横评：反激 PWM 控制器
版本：2026-10-04 重建版——原文件遗失后按库内各 IC 深读文件收敛重建；数值与结论均可溯源至库内文件。出处格式
型号/文件号：00=规格书全译、01=引脚、02=原理、03=应用计算、04=排障、05=精译、RM=README；源文件中「本库复算」「业界经验」「待核实」等标记原样保留。两颗 IC 的直接对比若无现成结论，标「（本库归纳）」。
反激（Flyback）是小/中功率隔离变换的事实标准拓扑，库内深读的三颗 IC 恰好代表三代控制架构：定频分立 PCM 控制器 → PSR 原边反馈 → 初次级合封高集成。本篇按板块导览的横评定位组织：族内分组 + 选型决策树 + 典型误用；单颗机理与逐值计算进各自文件夹五件套，跨拓扑总决策见 65W 五拓扑同规格对比。
| 参评 IC | 厂商/年代 | 架构 | 封装 | 功率段 | 深读入口 |
|---|---|---|---|---|---|
| UC3842 | TI（原 Unitrode 1984 年设计） | 定频峰值电流模式（PCM），控制器+外部 MOSFET，隔离需光耦/TL431 | SOIC-8/PDIP-8 | 官方例 48 W（85~265 VAC→12 V/4 A） | UC3842/README |
| UCC28700 | TI（SLUSB41A，2012） | PSR 原边反馈（辅助绕组反推），DCM+谷底开关，FM+AM 三段 | SOT-23-6 | 5~10 W USB 充电器 | UCC28700/README |
| InnoSwitch3-EP | Power Integrations（DS Rev. W，2024-06） | 初次级双芯片合封，FluxLink 磁隔离+内置同步整流 | InSOP-24D | 10~100 W（85~265 VAC） | InnoSwitch3/README |
出处：三颗 IC 的架构/封装/功率段见各自
RM首部信息行；48 W 例见UC3842/03；10~100 W 见InnoSwitch3/RM（DS 表 1）。
选型速览
| IC | 一句话定位 | 适用场景 | 关键限制 |
|---|---|---|---|
| UC3842 | 定频峰值电流模式鼻祖——“时钟把开关打开，电流把开关关上” | 48 W 级以下离线反激/正激、48 V 通信辅助电源、学习 PCM、维修通用替换件 | 双极 11 mA 工作电流（无法满足低待机要求）；带宽被 RHP 零点锁死（48 W 例 ≈1.8 kHz）；D>50% CCM 必装斜坡补偿 |
| UCC28700 | 经典辅助绕组反推式 PSR 的教科书型号 | 5~10 W USB 充电器/适配器（五级能效+成本约束下的主要应用领域）、恒流 LED 驱动 | ±5% 精度有所让步；采样只在退磁段（动态/空载精度结构性上限）；5 W 级效率 74%~76%；无 SR 控制接口 |
| InnoSwitch3-EP | 初次级合封+内置 SR，“免光耦 SSR”路线的集成度上限 | 10~100 W USB-PD 高效率适配器、多路输出辅助电源、高输入电压工业电源 | 单封装功率档位固定、H 码决定保护行为；控制律固化，环路自由度小；<10 W 极低成本场景经济性反而更差 |
每格结论出处：各自
RM的“本篇总结”“亮点与短板”“适合谁/不适合谁”节。
族内分组
三代架构演进视角（演进框架出自 UCC28700/RM 生态位节与 InnoSwitch3/RM 差异概述；按精度/待机/成本/外围复杂度四维度的对照为本库归纳）：
- 第一代 · 经典分立定频 PCM（UC3842，1984）：8 个引脚装下振荡器、误差放大器、电流检测比较器、复位优先锁存与 ±1 A 图腾柱驱动，“时钟置位、电流复位”；输入前馈、逐周期限流（150 ns）、双脉冲抑制三件事是结构自带（
