开关电源知识库

XDPS2201 规格书全译 —《XDP 混合反激控制器（XDP Hybrid-flyback Controller）》

原文：Infineon《XDP Hybrid-flyback Controller XDPS2201》Datasheet R1.2，2021-06-10，共 75 页（文档参考号 IFX-mwt1553183552776）。原文 PDF：datasheet/XDPS2201_datasheet.pdf。 本篇为规格书全文忠实翻译：逐节覆盖产品概述/描述/订购与引脚配置（14 脚全列）/框图/功能描述全节（§3.1~§3.4，式 1~50 全部保留并译出变量定义）/保护与故障行为/可配置参数全表（表 5~21）与容差等级（表 22）/绝对最大额定值全表/工作范围全表/DC 电气特性全表逐行（表 26~35）/封装尺寸/版本历史/全部插图（图 1~51）清单。版权归 Infineon Technologies AG。 ⚠️ PDF 文本提取的系统性字形问题与原文内部不一致处均以「译注」标明，禁止猜测处已注明。最典型者：分数被压扁——“12”=½、“N2”=N/2、“13”=1/3（Ω、µ、k 等单位符号提取完好）。 插图为原版图翻拍（img/ds5_* 为本轮新增：典型应用、引脚配置、框图、储能分配、CRM/ZV-RVS 信号与半桥时序、ZV-RVS 谐振腔、启动时序、控制结构、过零检测、过流保护总览与 MFIO 容差曲线；img/fig* 为此前翻拍的同一规格书原图），图注标明原版图号。

1. 产品概述（Product Overview）

1.1 产品亮点（Product Highlights，全译）

1.2 特性（Features，全译）

1.3 目标应用（Target Applications）

AC/DC 开关电源（SMPS）；超高功率密度适配器（> 20 W/inch³）；超高效率 SMPS（> 93%）。

1.4 产品验证（Product Validation）

按 JEDEC47/20/22 的相关测试通过工业应用资格认证。

2. 描述（Description，全译）与订购信息

XDPS2201 内含一个基于非对称半桥（asymmetrical half-bridge）控制的混合反激（Hybrid-flyback）控制器。半桥驱动一只常规反激变压器与一只串联电容。变压器主电感与串联电容构成谐振腔（resonant tank），一方面用于实现半桥功率管的零电压开关（ZVS, Zero Voltage Switching），另一方面在反激变压器的常规退磁阶段提供谐振式功率传输。正常运行时，充电周期及其对应的功率传输由直接峰值电流控制；退磁阶段则为时序控制，以保证半桥功率管达到 ZVS 条件所需的适当负向预磁化。除连续谐振模式（CRM, Continuous Resonant Mode）外，IC 还提供先进的零电压谐振谷底开关（ZV-RVS, Zero Voltage Resonant Valley Switching）与突发模式，在全负载与宽输出电压范围内支持最高效率。

Sales Code 封装 SP 订购代码
XDPS2201 PG-DSO-14 SP005417712

典型应用（图 1）：85~264 VAC 输入、< 75 W 高密度适配器。XDPS2201 的 MFIO 脚接配置与在线校准（Configuration & In-Circuit Calibration）接口，HSGD/LSGD 驱动半桥，HSVCC/HSGND 为悬浮驱动域供电，配合次级同步整流（SR）控制器（经 ZCD/FB 交互）与 NTC。

XDPS2201 典型应用（< 75 W 高密度适配器；原版图 1，翻拍自手册）

3. 引脚配置（原文第 1 章，图 2 + 表 1，全表）

引脚排列（PG-DSO-14）：1 LSGD｜2 N.A.｜3 VCC｜4 GND｜5 ZCD｜6 VS｜7 HV｜8 MFIO｜9 FB｜10 CS｜11 N.A.｜12 HSGND｜13 HSVCC｜14 HSGD。类型：O=输出，I=输入，IO=输入/输出，—=不适用。

