TDK《SIOV metal oxide varistors — General technical information》全文精译 — SIOV 压敏电阻总技术说明

原文：TDK Electronics AG，《SIOV® metal oxide varistors, General technical information》，2026 年 4 月版，正文 22 页（页脚 Page 2 of 22 ~ Page 22 of 22）。原文 PDF：90_资料源/MOV_TDK-EPCOS_SIOV-GeneralTechnicalInfo.pdf。 本篇为全文忠实精译：覆盖原文 1.1~1.14 全部小节——引言与定义（TVSS/I=K·V^α）、微结构与导电机制（微压敏电阻模型）、构造、等效电路（三工作区）、V/I 特性（式 1~5、α=38 算例、公差带 S14K14 完整核算）、术语与描述（工作电压/8/20 µs 浪涌/2 ms 能量/压敏电压/保护水平/电容/响应时间/温度系数式 7）、降额、过载响应、设计注意事项（熔断器匹配表全录）、命名系统（表 1）、盘状标志（图 22）。公式 (1)~(7) 全录（pdftotext 中公式为嵌入图片，逐式对照原 PDF 页面转录），图 1~22 逐图标注。 文末“开关电源 X 侧选型要点”一节为本库展开（原文无此节），素材取自本篇正文 + 库内 EVM 文档，逐条标注来源。

译注约定：①单位与符号照原文转写（α 非线性指数、RIG 晶界电阻、RB 体电阻、RVAR 理想压敏电阻）；②原文笔误/排版噪声保持原样加译注——§1.4 图题印作“Figur 4”（德语式拼写）、SMD 材料印作“termoplast”（应为 thermoplastic）、§1.1 句尾“The principle … is explained in chapter 'Selection procedure' in section 1.2”指称有误（本版无该章，原理实际由 §1.2 定义与 §1.3 机制承担），照录加注；③图逐图标“见原 PDF 图 N（第 X 页）”并附图内可读信息。

1.1 引言（原 PDF 第 2 页）

半导体技术的好处数不胜数，少数缺点之一是固态器件对过电压的脆弱性——能量很低的电压脉冲就能造成干扰与损坏，有时后果深远。随着电子技术渗透到越来越多的应用，最优的过电压/瞬态抑制成为决定性的设计要素。

SIOV®¹⁾ 压敏电阻以其应用灵活性与高可靠性被证明是优异的保护器件。金属氧化物压敏电阻以极具吸引力的性价比，成为限制浪涌电压与电流、吸收能量的理想元件。TDK 产品线包括径向引线圆片型、用于电力配电的 block（方块）型与 strap（带状）型，以及面向汽车电气系统与电信应用的专用类型。SIOV 压敏电阻这类过压保护器件在国际文献中常被称为 TVSS（transient voltage surge suppressor，瞬态电压浪涌抑制器）。

¹⁾ SIOV 为 TDK 金属氧化物压敏电阻的注册商标。

1.2 定义（原 PDF 第 2~3 页）

压敏电阻（varistor，variable resistor）是具有对称 V/I 特性曲线（图 2）的电压依赖电阻器（VDR，voltage dependent resistor），阻值随电压升高而下降。把它并联在被保护的电子器件/电路上，电压升高时它形成低阻分流，从而阻止浪涌过电压进一步抬升。压敏电阻的电压依赖性可近似表征为 $I = K \cdot V^{\alpha}$，其中 α 为“非线性”指数，可理解为 V/I 特性“陡峭度”的量度（详见 1.6 节）。金属氧化物压敏电阻的 α 已可做到大于 30——其保护水平已进入齐纳二极管与抑制二极管的区间；加上出众的电流承受能力与 < 25 ns 的响应时间，堪称近乎完美的保护器件。

见原 PDF 图 1（第 2 页）：压敏电阻电路符号（VAR）。 见原 PDF 图 2（第 2 页）：金属氧化物压敏电阻线性坐标 V/I 特性（以 SIOV-B60K250 为例，对称曲线；纵轴保护水平标注 200/600/1000/1400 V，横轴浪涌电流 10/30/50 kA；“最大允许工作电压”标注于 ±200 V 区）。