UC3842/RM总结 1/2/3）。反馈通道外置——隔离调压必须光耦+TL431（UC3842/02 §3.8）。同族分档：3843 只差 UVLO、3844/45 钳 50% 占空比、CMOS 后继 UCC3802 系管脚兼容（UC3842/RM差异表）。 - 第二代 · PSR 原边反馈（UCC28700）：6 脚+辅助绕组波形反推输出，把光耦+TL431 从 5 W 级 USB 充电器 BOM 里删掉（
UCC28700/RM总结 1）；“省光耦”的代价是 ±5% 精度与“采样只在退磁段”的动态上限（UCC28700/RM生态位）。家族上下文：往下 UCC28710/11/12/17/18 扩展出恒功率、高压启动集成变体（UCC28700/RM总结 9）。 - 第三代 · 初次级合封高集成（InnoSwitch3-EP）：把“控制器+MOSFET+光耦+启动电阻+TL431”五件套连同 SR 驱动一起收进单封装，外围从“几十个元件”降到“十几个元件”（
InnoSwitch3/RM差异概述）；用 FluxLink 磁链把真实次级采样传回原边，把省光耦路线的精度做到光耦级（UCC28700/RM生态位、InnoSwitch3/RM）。
三代在精度 / 待机 / 成本 / 外围复杂度四个维度上的对照（框架为本库归纳，每格事实均标库内出处；无现成定量对比处标“（本库归纳）”）：
| 维度 | 一代：定频分立（UC3842） | 二代：PSR（UCC28700） | 三代：合封（InnoSwitch3-EP） |
|---|---|---|---|
| 精度 | 初级侧调节上限 ±3.2%（EA 2.5 V 门坎）；隔离方案由 TL431 决定 UC3842/03:193、UC3842/02 §3.8 |
±5%（CV/CC）UCC28700/RM |
片内基准“与外围无关”，精度回到光耦级 InnoSwitch3/RM、UCC28700/RM 生态位 |
| 待机 | 11 mA 双极常耗，无法满足 <100 mW UC3842/RM |
<30 mW；≈19.1 mW（本库复算）UCC28700/03 步骤16 |
<30 mW 含线检测；偏置优化后 <15 mW InnoSwitch3/RM |
| 成本 | 元件成本低、维修/克隆生态最好 UC3842/RM |
删光耦+TL431，5 W 级充电器 BOM 最低路线（本库归纳） | 单封装最短 BOM，合封器件有溢价（本库归纳） |
| 外围复杂度 | 控制器+MOSFET+光耦+启动电阻+TL431 五件套拼装 InnoSwitch3/RM |
6 脚+辅助绕组，无需补偿网络 UCC28700/RM、UCC28700/04 §1 |
十几个元件；控制律固化、可调自由度最小 InnoSwitch3/RM、InnoSwitch3/04 问答Q6 |
家族分档与生态补充：UC3842 一族按 UVLO×最大占空比分四型号覆盖“离线/DC-DC × 反激正激/推挽”，同一套设计流程复用四次（UC3842/RM 总结 5）；UCC28700 家族按线缆补偿/输出电压分档延伸出 UCC28701/02/03 与 UCC28710 系（UCC28700/RM Features、总结 9）；InnoSwitch3-EP 按内置开关耐压五档×H 特征码选型（InnoSwitch3/RM 功率档位速览）。
关键参数对比
| 参数 | UC3842 | UCC28700 | InnoSwitch3-EP |
|---|---|---|---|
| 反馈/调节方式 | 光耦+TL431 外环（隔离调压必需；光耦可直接驱动 COMP）UC3842/02 §3.8 |
辅助绕组反推输出，免光耦+TL431 UCC28700/RM |
FluxLink 磁隔离传“周期请求”，免光耦/TL431/补偿外围 InnoSwitch3/RM |
| 输出精度锚点 | 初级侧调节由 EA 2.5 V 门坎（2.42~2.58 V）决定，上限 ±3.2%；隔离方案由 TL431 决定 UC3842/RM、UC3842/03:193 |
±5%（CV/CC），基准 V_VSR=4.05 V（4.01~4.09）UCC28700/RM |