符号 脚 类型 功能
LSGD 1 O 低侧栅驱动器：半桥驱动级的低侧栅极驱动
N.A. 2 — 不适用：内部已连接但不使用，应接 GND
VCC 3 I 正电压供电：IC 电源
GND 4 O 地：功率地与信号地合并
ZCD 5 I 过零检测：低侧栅驱动器关断后、跳周期与突发模式的暂停相位中进行过零检测；此外，低侧栅驱动器导通相位期间可测量辅助绕组上反射的输出电压
VS 6 I 电压检测：低漏电流输入检测脚，用于负向磁化控制与各项保护；VS 接电阻分压器以测量母线（bulk）电压
HV 7 I 高压输入：HV 脚经外部电阻和 2 只二极管接交流线；内部 600 V 高压启动单元用于对 VCC 的初次充电
MFIO 8 IO 多功能输入/输出：提供 UART 通信，用于参数配置与故障模式上报；还可测量所接 NTC
FB 9 I 反馈：接收光耦反馈控制信号的输入脚
CS 10 I 电流检测：高侧栅驱动器导通相位期间的电流检测输入脚
N.A. 11 — 不适用：内部已连接但不使用，应接 GND
HSGND 12 O 高侧地：悬浮驱动域的参考地节点
HSVCC 13 I 高侧电源：悬浮驱动域的供电输入
HSGD 14 O 高侧栅驱动器：半桥驱动级的悬浮高侧栅极驱动

引脚配置 PG-DSO-14（150 mil）（原版图 2，翻拍自手册）

4. 框图（原文第 2 章，图 3）

图 3 示出内部框图：HV 启动单元（闭合/断开）与启动单元驱动器、bang-bang 控制（ARM/锁存模式）、brown-in/brown-out 检测（阈值 VVSBIP/VVSSBOP/VVSFBOP/VVSOVP）、UVOFF（VVCCoff/VVCCon 迟滞）与硬件复位、保护模式（自动重启/锁存）、电源管理、Vout 启动控制、峰值功率限制与 OPP 定时器、Vout 过压（VZCDOVP）/欠压（VZCDUVP）保护、Vout 短路保护、过零检测（VZCDTHR，C1 滤波）、混合反激模式控制（CRM/ZV-RVS/DCM 运行）、PWM 逻辑与 HSUVOFF（VHSVCCon/VHSVCCoff）、隔离电平移位器与 HS 栅驱动器、LS 栅驱动器、输出电流控制律、突发模式唤醒/睡眠控制（VFBBMctrl，C2）、传播延迟补偿、逐周期峰值电流控制（PWM+OCP1，VCSSET）、二级过流检测 OCP2（VCSOCP2）、CS 短路保护、外部过温保护（RMFIOOTPtrig/RMFIOOTPrel/NOTPevmax）、UART 通信（参数化与故障模式上报）。内部数字核供电 VVDDP = 3.3 V；FB 脚带上拉电阻 RFBpu；CS 脚内部网络为 10 kΩ/1 kΩ/1 pF。

内部框图（原版图 3，翻拍自手册）

5. 功能描述（原文第 3 章）

功能描述给出集成功能/特性及其相互关系的概览。所述参数或来自第 4 章的可配置参数，或来自第 5.5 节的固定参数。包含：引言（3.1）、供电管理（3.2）、控制特性（3.3）、保护特性（3.4）。

5.1 引言（3.1）

以下简要介绍基于谐振非对称半桥反激拓扑（图 4）的混合反激变换器。功率级：Vin 经半桥（HS/LS）、谐振电感 Lr、变压器 TR（磁化电感 Lm）、谐振电容 Cr（与变压器串联）、输出二极管 Dout 与 Cout；半桥中点电流 IHB 经采样电阻 RShunt 检测（CS），辅助绕组 LAux 经 ZCD 检测。

混合反激功率级（原版图 4，翻拍自手册）

拓扑优势：扩展储能方式——与标准反激及有源钳位（Active Clamp）反激相比，同频率下可用更小的变压器：总能量不只存在变压器里，还有一部分存储在与变压器串联的外部电容 Cr 中。两者储能比例随输入电压变化：输入电压越低，存入电容的能量越多；开关频率同样随输入电压变化，类似临界导通模式反激（图 5：变压器储能 ∝ (Vin−VCr)/Vin，电容储能 ∝ VCr/Vin；fsw 介于 FMax 与 FMin 之间）。