1.3 微结构与导电机制（原 PDF 第 3~4 页）

氧化锌与其他金属氧化物添加剂在特定条件下烧结，得到阻值对电压呈显著依赖的多晶陶瓷——这一现象称为压敏效应（varistor effect）。图 3 以简化形式给出压敏元件内的导电机制：ZnO 晶粒本身高导电，由其他氧化物构成的晶界则高阻；只有在 ZnO 晶粒相遇之处，烧结才产生“微压敏电阻（microvaristor）”——相当于对称齐纳二极管（保护水平约 3.5 V）。整只压敏电阻的电特性就是这些微压敏电阻串并联的结果。由此，电特性由物理尺寸控制：陶瓷厚度加倍 → 串联的微压敏电阻加倍 → 保护水平加倍；面积加倍 → 并联的电流通路加倍 → 电流承受能力加倍；体积加倍 → ZnO 晶粒形式的“吸收体”加倍 → 能量吸收能力接近加倍。

微压敏电阻的串并联也解释了 SIOV 相对半导体的强大电负载能力：半导体的功耗几乎全部集中在一层薄薄的 p-n 结面上，而 SIOV 把功耗均匀分布在整个体积的所有微压敏电阻上——每个微压敏电阻都带着热接触最佳的 ZnO 晶粒作能量吸收体，因此能量吸收与浪涌电流能力异常高。

见原 PDF 图 3（第 3 页）：压敏元件导电机制剖面（标注：Microvaristor 微压敏电阻、Zinc oxide 氧化锌晶粒、Intergranular boundary 晶界；插图给出单个微压敏电阻 V/I（3.5 V@100 µA）；晶粒直径标注 ⌀ 10~50 µm[译注：正文下节印 10~100 µm，图题与正文不一致，照录——「待核实」以原 PDF 图为准]）。

晶粒尺寸：为把差异悬殊的保护水平匹配到可制造的陶瓷厚度上，SIOV 须用不同电压梯度的陶瓷生产。原材料与烧结工艺的调整影响晶粒长大（晶粒直径约 10~100 µm），从而得到所需的比电压（约 30~250 V/mm）；单个微压敏电阻自身的 V/I 特性不因此改变。比电压小的陶瓷（低压型 ≤40 V）不能承受与高压型相同的电流密度——这解释了各系列之间浪涌电流、能量吸收与机械尺寸的差异。晶粒尺寸的影响在 K40 与 K50 电压档之间最明显，例如最大允许浪涌电流：SIOV-S07K40 imax = 250 A；SIOV-S07K50 imax = 1200 A。

1.4 构造（原 PDF 第 4~5 页）

烧结金属氧化物陶瓷按不同产线加工。圆片型（Disk）：压敏圆片装上镀锡铜线引脚，陶瓷体以流化床环氧树脂包覆。带外壳圆片型：装进外壳用于特殊过电压场合——其中 ThermoFuse（ETFV 或 T）型为异常过压条件下的自保护而设计。Block 型：处理 10~100 kA 电流的巨大电磁力要求特殊电极的实体接触并灌封于塑料外壳，经螺钉端子电气/机械连接。Strap 型：压敏陶瓷与带螺栓孔的专用电极接触后，以流化床环氧树脂包覆。SMD 型：单片陶瓷体（图 4）；SMD 圆片系列（CU）为 UL 94 V-0 阻燃热塑材料¹⁾包封的圆片压敏单元，适用 SMD 焊接工艺，镀锡铜合金端子适用 SnPb 与无铅波峰/回流焊，标志见相应 datasheet。¹⁾ 原文印作“termoplast”，应为 thermoplastic，照录。各构造形式的照片见“Overview of types”章。

见原 PDF 图 4（第 5 页）：SMD 元件构造图（单片陶瓷体结构）[译注：原文图题印作“Figur 4 Construction of SMD components”（德语式拼写），照录]。