CV 基准 1.265 V（1.25~1.280）/CC 阈值 35.90 mV（35.17~36.62）片内基准，DS 承诺“与外围无关” InnoSwitch3/RM |
| 开关方式与频率 | 定频硬开关，fOSC=1.72/(RRT×CCT)，振荡器到 500 kHz；±10% 初始+5% 温漂 UC3842/RM |
DCM+谷底开关，f_SW 1 kHz（875~1100 Hz）~130 kHz（120~140），44 kHz 为 AM 枢轴 UCC28700/RM |
多模式 QR/CCM/CrM/DCM；启动 25 kHz（23~27）→次级请求 fSREQ 132 kHz（118~145）；抖频 ~7 kHz 频谱展开 InnoSwitch3/RM |
| 电流检测/限流 | ISENSE 阈值 1.0 V（0.9~1.1 V），检测到输出延迟 150 ns typ/300 ns max UC3842/RM |
CS 窗 750/250 mV（K_AM=3），1.5 V 硬过流无消隐，LEB 235 ns UCC28700/RM |
ILIM 两档（INN3679C 1.90/2.13 A，BPP 电容 0.47/4.7 µF）；随频率 30 kHz≈78%→100 kHz≈100%、轻载 30% 下限 InnoSwitch3/RM |
| 功率开关与驱动 | 外接 MOSFET，驱动 ±1 A 峰值/200 mA 平均/25 ns 边沿 UC3842/RM |
外接小功率管，25 mA 电流源开通、DRV 钳位 14 V UCC28700/RM |
内置 725~1700 V MOSFET/PowiGaN 五档+SR 驱动 4.4 V InnoSwitch3/RM |
| 启动方案 | 启动电流 0.5 mA（≤1 mA）+6 V 迟滞→RSTART=100 kΩ、CVCC=120 µF（接管窗口 45 ms）UC3842/03 |
启动态电流 1 µA（≤1.5 µA）→RSTR 15.33 MΩ（EVM 3×5.11 MΩ）UCC28700/RM |
漏极电流源取电；Wait-and-Listen 握手 82 ms，无请求超时 tAR(SK)=1.3 s 后备保护 InnoSwitch3/RM |
| 待机/空载功耗 | 工作电流 11 mA（≤17 mA），双极工艺是低待机设计的固有弱点 UC3842/RM |
空载 <30 mW（五级能效）；本库复算 9.7+6.9+2.5≈19.1 mW UCC28700/03 步骤16 |
<30 mW（含线检测），偏置优化后 <15 mW InnoSwitch3/RM |
| 保护机制汇总 | 逐周期限流（1 V 钳位）+VCC 循环复位打嗝 UC3842/RM |
全部经 UVLO 复位重启处理：OVP 4.6 V≈115%、欠线 220/80 µA、过温 165 ℃ UCC28700/RM |
自动重启 82 ms 节拍+锁死型（H 码决定）+热关断 142 ℃（135~150）、迟滞 70 ℃ InnoSwitch3/RM |
| 环路设计自由度 | 完全自定义（II 型手工整定；带宽上限 fRHPz/4）UC3842/03 §3.12 |
查表控制律“无需稳定性补偿”，输出电容的容量与 ESR 就是“环路” UCC28700/04 §1 |
控制律固化（请求制+ILIM 频率斜坡），外部唯一可调量是 ILIM 档与变压器设计点 InnoSwitch3/04 问答Q6 |
| 官方设计例 | 48 W（85~265 VAC→12 V/4 A，CCM，110 kHz）十二步可复算 UC3842/03 |
5 V/1 A USB 适配器 EVM（SLUU968）实测闭环 UCC28700/RM |
65 W USB-PD（20 V/3.25 A，INN3679C-H606）：D=0.58、tON=8.9 µs、IP=1.54 A、Lp≈2.6 mH@KP=0.8（本库复算）InnoSwitch3/03 |