混合反激储能分配及开关频率对输入电压的依赖（原版图 5，翻拍自手册）

ZVS/ZCS：谐振非对称半桥反激功率级在全部 Vin、Vout 条件下可实现初级零电压开关（ZVS）与次级零电流开关（ZCS）。初级功率电路由 Lr 与 Cr 构成的 LC 谐振腔实现，由类似 LLC 的半桥驱动；Lr 为串联电感——可以只是变压器漏感，或漏感加可选外部电感。该结构回收变压器漏感能量，避免传统单管反激的开关损耗。为实现全负载范围的 ZVS 最低开关损耗，提供了两种控制方法（基于 RShunt 电流信号 VCS、辅助绕组电压信号 VZCD 与谷检测数 NRVSval、输入电压 Vin）：连续谐振模式 CRM（3.1.1）与零电压谐振谷底开关 ZV-RVS（3.1.3）。

5.1.1 连续谐振模式 CRM（3.1.1） CRM 中 HS 与 LS 交替开关、无消隐相位，仅半桥中点软谐振换向时存在 HS 开通的短死区 tdeadHS 与 LS 开通的短死区 tdeadLS。图 6/图 7 将谐振非对称反激占空比划分为 6 个相位：

CRM 中混合反激变换器的运行相位（原版图 6，翻拍自手册）

混合反激变换器信号波形（原版图 7，翻拍自手册）

5.1.2 ZVS 运行的边界条件（3.1.2） HS 与 LS 都要实现 ZVS 开通，需要谐振腔 LmCr 电流 IMAG 极性正确，且腔内能量足以在死区 tdeadLS/tdeadHS 内完成 VHB 换向。保证 ZVS 可避免硬开关振荡乃至最坏情况下的体二极管交叉导通（body diode cross conduction）。HS→LS 换向由正向磁化电平保证；LS→HS 换向的 ZVS 靠按输入电压 Vin 调节负向磁化电平实现。

宽 Vout 运行：输出电压可变时，若 LS 导通相位 tLSon 与 HS 开通起始时刻不自适应，Vout 降低后 t3 处退磁电流 IMAG 斜率变缓、退磁期 tdemag 变长（式 7），若仍按固定时序在 t5 时刻开通 HS，会发生 LS 体二极管交叉导通——IMAG 仍为正、VHB 未换向、体二极管续流未结束。按 Vout 自适应脉冲时序即可在全输出电压与负载下达到 ZVS（见 3.3.1.2.1）。图 8 示出该失效情形。

5.1.3 零电压谐振谷底开关模式 ZV-RVS（3.1.3） 负载减小时，CRM 中循环磁化能量相对传输能量比例增大；Vout 降低时退磁时间超过 LrCr 腔谐振半周期，会引发进一步的半桥谐振振荡；LS 在 IHB 振荡期间关断还会因副边漏感引起副边振荡。低输出电流下增大的半桥环流限制了 CRM 的效率上限。为此实现 ZV-RVS 模式：固定峰峰磁化电流、配合频率折返（frequency foldback）运行，降低平均循环磁化电流。ZV-RVS 基于 ZCD 脚对辅助绕组 LAUX 信号的谷检测。变压器退磁结束后的自由振荡与标准反激相同；LAUX 下降沿对应 VHB 上升，反之亦然。为优化运行，在每个 HS+LS 开关周期后插入等待间隙 twaitgap，增大半桥开关周期；twaitgap 取决于设定的跳谷数（skipped valleys）——跳过的谷数随负载减小而增多。ZVS 脉冲之后仅执行一个 HS+LS 半桥开关周期及随后的 twaitgap。ZVS 脉冲的生成方式：在 ZVS 条件下开通 LS，强制负半桥电流电平 IMAGneg 使变压器负向磁化——从而为 HS 开通创造与 CRM 相同的 ZVS 条件（3.1.1）。运行分 8 个相位（图 9）：

工作于 ZV-RVS 模式的混合反激（原版图 9，翻拍自手册）

5.1.4 输出控制方法（3.1.4，式 1~8）

CRM 输出电流控制：可占空比控制，或 HS 峰值电流控制 + LS 导通时间控制的组合。HS 占空比控制下 Vout 与 Vin 关系如下（后续各式均基于理想无损元件并忽略死区）：$$V_{out} = D \times V_{in} \times \frac{L_m}{L_m+L_r} \quad \text{（式 1）}$$

译注：原文提取作 “D × Nin × Lm/(Lm+Lr)”——“Nin” 系 “Vin”（V 带下标 in）提取错位；且提取文本无法确认匝比 N 是否位于分母。结合式 4（VCr_avg = N×Vout）的量纲自洽关系，完整式应为 Vout = D×Vin×Lm/(N×(Lm+Lr))；请以原 PDF 公式图形为准。

