感与品质因数主要取决于线圈设计，初始磁导率居次（下例为证）：芯 P 9×5（B65517D*）、线圈 100 匝 0.08 CuL、电流 1 mA、频率 100 kHz。

见原 PDF 图 17（第 14 页）：电感与品质因数–初始磁导率曲线（P 9.3×2.7，N = 100，f = 100 kHz，I = 1 mA）。

应用关键目标：Q 尽量高、在振荡频率处随温度变化尽量小；同时阻尼片与有效区距离变化时 Q 要变得尽量猛——ΔQ/Q 相对变化超过阈值（如 10%）即触发动作距离上的开关动作。目标值依赖线圈尺寸设计，一般只能经验调得。

6. 功率应用磁芯（原 PDF 第 15~32 页）

6.1 磁芯形状与材料（第 15 页）

电力电子应用激增，芯形与材料谱系同步扩张。面向更高频率开发了 EFD 10/15/20/25/30 扁平磁芯：极矮设计、优化截面分布、优化绕组屏蔽。材料分档：≤100 kHz 标准应用用 N27、N41、N72；≤500 kHz 用 N92、N87、N88、N95、N96、N97；N49 覆盖 300 kHz~1 MHz；PC200 至 4 MHz（如 DC/DC（谐振）变换器）。

6.2 平面磁件用低矮磁芯（第 15~16 页）

平面器件相对传统绕线器件的优势：总高低；电气参数复现性出色；热性能出色；集成度高。配套低矮磁芯已入标准：IEC 63093-4（RM LP 芯）与 IEC 63093-9（ELP、EQ、ER 平面芯）；共同特征是芯长大于总高与宽。设计优势：高 AL 值；芯表面/体积比高；大芯面便于贴散热片。功率应用首选材料 N87、N88、N95、N96、N97、N92、N49、PC200；高电感应用用 T38、T46。

见原 PDF 图 18（第 15 页）：传统磁件 a) 与平面磁件 b) 原理对比（初级/次级布局）。

6.3 应用—形状/材料对照（第 16~20 页）

6.3.1 降压变换器（Step-down，第 16~17 页）

见原 PDF 图 19（第 16 页）：典型电路图。

• 优点：只需一只扼流圈；效率高；射频干扰低。缺点：只有一路输出电压；短路承受能力受限（无隔离）。
• 应用：提供与输入隔离的恒定输出电压；正激变换器的调整；可调电压反相；正弦线电流汲取。
• 磁芯/材料要求：损耗与饱和的常规要求。
• TDK 推荐：E/ETD/U/RM 芯——N27（标准）/ N87、N97（低损耗、高饱和）/ N88（高温区低损耗）/ N95（宽温区低损耗）/ N96（低温区低损耗）/ N92（高饱和）。

6.3.2 单端反激变换器（Flyback，第 17~18 页）

见原 PDF 图 20（第 17 页）：典型电路图。

• 优点：电路变体简单（低成本）；元件少；只有一个感性元件；漏感损耗低；多路输出易于调整。缺点：初/次级紧耦合；气隙区涡流损耗大；带气隙的大磁芯限制应用；射频干扰中等；对元件要求苛刻。
• 应用：中低功率、最大 200 W、宽输出电压范围；最高工作频率约 100 kHz。
• 磁芯/材料要求：高温低损耗；高饱和且温度依赖小；开气隙磁芯（近年也有 AL 值保证的供货）。
• TDK 推荐：E/U 芯——N27（标准）/ N87、N92、N97（低损耗、高饱和）/ N88（高温区低损耗）/ N95（宽温区低损耗）/ N96（低温区低损耗）。

6.3.3 单端正激变换器（Forward，第 18~19 页）

见原 PDF 图 21（第 18 页）：典型电路图。

• 优点：功率范围比反激高；对电路元件要求低；效率高。缺点：两个感性元件；扼流圈大；需去磁绕组；射频抑制复杂；多路稳压输出时元件更多。
• 应用：中高功率（至 500 W）、尤其低输出电压；PWM 最高约 500 kHz。
• 磁芯/材料要求：高温及高频低损耗（低涡流损耗）；一般不开气隙。
• TDK 推荐：E/ETD、小 EFD、RM/PM 芯——N27、N41（≤100 kHz）/ N87、N97（≤500 kHz）/ N49（≤700 kHz）/ PC200（≤4 MHz）/ N88（高温区低损耗）。