| 供电窗口（UVLO） | 16 V/10 V 开/关（6 V 迟滞，离线启动档）UC3842/RM |
21 V/8.1 V 开/关（迟滞 12.9 V），工作范围 9~35 V UCC28700/RM |
BPP 4.90 V（4.65~5.15）/BPS 4.40 V（4.20~4.60，UVLO 3.80 V）双芯片各自供电 InnoSwitch3/RM |
| 恒流机制 | 限流即控制律：RCS=VISENSE/Ipk=1.0 V/Ipk，逐周期硬件速度 UC3842/RM 总结9 |
I_OCC=V_CCR×N_PS/(2×R_CS)×η_XFMR，锚点 DMAG_CC=0.425，与 V_OUT 无关 UCC28700/RM |
CC 由副边 IS-GND 35.9 mV 阈值电阻决定，片内基准 InnoSwitch3/RM |
| EMI 手段 | 定频单谱线（初始 ±10%+温漂 5%），手册给出同步参考电路 UC3842/RM |
频率抖动+25 mA 电流源开通（限制 dv/dt）UCC28700/RM |
抖频 ~7 kHz 频谱展开+QR 谷底开通（片内手段）InnoSwitch3/RM |
| 封装与隔离 | SOIC-8/PDIP-8，控制器自身不承担隔离；热阻 117.4/74.1 ℃/W UC3842/RM |
SOT-23-6（DBV），θJA 180 ℃/W，GND 铜箔散热是 DS 官方建议 UCC28700/RM |
InSOP-24D：爬电/间隙 11.4 mm、VIOTM 6.6 kVPK、UL1577 4000 VAC——反馈链路的安规=封装安规 InnoSwitch3/RM |
逐颗点评
UC3842 —— 定频峰值电流模式的鼻祖（对照系）
- 定位：1984 年 Unitrode 设计，把反激电源从“十几个外围器件的电压模式设计”变成“一颗 8 脚 IC 加少量阻容”；8 脚 pin-out 成事实标准（onsemi/ST/KA3842/国产克隆 pin-to-pin），40 年仍在量产（
UC3842/RM总结 1/10）。 - 亮点：
- 输入前馈、逐周期限流（ISENSE 阈值 1 V、硬件 150 ns）、双脉冲抑制三件事结构自带（
UC3842/RM总结 3）； - 官方 48 W 实例十二步定值全部可复算——RSTART=100 kΩ、CVCC=120 µF、RCS=0.75 Ω（本库建议 0.59 Ω）、RRT/CCT=15.4 kΩ/1 nF、Se=44.7 mV/µs（QP=1，MC=2.19）（
UC3842/03）； - 分档生态四型号覆盖离线/DC-DC × 反激正激/推挽，失效模式经 40 年应用已充分掌握（
UC3842/RM总结 5/10）。
- 输入前馈、逐周期限流（ISENSE 阈值 1 V、硬件 150 ns）、双脉冲抑制三件事结构自带（
- 代价：
- 环路带宽被 RHP 零点锁死 fc≤fRHPz/4≈1.8 kHz（48 W CCM 反激例，fRHPz=7.07 kHz，穿越 ≈1.8 kHz、PM≈67°）（
UC3842/03 §3.12）； - 初级侧调节输出精度上限 ±3.2%（EA 2.5 V 门坎）——隔离方案换 TL431 正是为绕开这一条（
UC3842/03:193）； - D>50% 的 CCM 必装斜坡补偿，否则次谐波振荡是数学上必不稳（
UC3842/04 陷阱3）。
- 环路带宽被 RHP 零点锁死 fc≤fRHPz/4≈1.8 kHz（48 W CCM 反激例，fRHPz=7.07 kHz，穿越 ≈1.8 kHz、PM≈67°）（
- 适合谁：从零学 PCM 的人；48 W 级以下离线反激/正激与 48 V 通信辅助电源设计者；维修工程师（
UC3842/RM）。 - 不适合：低待机（<100 mW）；200 kHz 以上高频化；效率 >90%/功率 >150 W（
UC3842/RM）。
UCC28700 —— 经典 PSR 省光耦路线的坐标原点
- 定位：6 脚+辅助绕组波形反推，CV/CC 双环都不需要光耦——“一带一（需光耦可任意调压）与一带二（省光耦但输出形态固定）”分野中的“一带二”（