1.5 等效电路（原 PDF 第 6~7 页）

图 5 给出金属氧化物压敏电阻的简化等效电路，据此可解读不同电流区间的行为（元件参数：L 引线电感约 1 nH/mm；C 电容；RIG 晶界电阻，ρ 约 10¹²~10¹³ Ω·cm；RVAR 理想压敏电阻（0~∞ Ω）；RB ZnO 体电阻，ρ 约 1~10 Ω·cm）：

• 漏电流区（< 10⁻⁴ A）：理想压敏电阻趋向 ∞，可忽略；晶界电阻 RIG 主导（RB << RIG，图 6）。RIG 决定低电流行为，V/I 曲线由指数转为线性（downturn 下弯区）。RIG 温度依赖明显——温度升高时漏电流显著增大。
• 正常工作区（10⁻⁵~10³ A）：RVAR << RIG 且 RB << RVAR，RVAR 决定电特性（图 7）。V/I 曲线（图 13）在 α > 30 下近似服从式 (3)，对数坐标上呈直线。
• 大电流区（> 10³ A）：理想压敏电阻趋向 0（RVAR << RIG 且 RVAR < RB，图 8）。ZnO 体电阻使 V/I 曲线恢复线性（upturn 上翘区）。
• 电容：等效电路 4、5 给出压敏电阻的电容（典型值见产品规格）。就过压抑制而言大电容是好事——其低通特性平滑陡峭的浪涌电压边沿、改善保护水平。
• 引线电感：压敏陶瓷本体的响应时间在皮秒级；引线型压敏电阻因引线电感，响应时间增至数纳秒——因此必须尽量采用最低电感（最短引线）的安装方式。

见原 PDF 图 5~8（第 7 页）：四张等效电路——图 5 全参数电路（L、C、RIG、RVAR、RB）；图 6 漏电流区等效（RIG 主导）；图 7 正常区等效（RVAR 主导）；图 8 大电流区等效（RB 主导）。

1.6 V/I 特性（原 PDF 第 8~12 页）

1.6.1 表现形式（原 PDF 第 8~9 页）

金属氧化物压敏电阻的 V/I 特性类似奇次幂函数，自然用幂律描述；曲线对称，通常只画一个象限（图 9）：

$$I = K \cdot V^{\alpha} \qquad \text{（式 1），}\ \alpha > 1$$

• I：流过压敏电阻的电流；K：陶瓷常数（随型号）；V：压敏电阻两端电压；α：非线性指数（曲线非线性程度的量度）

同一物理原理的另一种解读是“电压依赖的阻值在预定电压处的快速变化”——这就是 CTVS 保护原理的基础（图 10）：$R = \dfrac{V}{I} = \dfrac{V}{K V^{\alpha}} = \dfrac{1}{K} \cdot V^{1-\alpha}$（式 2）。式 1、2 在对数-对数坐标上表达最清晰（幂函数此时为直线）：

$$\log I = \log K + \alpha \cdot \log V \qquad \text{（式 3）} \qquad \log R = \log\left(\tfrac{1}{K}\right) + (1-\alpha) \cdot \log V \qquad \text{（式 4，原 PDF 第 8 页）}$$

这是 CTVS 特性几乎唯一使用的呈现形式（图 11、12）；对数坐标还能覆盖 V/I 曲线十个数量级以上的跨度。显然，简化式 1~4 覆盖不了 1.5 节所述的下弯区与上翘区——那里需要“应用笔记”章式 (21) 那样的数学描述。

非线性指数 α 的确定：从 V/I 特性上读两组电压/电流值（V₁/I₁ 与 V₂/I₂），代入式 (3) 解出：

$$\alpha = \frac{\log I_2 - \log I_1}{\log V_2 - \log V_1} \qquad \text{（式 5，原 PDF 第 8 页）}$$

见原 PDF 图 9~12（第 9 页）：图 9 V–I 特性（单象限）；图 10 R–V 特性；图 11 log V–log I 直线；图 12 log R–log V 直线。

1.6.2 实际 V/I 特性与欧姆电阻（原 PDF 第 9~10 页）

图 13 以 SIOV-B60K250 为例给出典型 V/I 特性——下弯区与上翘区清晰可辨。α 的计算通常取 1 A 与 1 mA 两点：

$$\alpha = \frac{\log I_2 - \log I_1}{\log V_2 - \log V_1} = \frac{\log 1 - \log 10^{-3}}{\log 470 - \log 390} = \frac{0-(-3)}{2.67-2.59} = \frac{3}{0.08} \approx 38$$