6.3.4 推挽变换器（Push-pull，第 19~20 页）

见原 PDF 图 22（第 19 页）：典型电路图。

• 优点：功率可达 kW 级；扼流圈小；效率高；射频抑制复杂度低。缺点：两个感性元件；绕组复杂；多路稳压输出时元件更多。
• 应用：高功率（≫100 W）、高输出电压亦可用；PWM 至 500 kHz。
• 磁芯/材料要求：高温低损耗；低涡流损耗（应用至 500 kHz 及以上）；一般不开气隙。
• TDK 推荐：大 E/ETD、RM/PM 芯——N27、N97、N87（大截面 Ae ≥250 mm² 时因涡流损耗，即使 f <100 kHz 也须用 N87）/ N88（高温区低损耗）/ N95（宽温区低损耗）。

6.3.5 电子镇流器（第 20 页）

见原 PDF 图 23（第 20 页）：典型电路图（荧光灯）。

• 优点：比 50 Hz 工频方案尺寸大幅缩小；效率显著高于线路调压器。缺点：元件数量多。
• 应用：荧光灯控制单元。
• 磁芯/材料要求：50~80 ℃ 低损耗；脉冲功率要求；开气隙与无气隙 E 芯；规定脉冲特性的环芯。
• TDK 推荐：E/ETD/EFD 芯，L1 用 N72。

6.4 开关电源变压器磁芯的选型流程（第 21 页）

§6.3 只是形状/材料粗选。实际选芯三步：①定义需求——功率容量 Ptrans 范围、SMPS 类型、脉冲频率与最大温升、最大体积；②按“功率容量”表（第 24 页起）选“可能”的形状/材料——表把形状/材料组合（及体积 V）与各变换器类型在“典型频率 ftyp”与“截止频率 fcutoff”下的功率容量关联，ftyp 是有已知应用或作为磁芯损耗基准的频率，fcutoff 以上其他材料优势开始占上风；③最终确定——对照各自 datasheet 的具体芯型与材料数据（典型曲线），考虑：体积；附件（功率骨架）；无气隙芯 AL 值；气隙规格/AL 值；损耗温度谷点、居里温度 TC、饱和磁化 BS、磁偏置特性、振幅磁导率特性。datasheet 未列的组合可向 TDK 索取。

6.5 选型表：功率容量（第 22~30 页）

传输功率按下式计算（两个等匝数绕组的变压器）：

$$P_{trans} = C \cdot \hat{B} \cdot f \cdot A_e \cdot A_N \cdot j \qquad \text{（式 (7)，第 22 页）}$$

C 为拓扑系数：C = 1 推挽；C = 0.71 单端；C = 0.62 反激（原文 “topolgy” 为 topology 笔误）。ΔB 对应的磁芯损耗与电流密度 j 对应的铜损共同造成温升 ΔT。设两份损耗相等且 Pv ∝ B²，功率容量近似为：

$$P_{trans} \approx C \cdot \sqrt{\frac{P_F}{P_V}} \cdot \sqrt{\frac{\Delta T}{R_{th}}} \cdot \sqrt{\frac{f_{Cu}}{\rho_{Cu}}} \cdot \sqrt{\frac{A_N \cdot A_e}{l_N \cdot l_e}} \qquad \text{（式 (8)，第 22 页；四项依次为 材料/热设计/绕组/几何）}$$

• 材料项 = 性能因子 PF 除以其推导所取比损耗水平的平方根；同一芯形可按 datasheet 偏离该值。各材料 ΔT 取值（第 22 页表，单位 K，全录）：N27=30、N41=30、N49=20、N51=10、N72=40、N87=50、N88=90、N92=50、N95=50、N96=30、N97=50、PC200=20。
• 热阻 R_th = ΔT/(P_Vcore + P_Vcopper)，表中值为自由对流实测的形状典型值（第 31 页起表，本篇 §6.6）；实际设计应实测 R_th 并修正表列 Ptrans。
• 绕组项按 fCu = 0.4 与铜直流电阻率计；实际绕组高频效应（趋肤/邻近）会使直流电阻大幅恶化，除非用利兹线等特殊线材；已知 RAC/RDC 比可据此修正表值。
• 几何项与芯形尺寸相关，且热阻本身按经验律 R_th ∝ 1/Ve 变化（图 24）。
• 表值附加条件（第 23 页）：反激适用范围限定 f <150 kHz；N49 的功率值应读作 DC/DC（准）谐振变换器（单端正激运行）；反激最大磁通密度 ΔB ≤200 mT（N49 仅 ≤50 mT）；推挽 ΔB ≤400 mT。

