01_反激 Flyback —— 小/中功率隔离变换的事实标准
反激（Flyback）凭借单开关、单磁件、天然隔离成为 100 W 以下隔离电源的默认选择：变压器同时承担储能与隔离两项职能，次级无需输出电感。库内深读的三颗 IC 恰好代表三代控制架构的演进——定频分立峰值电流模式 → 原边反馈（PSR）省光耦 → 初次级合封高集成。
本族 IC
| IC | 厂商 | 架构 | 功率段 / 官方例 | 深读入口 |
|---|---|---|---|---|
| UC3842 | TI（原 Unitrode，1984） | 定频峰值电流模式，控制器 + 外置 MOSFET，隔离需光耦/TL431 | 官方例 48 W（85~265 VAC → 12 V/4 A，110 kHz CCM） | UC3842 五件套 |
| UCC28700 | TI（2012） | PSR 原边反馈（辅助绕组反推），DCM + 谷底开关，FM→AM→FM 三段控制律 | 5~10 W USB 充电器（EVM：5 V/1 A） | UCC28700 五件套 |
| InnoSwitch3-EP | Power Integrations | 初/次级双芯片同封装 + FluxLink 磁隔离反馈，内置 725~1700 V 开关与 SR 驱动 | 10~100 W（85~265 VAC）；65 W USB-PD 为 DS 自带设计例 | InnoSwitch3 五件套 |
技术路线
| 维度 | 定频 PCM（UC3842） | PSR（UCC28700） | 合封 FluxLink（InnoSwitch3） |
|---|---|---|---|
| 反馈通道 | 光耦 + TL431 | 辅助绕组电压反推，无光耦 | 片内磁链数字请求，无光耦 |
| 调节精度 | 由 TL431 与外部决定 | ±5%（架构代价） | 由片内基准决定，与外围无关 |
| 频率行为 | 固定，RT/CT 设定 | FM/AM 三段，随负载漂移 | 多模式 QR/CCM，抖频 |
| 主要设计约束 | D>50% 需斜坡补偿；环路带宽被 RHP 零点锁死 | 漏感复位平台与 VS 纹波两条波形判据 | BPP 电容选型定 ILIM 档位 |
延伸阅读
- 路线横评：反激 PWM 控制器横评（族内分组 + 选型决策树 + 典型误用）
- 磁件：反激变压器设计（Lp/匝数/气隙/绕法）
- 环路：环路补偿与 TL431 光耦、TL431
- 跨拓扑决策：65 W 适配器五拓扑同规格对比
上一级：30_经典IC精读 板块导览
开关周期四阶段
图：反激在 CCM 下一个开关周期内磁件电流的四个阶段。开通期电流以 $Vin/L_p$ 斜率上升，退磁期以 $Vor/L_p$ 斜率下降；
t2落在周期内即为连续导通。绘图脚本见同目录make_img.py。