[代入核对：V(1 mA) = 390 V、V(1 A) = 470 V 读自图 13；lg470 = 2.672、lg390 = 2.591，3/0.081 = 37≈38 ✓。]图 13 的 V/I 曲线在 10⁻⁴~10³ A 之间几乎是一根直线，故在宽范围内可用式 (3) 很好近似；下弯区/上翘区可在式 (3) 中插入修正项适配（另一种曲线近似法见“应用笔记”章 1.9.1）。由图 13 导出的图 14 给出 SIOV-B60K250 静态电阻 R = V/I 的变化：允许工作电压范围内 R > 1 MΩ，过电压时最多可下降 10 个数量级。

见原 PDF 图 13（第 10 页）：SIOV-B60K250 实际 V/I 特性（对数坐标，标出 390 V@1 mA、470 V@1 A 读点）。 见原 PDF 图 14（第 10 页）：静态电阻–保护水平关系（SIOV-B60K250，>1 MΩ 至下降 10 个数量级）。

1.6.3 公差带（原 PDF 第 11~12 页）

单只压敏电阻的实际 V/I 特性因制造/装配参数的微小波动而有所偏离；同一型号的各只压敏电阻，其 V/I 曲线必须全部落在规定的公差带内。图 15 以 SIOV-S14K14 为例。压敏电阻工作在两种状态之一：正常工作电压下高阻；过电压事件中低阻——对应 V/I 曲线的两段：左段（< 1 mA）“高阻”模式——设计者关心给定工作电压下的最大可能漏电流，故画出公差带下限；右段（> 1 mA）“低阻”模式（过压事件）——设计者关心压敏电阻上最坏情况的电压降，故画出公差带上限。1 mA 这条“分界线”并无电物理意义，只是通用的标准参考点（即压敏电压，见 1.7.5）。同分支以相同的最大 AC 工作电压标识（此处“14”→18 VDC 档）。图 15 曲线 1 为公差带均值（虚线为上、下限）；1 mA 处的均值即压敏电压，此处 22 V；公差 K ±10% 以此为基准——该点公差带为 19.8~24.2 V。

工作电压下的漏电流：SIOV-S14K14 的最大允许工作电压为 18 VDC。按压敏电阻在公差带中的位置，漏电流介于 6×10⁻⁶~2×10⁻⁴ A（区域 2）；工作电压更低则最大可能漏电流也下降（如 10 VDC 时降至最大 2×10⁻⁶ A）。最坏情况下，最大允许 AC 工作电压的峰值将产生 1 mA 的欧姆性峰值漏电流（图 15 点 3）。保护水平：设浪涌电流 100 A，SIOV-S14K14 上的电压将升至 35~60 V（区域 4，取决于其在公差带中的位置）。

见原 PDF 图 15（第 12 页）：SIOV-S14K14 公差带（1 mA 处 22 V±10%，区域 1~4 标注）。 见原 PDF 图 16（第 12 页）：SIOV-S14K14 公差带（图题与图 15 相同[译注：原文两图图题重复，具体差异以原 PDF 页面为准——「待核实」]）。

1.6.4 V/I 特性的重叠（原 PDF 第 12 页）

如 1.3 节所述，K40 及以下与 K50 及以上电压档的非线性差异导致 V/I 曲线族相互重叠。对 SIOV 圆片压敏电阻，选 K40 档之前务必先核对 K50 是否更优：一是更高浪涌电流下保护水平更低；二是同直径下 K50 的负载能力显著更高。

1.7 术语与描述（原 PDF 第 13~17 页）

1.7.1 工作电压：产品表给出最大 AC 与 DC 工作电压，只允许被瞬态超越。汽车型按可承受异常电压（jump start 搭电）最长 5 min 标定。规定工作电压下的漏电流可忽略。最大允许 AC 工作电压用于划分各型号系列的电压档位；多数应用中工作电压是给定参数，故产品表按最大允许工作电压排列、便于比较不同尺寸。