UCC28700/RM总结 1、差异表）。 - 亮点：
- PSR 采样机理讲得最完整——漏感复位平台 <500 ns（I_PRI 最小）/<1.5 µs（I_PRI 最大）、t_DM 结束前 200 ns 振铃 <100 mV(p-p) 两条判据（
UCC28700/RM总结 4）； - 恒流锚点 DMAG_CC=0.425 内部固定，I_OCC 与输出电压无关——“从 5 V 恒流到 2 V”是架构自带（
UCC28700/RM总结 6）； - 启动态 1 µA→RSTR 15.33 MΩ，待机 ≈19.1 mW 数学上过五级能效（本库复算，
UCC28700/03 步骤16）；官方 EVM 实测闭环（UCC28700/RM）。
- PSR 采样机理讲得最完整——漏感复位平台 <500 ns（I_PRI 最小）/<1.5 µs（I_PRI 最大）、t_DM 结束前 200 ns 振铃 <100 mV(p-p) 两条判据（
- 代价：
- ±5% CV/CC 精度与“采样只在退磁段”的动态上限——负载阶跃性能依赖大容量 C_OUT 支撑（
UCC28700/RM生态位/短板）； - 5 W 级效率 74%~76%（DS 表 1），省光耦是用效率换的（
UCC28700/RM短板）； - 25 mA 驱动能力仅适用于小功率管，>10 W 需看家族后续或 QR（
UCC28700/RM短板）。
- ±5% CV/CC 精度与“采样只在退磁段”的动态上限——负载阶跃性能依赖大容量 C_OUT 支撑（
- 适合谁：做 5~10 W USB 充电器、被五级能效与成本夹击的工程师；想深入理解 PSR 采样机理的人；维修充电器的批量工程师（
UCC28700/RM）。 - 不适合：输出需宽范围调节/精密程控（>±2%）；>15 W、效率 >85% 或高功率密度；需要同步整流深度配合（同族往上看 UCC28781）（
UCC28700/RM）。
InnoSwitch3-EP —— 初次级合封的集成度上限
- 定位：一个封装、两颗芯片——原边管功率（多模式 QR/CCM、抖频、限流、保护），副边管调节（CV/CC 基准、SR 驱动），中间 FluxLink 磁链传“周期请求”而非模拟误差电压（
InnoSwitch3/RM总结 1/2）。 - 亮点：
- CV/CC 精度“与外围无关”（1.265 V/35.9 mV 片内基准，DS 原文承诺）（
InnoSwitch3/RM总结 2）； - 协议级防共导——CCM 先关 SR 再发请求、DCM 由 VSR(TH)=−2.5 mV 过零关断，交叉导通在机制上不可能（
InnoSwitch3/RM总结 6）； - 功率 10~100 W、耐压 725~1700 V 五档，1700 V 版可做 85~670 VAC 或 200~1000 VDC；空载 <30 mW、偏置优化后 <15 mW（
InnoSwitch3/RM总结 5/速查表）。
- CV/CC 精度“与外围无关”（1.265 V/35.9 mV 片内基准，DS 原文承诺）（
- 代价：
- 单封装功率档位固定、型号后缀（H 码）决定保护行为（
InnoSwitch3/RM差异概述）； - 控制律固化，可调自由度远小于控制器+光耦架构——动态指标靠输出电容与选型解决，“这是架构选择，不是缺陷”（
InnoSwitch3/04 问答Q6）； - <10 W 极低成本场景 PSR 更省（
InnoSwitch3/RM不适合谁）。
- 单封装功率档位固定、型号后缀（H 码）决定保护行为（
- 适合谁：10~100 W USB-PD 高效率适配器（过 DoE VI/CoC/<30 mW）；多路输出辅助电源（加权 SSR 反馈的交叉调整是 DS 明示卖点）；900/1250/1700 V 档高输入电压工业电源（
InnoSwitch3/RM）。 - 不适合：追求全负载 ZVS / >100 W 高密度；需要自定义环路动态的特殊瞬态指标（
InnoSwitch3/RM）。