见原 PDF 图 24（第 24 页）：热阻–磁芯有效体积曲线（R_th ∝ 1/Ve 实测簇）。

表：绕线变压器磁芯的 Ptrans（W，fCu = 0.4，原 PDF 第 25~29 页，五张分表经列位核对全录；一芯一格“N 材料=值”清单）

① RM/PQ/PM 芯（第 25 页）

② EP/P 芯（第 26 页）

③ E 芯（第 26~27 页）

④ EEQ/EIQ/ER/EER/ETD/EFD/EV/UU/UI/U 芯（第 27~29 页）

⑤ 平面低矮磁芯的 Ptrans（fCu = 0.1，第 30 页）——列序 N49/N87/N92/N95/N97，ftyp 依次 500/100/100/100/100 kHz：

6.6 主功率变压器芯形的热阻（第 31~32 页，全表照录，单位 K/W，压缩为“芯=Rth”清单）

• RM/PQ/PM：RM 4=120、RM 4 LP=135、RM 5=100、RM 5 LP=111、RM 6=80、RM 6 LP=90、RM 7=68、RM 7 LP=78、RM 8=57、RM 8 LP=65、RM 10=40、RM 10 LP=45、RM 12=25、RM 12 LP=29、RM 14=18、RM 14 LP=21；PQ 16/11.6=77、PQ 20/16=51、PQ 20/20=46、PQ 26/20=32、PQ 26/25=29、PQ 32/20=27、PQ 32/30=22、PQ 35/35=19、PQ 40/30=19、PQ 40/40=16、PQ 50/40=12、PQ 50/50=11、PQ 65/60=7；PM 50/39=15、PM 62/49=12、PM 74/59=9.5、PM 87/70=8、PM 114/93=6。
• EP/P：EP 5=329、EP 6=318、EP 7=141、EP 9=142、EP 10=122、EP 13=82、EP 17=58、EP 20=32；P 9×5=142、P 11×7=106、P 14×8=73、P 26×16=27、P 18×11=51、P 22×13=37、P 30×19=22、P 36×22=17。
• E：E5=313、E 6.3=284、E 8.8=204、E 10/5.5/5=106、E 12.7/6/6=75、E 13/6/6.15=79、E 13/6.5/3.7=91、E 13/7/4=94、E 14/8/4=79、E 16/6/5=76、E 16/7/5=69、E 16/8/5=65、E 16/8/8=49、E 19/8/5=60、E 20/9/6=49、E 20/10/6=46、E 20/10/11=34、E 21/9/5=59、E 22/15/6=38、E 25/13/7=40、E 25.4/10/7=41、E 28/10/11=28、E 30/15/7=23、E 32/16/9=22、E 32/16/11=21、E 34/14/9=23、E 36/18/11=18、E 40/16/12=20、E 42/21/15=19、E 42/21/20=15、E 47/20/16=13、E 55/28/21=11、E 55/28/25=8、E 56/24/19=9.5、E 65/32/27=6.5、E 70/33/32=5.5、E 80/38/20=7、E 100/60/28=4。
• EEQ/EIQ/ER/ETD/EFD/EV 与平面：ER 9.5=164、ER 11/5=134、ER 14.5/6=99、ER 28/17/11=22、ER 35/20/11=18、ER 42/22/15=14、ER 46/17/18=13、ER 49/27/17=9、ER 54/18/18=11；ETD 29/16/10=28、ETD 34/17/11=20、ETD 39/20/13=16、ETD 44/22/15=11、ETD 49/25/16=8、ETD 54/28/19=6、ETD 59/31/22=4；EFD 10/5/3=120、EFD 15/8/5=75、EFD 20/10/7=45、EFD 25/13/9=30、EFD 30/15/9=25；EV 15/9/7=55、EV 25/13/13=27、EV 30/16/13=21、EV 36/19/16=16；EI LP 14=116、EE LP 14=105、EI LP 22=38、EE LP 22=35、EI LP 18=61、EE LP 18=56、EI LP 32=26、EE LP 32=24、EI LP 64=9.5、EE LP 64=9、EI LP 38=20、EE LP 38=18、EI LP 43=16、EE LP 43=15、EI LP 58=12、EE LP 58=11。
• U/UU/UI：U 11/9/6=46、U 15/11/6=35、U 17/12/7=30、U 20/16/7=24、U 25/20/13=15、U 26/22/16=21、UU 30/25/26=13、UU 93/152/16=4.5、UI 93/104/16=5、UU 93/152/20=4、UI 93/104/20=4.5、UU 93/152/30=3、UI 93/104/30=4、U 101/76/30=3.3、U 141/78/30=2.5。