1.7.2 浪涌电流、瞬态：短时电流——尤其由过电压引起者——称浪涌电流（surge current）或瞬态（transient）。压敏电阻能承受的最大浪涌电流取决于幅值、脉冲时长与全寿命内的脉冲次数；承受单个规定形状脉冲的能力以产品表的最大非重复浪涌电流表征（单脉冲，tr ≤ 20 µs）；更长的脉冲或多次脉冲须按 1.8 节降额。最大浪涌电流按 8/20 µs 波形定义（IEC 60060：上升时间 8 µs/半值衰减时间 20 µs，图 17）；该波形近似 20 µs 矩形波——按矩形波定义的浪涌电流降额曲线，在水平段与斜坡段之间的拐点因此落在 20 µs。

1.7.3 能量吸收：压敏电阻的能量吸收与浪涌电流的关系为式 (6)，其中 v(t) 为电流流过期间压敏电阻上的电压降：

$$W = \int_{t_0}^{t_1} v(t)\, i(t)\, \mathrm{d}t \qquad \text{（式 6，原 PDF 第 13 页）}$$

“应用笔记”章图 13 给出 SIOV-S20K14AUTO 吸收 100 J 的电气性能示例。最大能量吸收的测试需要较长时长的浪涌电流，常用 IEC 60060 的 2 ms 矩形波（图 18）；产品表中的最大能量吸收因此按 2 ms 浪涌电流定义。

见原 PDF 图 17（第 14 页）：IEC 60060 标准波形（leading edge/trailing edge、90%/50%/10% 刻度；TS 上升时间、TR 半值衰减时间、O1 名义起点、Im 峰值；常用 TS/TR 比——浪涌电流：4/10、8/20、10/350、10/1000 µs；浪涌电压：1.2/50、10/700 µs）。 见原 PDF 图 18（第 14 页）：IEC 60060 矩形波（TD 峰值持续（≈2 ms）、TT 总时长、B 段、可能出现的极性反转）。

1.7.4 平均功耗：按最大允许工作电压选型时，压敏电阻的功耗可忽略。但若在规定的隔离时间周期内发生多次脉冲、压敏电阻来不及冷却，则必须考虑额定最大功耗——“计算示例”章给出了周期能量应用下最小时间间隔的计算。

1.7.5 压敏电压：压敏电压（varistor voltage）是施加 1 mA 电流时压敏电阻上的电压降。它没有特别的电物理意义，只是规定压敏电阻时常用的实用参考点。

1.7.6 公差：公差数字指 25 ℃ 下的压敏电压；其他电流值下的公差带可以更大（见图 15）。注意：测公差时 1 mA 电流只能短时施加，以免压敏电阻发热歪曲结果（见温度系数）——通电 0.2~2.0 s，典型 1 s。

1.7.7 保护水平（钳位电压，clamping voltage）：保护水平是浪涌电流 > 1 mA 时压敏电阻上的电压降。V/I 特性曲线给出的是随浪涌电流（8/20 µs 波形）变化的最大保护水平；产品表另按 R10 系列（ISO 497）浪涌电流给出保护水平——也称钳位电压。

1.7.8 电容：产品表给出 1 kHz 下典型电容值。表值表明：金属氧化物压敏电阻 behaves 像以 ZnO 为介电质的电容器。电容正比于圆片面积（因而正比于电流承受能力），反比于电极间距（即随保护水平升高而下降）。电容值不做出厂检验（outgoing inspection）。

1.7.9 响应行为、响应时间：金属氧化物压敏陶瓷对瞬态的响应时间在亚纳秒级——足以处理电流上升率达 50 A/ns 的极端陡峭 ESD 瞬态，与抑制二极管等半导体保护器件中硅芯片的实测结果相当。但芯片装入封装后，因封装串联电感，响应时间增至 > 1 ns；本数据册规定的压敏电阻响应时间 < 25 ns。把压敏电阻与半导体比较时，压敏电阻的保护水平数字偏高——这不能用“压敏电阻响应更慢”解释（事实并非如此），而是V/I 特性非线性略低所致。本数据册的 V/I 特性在 > 1 mA 电流下按标准 8/20 µs 波形测量，已包含该 di/dt 下压敏电阻引线电感的电压降。要处理陡边沿浪涌电流，电路布局始终应按尽量低电感设计。