选型决策树
- 按输出精度
- 精密/程控（>±2%）→ 控制器+光耦+TL431（UC3842 架构，精度由 TL431 决定，
UC3842/02 §3.8）；或 InnoSwitch3（片内基准与外围无关，InnoSwitch3/RM）；PSR 直接排除（UCC28700/RM不适合谁）。（本库归纳） - ±5% 可接受（USB 充电器主流）→ UCC28700（
UCC28700/RM）。
- 精密/程控（>±2%）→ 控制器+光耦+TL431（UC3842 架构，精度由 TL431 决定，
- 按待机指标
- <30 mW/五级能效 → UCC28700（≈19.1 mW，本库复算
UCC28700/03 步骤16）或 InnoSwitch3（<30 mW 含线检测，InnoSwitch3/RM）；UC3842 不适用（11 mA 双极常耗，UC3842/RM；65 W 统一规格复算高线 ≥1.4 W，见 65W 对比篇）。（本库归纳） - 无待机硬指标（工业/通信辅助电源）→ UC3842 成熟生态（
UC3842/RM）。
- <30 mW/五级能效 → UCC28700（≈19.1 mW，本库复算
- 按成本
- 5~10 W 极致 BOM → UCC28700：删掉光耦+TL431+副边采样（
UCC28700/RM总结 1）。 - <10 W 还要更便宜 → 用 PSR，不用合封（
InnoSwitch3/RM不适合谁）。 - 10~100 W 批量一致性优先 → InnoSwitch3：单封装+免光耦=最短 BOM 与最小批量差异（
InnoSwitch3/RM适合谁）。 - 维修/教学/通用替换 → UC3842：克隆型号遍地、失效模式经 40 年应用已充分掌握（
UC3842/RM）。
- 5~10 W 极致 BOM → UCC28700：删掉光耦+TL431+副边采样（
- 按功率段
- ≤10 W → UCC28700（主要应用领域，
UCC28700/RM）。 - 48 W 级以下离线反激/正激、48 V 通信辅助 → UC3842（
UC3842/RM适合谁）。 - 10~100 W 高效率 USB-PD → InnoSwitch3（
InnoSwitch3/RM适合谁）；>100 W 本族无适用型号 → 转 QR/ACF/LLC（UC3842/RM不适合谁）。
- ≤10 W → UCC28700（主要应用领域，
- 按集成度/可控性
- 要自定义环路动态/特殊瞬态 → UC3842 架构（控制律固化的代价见
InnoSwitch3/04 问答Q6）。（本库归纳） - 要最短 BOM/免光耦免调试 → InnoSwitch3（精度更高）> UCC28700（成本更低）。（本库归纳）
- 要自定义环路动态/特殊瞬态 → UC3842 架构（控制律固化的代价见
典型误用与家族共性陷阱
四条家族共性（分组为本库归纳；单 IC 十陷阱/十二陷阱原文见各 04 篇）：
| 共性 | UC3842 | UCC28700 | InnoSwitch3-EP |
|---|---|---|---|
| 启动能量窗口 | CVCC 接管窗口 45 ms（120 µF 例）：软启动+辅助接管必须在内完成；辅助绕组极性接反是最常见隐蔽错 UC3842/04 陷阱1 |
RSTR 待机与启动时间两约束：15.33 MΩ+330 nF≈1 s 是标准答案，减到 5~8 MΩ 待机即超 30 mW UCC28700/04 陷阱8 |
四颗小元件决定启动成败：BPP 电容（ILIM 档位锁存）、BPS 2.2 µF、FWD 47 Ω、偏置 ≥7 V InnoSwitch3/04 §2 |
| 反馈/采样通道脆弱 | 光耦 CTR 温漂+老化（−40 ℃ 可跌 20~40%，业界经验），环路唯一“会老化”的增益环节 UC3842/04 陷阱6 |
VS 脚并电容=采样失真（DS 明令禁止）；漏感复位/振铃两判据不达标即输出虚高、CC 点漂移 UCC28700/04 陷阱1/2/3 |