7. 注意事项与警告（原 PDF 第 33~34 页）

• 机械应力与安装：铁氧体是陶瓷——脆、怕冲击、怕骤温变、怕拉应力与循环载荷；超声波清洗的骤冷与高静载/循环载荷可致开裂或失效（详见 databook “General - Definitions, 8.1”）。
• 磁芯组合对 AL 的影响：应力不只影响机械、也影响磁性——应力越大初始磁导率越低；灌封介质弹性应尽量大。
• 发热：较高磁通密度与较高频率下铁氧体会发热。
• NiZn 材料：强磁场下 NiZn 磁特性可能不可逆改变。
• 铁氧体附件：TDK 附件只与 TDK 磁芯联评；与其他厂商磁芯/附件的组合可能不兼容，须客户先测、风险自担。
• 加工提示：绕线起步要软否则法兰可能损坏；绕线力过大会崩法兰或挤瘪套管；>300 ℃ 焊接时间过长影响共面度或引脚排布；J 脚焊接不按规范造成可焊性问题（锡池氧化锡污染或线绝缘烧蚀）；孔位尺寸是推荐值，PCB 钻孔须计入制造公差适当加大孔径。

订购代码的显示：同一产品的订购代码在 datasheet/数据书/网站/订单文件中写法可能不同——源于不同流程，不影响产品规格（详见 www.tdk-electronics.tdk.com/orderingcodes）。

8. 符号与术语（原 PDF 第 35~37 页，全表照录，压缩转录）

（原文另注：全部尺寸单位为 mm；SMD = 表面贴装器件。）

9. 重要说明（原 PDF 第 38~39 页，逐条忠实转述）

1. 文中产品适用性表述基于对典型要求的认知，不构成对特定客户应用适用性的约束性声明——是否适用最终由客户检验决定。
2. 即使按规定使用，现行技术水平下元件失效仍不能完全排除；对失效可能危及人身安全的应用（事故预防/救生系统），客户须以应用设计或附加措施（保护电路、冗余）确保第三方不受伤害。
3. 必须遵守各项警告、注意事项与产品专项说明。
4. 部分产品可能含受管制物质，详见官网材料数据表（www.tdk-electronics.tdk.com/material）。
5. 产品与规格可能随时更新，下单前确认现行有效；保留停产与停止供货的权利（个别协议另有约定除外）。
6. 除非个别合同另有约定，订单适用通用供货条款。
7. 汽车业务制造基地执行 IATF 16949；只有双方一致同意的要求才会纳入质量管理体系实施。
8. EPCOS、SIFERRIT、CeraLink、SIOV、ThermoFuse 等为 TDK 在欧洲及其他国家注册或申请中的商标（Release 2022-07）。

译者附注（全库视角）

1. 开关电源视角三个锚点：①§6.5 反激 ΔB ≤200 mT、f <150 kHz 与 02_反激变压器设计 §2.3“ΔB 由损耗定”互为印证——TDK 边界正是从损耗/温升反推的；②拓扑系数 C（1/0.71/0.62）是“同一磁芯反激只能传 62% 功率”的量化出处；③R_th ∝ 1/Ve 与 65 W 反激选 PQ26/ETD29 档（Rth≈29~28 K/W）可直接对表。
2. 气隙杂散场铜损（§1.1）是反激/储能电感“气隙附近绕组发烫”的机理出处；垫片/绕组避让气隙的对策源于此。
3. OCR/转写存疑点：①式 (4) k₃ 分式/求和精确排布按因子顺序复原，以原 PDF 第 7 页为准；②符号表 AR 单位“Ω=10⁻⁶ Ω”疑为 µΩ 乱码，「待核实」；③Ptrans 大表经字符列位核对，个别行第三值（如 RM×LP 行的 N92 列）列间距与表头不完全等宽，「待核实」以原 PDF 为准；④图 11/13/14/15/17/24 曲线内部刻度以原 PDF 为准。

上一级：电感磁件