1.7.10 温度系数：金属氧化物压敏电阻呈负电压温度系数。典型行为见图 19；温度系数值随电流上升明显下降，约 1 mA 以上完全可忽略。

见原 PDF 图 19（第 16 页）：V/I 特性的典型温度依赖（以 SIOV-S20K275 为例；曲线参数 −10/25/50/85/125/150 ℃[译注：首条曲线标“10 ℃”，按图位于最低温侧、对照式 (7) 的负系数应为 −10 ℃——「待核实」以原 PDF 图为准]；纵轴 VV 为以 +25 ℃ 压敏电压为基准的百分比）。

高温下漏电流的增大因此可见，尤其 µA 区。压敏电压（1 mA 处）的温度系数由式 (7) 描述，图 20 给出 SIOV-S20K275 的实测结果：

$$ \vert TC \vert < 0.5 \cdot 10^{-3}/K = 0.05\%/K = 1\%/\Delta 20K \qquad \text{（式 7，原 PDF 第 17 页）}$$

见原 PDF 图 20（第 17 页）：SIOV-S20K275 在 1 mA 处的电压温度系数（横轴 −40~140 ℃，纵轴 ΔV/V₂₀ −5%~+3%；图面叠 −0.5·10⁻³/K 参考直线）。

1.8 降额（Derating，原 PDF 第 17~18 页）

降额指应用中有意削减最大额定值。金属氧化物压敏电阻的降额在两种条件下特别重要：重复浪涌电流与能量吸收的降额；工作温度升高时的降额。

1.8.1 重复浪涌电流的降额：金属氧化物压敏电阻的典型特征是浪涌电流（进而能量吸收）的最大允许额定值取决于脉冲形状、脉冲时长，以及全寿命内该负载的重复次数。某型号系列按 10 倍分档（graded 10x）给出重复次数下的浪涌降额曲线，可导出特定最大允许浪涌电流的降额；降额曲线主要取决于压敏电阻尺寸，也与电压档有关。本数据册为每只压敏电阻都给出这种降额曲线。最大允许能量吸收也可由降额曲线计算：$W_{max} = v_{max} \cdot i_{max} \cdot t_{r\,max}$。

1.8.2 工作温度升高时的降额：工作温度超过 85 ℃ 或 125 ℃ 时，压敏电阻的电压、浪涌电流、能量吸收、平均功耗须按图 21 降额。

1.9 工作与储存温度 / 1.10 气候类别（原 PDF 第 18 页）

各型号系列工作/储存温度范围的上限可由图 21 的 100% 与 0% 值分别导出；更低额定值见产品表。按 IEC 60068 的极限温度在产品表中以 **LCT（下限类别温度）与 UCT（上限类别温度）**给出。

见原 PDF 图 21（第 18 页）：工作电压/浪涌电流/能量吸收/平均功耗的温度降额曲线——降额曲线 1：SIOV-B、LS；曲线 2：SIOV-T 或 ETFV 型；曲线 3：SIOV-CU 或 S…(AUTO)、Q；曲线 4：SIOV-S…(E2)(E3)(E4)、S…AUTOD1、SNF。

1.11 过载响应（原 PDF 第 19 页）

1.11.1 中度过载：浪涌电流或持续过载达到规定值的约 1.5 倍以内，可使压敏电压变化超过 ±10%——多数情况下压敏电阻不会损毁，但电特性可能发生不可逆变化；此时 TDK ETFV 内的热保险丝（thermal fuse）可能断开。

1.11.2 严重过载：远超额定值的浪涌电流会击穿（puncture）压敏元件；极端情况下压敏电阻爆裂。过度的稳态过载会把 ZnO 晶粒熔合，形成以 ZnO 体电阻（远低于原压敏电阻阻值）导电的通路。过载还可能使压敏陶瓷过热，导致其从电极上脱焊。