FWD 波形判据 t1+t2=1.5 µs±50 ns 决定握手；不合格→~2 s 周期打嗝假 OVP InnoSwitch3/04 陷阱5 |
| 电流采样断路=保护失效 | RCS 开路→PWM 比较器永不复位→满占空比连环炸 UC3842/04 陷阱9 |
RCS 开路→调节阈值（0.25~0.75 V）与 1.5 V 硬保护同时失效 UCC28700/04 陷阱9 |
IS 采样 35.9 mV 阈值、约 3 倍阈值即禁 SR——Kelvin 布线不是可选项 InnoSwitch3/04 陷阱10 |
| 布局即精度/即稳定 | CCT 独立地线、功率/信号地单点汇聚（共阻抗耦合是地弹根源）UC3842/04 §3.1 |
VS/CS 走线最短、功率环路不穿信号地、钳位回路最短 UCC28700/04 §3 |
SOURCE 铺铜 ≤110 ℃ 兼散热与屏蔽；初-次级 >8 mm 净距+6.4 mm 火花间隙 InnoSwitch3/04 §5 |
各 IC 第一大陷阱：UC3842=CVCC 接管窗口（启动打嗝根因，UC3842/04 陷阱1、UC3842/RM）；UCC28700=VS 脚并电容（DS 明令禁止，EVM 预留位默认不贴，UCC28700/04 陷阱1）；InnoSwitch3=协议前提未满足（“四颗小元件决定启动成败”，InnoSwitch3/04 本篇总结）。
打嗝节拍鉴别（本库归纳）：UC3842 是 VCC 在 16↔10 V 锯齿循环（UC3842/04 陷阱1）；UCC28700 是 21↔8 V 循环、按欠线→OVP→过流→过温→VS 失效五分支排查（UCC28700/04 §4）；InnoSwitch3 是 82 ms/约 2 s/0.2 s/1.3 s 四种节拍对应不同故障源（InnoSwitch3/04 §3）。
与其他拓扑的取舍
- 同规格 65 W USB-PD 总决策：04_65W适配器五拓扑同规格对比按统一规格（20 V/3.25 A、90~264 VAC、待机 <100 mW）复算——UC3842 定频硬开关对各项损耗逐项承担：待机高线 ≥1.4 W、效率上限 ~85%、带宽 1.8 kHz，<100 mW 硬指标直接不满足；五条路线的差异在“各自能省去哪几项损耗、为此付出多少复杂度”（对比篇选型主线）。
- 定频 → 准谐振 QR：谷底开通降开通损耗/EMI，代价是变频（
UC3842/RM差异表）；NCP1342 走“控制器+光耦/TL431”保留反馈灵活性，InnoSwitch3 则取消光耦链路并把 SR 纳入协议管理（InnoSwitch3/RM差异概述）。见 QR 横评。 - PSR 同族往上：UCC28781（ZVSF）AAM/ABM 数字调制+SR 回灌负磁化做初级 ZVS，指向 65 W 高密度 PD（
UCC28700/RM差异表）。见 ZVS 软开关横评。 - 要全负载软开关：InnoSwitch3 高线谷底开通仅借助谐振谷底降压，不承诺全负载 ZVS——看 UCC28781（ZVSF）或 NCP1568（ACF）（
InnoSwitch3/RM差异概述）。见 ACF 横评。 - 效率与 BOM 的两极：NCP1342（效率更高者）与 UCC28700（BOM 更省者）是低待机的两种设计取向（
UCC28700/RM差异表）；InnoSwitch3 以合封溢价同时获得效率与 BOM 优势（本库归纳）。
相关阅读
本板块（01_反激Flyback）
- UC3842/README · 深读：03 官方 48 W 十二步 · 04 十陷阱
- UCC28700/README · 深读：02 PSR 采样机理 · 03 5 V/1 A 设计 · 04 十陷阱
- InnoSwitch3/README · 深读：02 FluxLink 原理 · 03 65 W 设计 · 04 十二陷阱
- 板块导览：30_经典IC精读
跨板块
- 总决策：04_65W适配器五拓扑同规格对比
- 相邻横评：准谐振 QR 控制器 · ZVS 软开关实现 · 有源钳位 ACF
上一级：反激Flyback