1.12 设计注意事项（原 PDF 第 19~20 页）

若预计出现陡峭浪涌电流边沿，设计必须保证尽量低的电感（见 1.7.9）。

1.12.1 物理防护、熔断器：瞬态的性质不可预测——即使仔细选型，压敏电阻仍可能过载。过载可能导致封装破裂、喷出炽热材料，因此压敏电阻应与相邻元件物理隔离（如加合适金属壳）。用熔断器防止压敏电阻过浪涌电流通常不可行——标准熔断器无法分断浪涌电流；但熔断器可以防止**后续电流（follow-on current）**造成的损坏：压敏电阻损坏进入低阻态仍接在电源上时流过的电流就是后续电流。压敏电阻工作在标准线路阻抗下时，标称熔断器电流与压敏电阻型号系列按下表匹配（全录）：

线路阻抗条件偏离标准电力线路的应用，用热熔断器（thermo-fuse）可获得对压敏电阻更好的保护——热熔断器应与压敏电阻直接热接触；更优的是热耦合与压敏电阻匹配设计的 TDK ThermoFuse 压敏电阻系列 ETFV/T。

1.12.2 灌封与密封、粘接：灌封、密封或粘接材料可能与压敏陶瓷发生化学反应、使其电特性劣化。相关信息可垂询。

1.12.3 先前损伤：所列数值仅适用于未受过电气/机械/热损伤的压敏电阻。

1.12.4 环境条件：SIOV 压敏电阻为室内应用设计。务必避免：阳光直射；雨淋或凝露；蒸汽、盐雾；腐蚀性气体；缺氧气氛。

1.12.5 圆片型压敏电阻引线的机械强度：引线符合 IEC 60068-2-2 要求；只允许在距包覆端最小 4 mm 处弯折；弯折成形时必须支撑引线与元件的连接处；最小弯曲半径 0.75 mm。

1.13 命名系统（原 PDF 第 20~21 页）

Varistor = variable resistor；SIOV® = TDK 压敏电阻注册商标。表 1（命名要素全录）：

圆片压敏电阻的额定直径/长度：5~80 mm。附录后缀：AUTO＝附加 load dump 与 jump start 规范；AUTO…D1＝另加高温规范；E2＝AdvanceD 系列；E3/E4＝SuperioR 系列；K1＝多脉冲（MP）系列；K2＝修改定义后缀；M＝客户定制引线长度（mm）；P＝标准环氧包覆；Q＝方形；R5/R7＝5.0/7.5 mm 非标准引线间距。生产代码：全部包覆压敏电阻印有年/周码，例：17 29 = 2017 年第 29 周。缩写：MOV＝metal oxide varistor；ZnO＝zinc oxide varistor；VDR＝voltage-dependent resistor；过压保护元件总称：TVSS＝transient voltage surge suppressor。

1.14 圆片压敏电阻的标志（原 PDF 第 22 页）

圆片型压敏电阻的印刷标志如图 22 所示，按下划线区分系列：S/SNF 下方无下划线＝StandarD 标准型；S/SNF 下方有下划线＝AdvanceD（E2）型；S/SNF 上方有横线＝SuperioR（E3）型；上、下均有线＝SuperioR（E4）型。标志区下部为日期码 yy ww。S/SNF05、S/SNF07 不印 UL/CSA 标志。

见原 PDF 图 22（第 22 页）：StandarD/AdvanceD/SuperioR 系列的印刷标志形态（以 S14K275、S20K275、S25K275 为例；日期码 17 29 = 2017 年第 29 周）。

开关电源 X 侧选型要点——本库展开，非原文内容

以下为本库视角的归纳，事实底稿来自本篇正文（标注节号）与库内 EVM 文档；具体型号选型以 TDK 产品表与雷击测试标准为准。

1. AC 输入侧的档位逻辑：压敏电阻按最大允许 AC 工作电压分档（§1.7.1）。230 V 电网（峰值 325 V）常规选 K275（275 VRMS）档——本库 EVM 例：EVBUM2886 精译 用 V430CH8SM（275 V AC，250 A，80 pF，SMD 3220）；120 V 电网用 K130~K150 档（本库推断，按 §1.7.1 档位规则与公差带上限推算）。
2. “470 V”与“275 V”口径差异：EVBUM2822 精译 的 RT3 = V300LA20AP（Littelfuse，BOM 描述“470 V 压敏电阻，4.5 kA”）——470 V 为压敏电压口径（V1mA）、300 为 300 VRMS 工作电压档，两者不矛盾（该篇 BOM 存疑点⑥已释）；本篇口径下对应 §1.7.5（1 mA 压敏电压）与 §1.7.1（AC 工作电压分档）两条参数。
3. 降额三件事（§1.8）：重复浪涌按“10 倍分档降额曲线”查；>85/125 ℃ 时电压/浪涌电流/能量/平均功耗四项一起降；周期性多次脉冲要算冷却间隔（§1.7.4）。压敏电阻吸收的是“多次事件”不是“无限事件”——Wmax = vmax·imax·trmax 只对定义波形成立。
4. 失效与善后（§1.11/§1.12.1）：中度过载 = 压敏电压漂移 >±10%（不可逆）；严重过载 = 击穿/爆裂、低阻通路 + 后续电流。熔断器不能分断浪涌、只能防后续电流，标称熔断器电流按 §1.12.1 匹配表选；要求自保护时用热耦合的 ETFV/ThermoFuse 型。压敏电阻短路与开路失效模式的讨论另见 Littelfuse 瞬态抑制篇 §失效模式。
5. EVM 的边界声明要当真：EVBUM2886 明言“本演示板未针对浪涌、雷电等优化”——EVM 上的压敏电阻是常规工况配置；要过 IEC 61000-4-5/IEC 62305 类雷击等级（波接口径 1.2/50 µs、8/20 µs，见本篇图 17 常用波形表），须按目标等级重新核算能量与多级配合（防雷等级语境的展开见 Littelfuse 瞬态抑制篇译注）。

译者附注（全库视角）

1. 关键数字速查：α > 30（B60K250 算例 α≈38，V1mA=390 V/V1A=470 V）；响应时间 <25 ns（陶瓷亚纳秒、封装后 >1 ns、ESD 50 A/ns 可处理）；单微压敏电阻 3.5 V@100 µA；晶粒 ⌀10~100 µm（图 3 标 10~50 µm）；比电压 30~250 V/mm；8/20 µs 定义最大非重复浪涌电流、2 ms 矩形波定义最大能量吸收；S14K14 示例核算（22 V±10% → 19.8~24.2 V；18 VDC 下漏电流 6 µA~200 µA；100 A → 35~60 V）；K40 vs K50：S07K40 250 A vs S07K50 1200 A；TC<0.05%/K（1 mA 以上可忽略）；S07 即直径 7 mm、盘径 5~80 mm；引线电感 1 nH/mm。
2. “尺寸定性能”三行口诀（§1.3）：厚度→保护水平（串联）、面积→电流（并联）、体积→能量（吸收体）——选型先定这三个自由度，再按 §1.6.4 检查 K 档重叠。
3. 与 Littelfuse 篇的分工：本篇给“器件怎么做出来、参数怎么定义、怎么降额”；02_Littelfuse瞬态抑制精译给“抑制器为什么必须非线性、MOV vs TVS 怎么选、失效模式怎么权衡”——两篇互为表里。
4. OCR/转写存疑点汇总：①图 3 晶粒直径 10~50 µm vs 正文 10~100 µm（照录，「待核实」）；②图 19 首条温度曲线“10 ℃”疑为 −10 ℃（「待核实」）；③§1.1 末句指向不存在的“Selection procedure”章（本版章节编号 1.1~1.14，无该章）——疑旧版残留；④“Figur 4”“termoplast”类拼写笔误照录；⑤图 16 与图 15 图题相同（具体差异以原 PDF 为准）；⑥§1.7.3 引用的“应用笔记章图 13”（S20K14AUTO 100 J）在本 22 页节选版中不存在，指全册另章——「待核实」。

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