占空比 D 由下式确定（tHSon、tLSon 为 HS/LS 开关导通时间；N 为变压器初次级匝比）：$$D = \frac{t_{HSon}}{t_{HSon}+t_{LSon}} \quad \text{（式 2）}$$ 式 1 表明 Vout 与输出电流 Iout 无关。与标准反激控制器相同，仍可采用初级峰值电流控制，使系统成为一阶系统、便于环路补偿。每个半桥开关周期取用的输入功率取决于谐振电容 Cr 上的电压——Cr 在导通期 tHSon 内由 IHB 充电：$$P_{in} = \tfrac{1}{2}\times V_{Cr\_avg}\times (I_{MAGpos}+I_{MAGneg}) \quad \text{（式 3）}$$ VCr_avg 为 Cr 的平均电压，即反射输出电压（输出电压在 LS 导通期反射到绕组 LAUX）：$$V_{Cr\_avg} = N\times V_{out} \quad \text{（式 4）}$$ 理想无损耗系统 Pout = Pin，由此得到输入半桥电流 IHB 与平均输出电流 Iout 的直接关系：$$I_{out} = \frac{P_{out}}{V_{out}} = \tfrac{1}{2}\times N\times(I_{MAGpos}+I_{MAGneg}) \quad \text{（式 5）}$$ 式 5 表明：只须控制 IMAG 即可控制 Iout，且与 Vin、Vout 无关——这与标准反激控制器（峰值电流控制的是输出功率，与输出电压无关）不同。混合反激以两种方式控制磁化时间 tmag 与退磁时间 tdemag（图 7）：tmag 主要由正半桥电流电平 IMAGpos 控制（经 CS 脚在 RShunt 上做峰值电流控制）；tdemag 由调节 tLSon 控制。保持 IMAGpos 不变时增大 tdemag 即增大负磁化电流电平 IMAGneg。输出过流期间，因 HS 开通前需等待过零检测，tdemag 可临时长于 tLSon。各量关系：$$t_{mag} = \frac{L_m\times(I_{MAGpos}-I_{MAGneg})}{V_{in}-V_{Cr\_avg}} \quad \text{（式 6）}$$ $$t_{demag} = \frac{L_m\times(I_{MAGpos}-I_{MAGneg})}{N\times V_{out}} \quad \text{（式 7）}$$

ZV-RVS 输出电流控制：ZV-RVS 在 CRM 基础上加入等待间隙 twaitgap——既不从输入取能也不向输出传能，把由 LS 导通时间决定的最小关断时间拉长。由图 10 推得：Iout 随 twaitgap 增大而减小。由此获得两个控制自由度：半桥电流 IHB 与延长后的半桥开关周期 tHBperiodex：$$I_{out} = \frac{P_{out}}{V_{out}} = \frac{t_{HBperiod}}{t_{HBperiodex}}\times\tfrac{1}{2}\times N\times(I_{MAGpos}+I_{MAGneg}) \quad \text{（式 8）}$$

ZV-RVS 模式运行时 LrCr 谐振腔与 IMAG 电流（原版图 10，翻拍自手册）

5.2 供电管理（3.2）

供电管理保证 IC 运行可靠稳健。IC 运行模式不同，供电管理单元对 VCC 的供电方式也不同：VCC 电容充电与启动时序（3.2.1）；吸合相位的 bang-bang 模式（3.2.2）；保护模式中的 bang-bang 模式（3.2.3）；突发模式期间的 VCC 供电（3.2.4）。

5.2.1 VCC 电容充电与启动时序（3.2.1） VCC 启动时，CVCC 由内部 HV 启动单元经 HV 脚充电（图 11）。HV 脚外接电阻 RHV 串 2 只二极管接 VAC。当 VVCC 低于 IC 失活阈值 VVCCoff（3.4.2）时内部 HV 启动单元开通。VCC 电压在 t0 超过阈值 VVCCon 后，HV 启动单元关断，IC 开始内部硬件初始化流程（图 12）。随后在 t2 达到 brown-in 条件后（3.4.4.1）开始半桥栅驱动操作。此期间 VCC 电容放电，直到 t3 外部 VCC 自供电接管、把 VCC 稳在 VVCCss。

典型启动时序（原版图 12，翻拍自手册）

5.2.2 吸合相位的 bang-bang 模式（3.2.2） brown-in（吸合）相位中 IC 监视 VS 脚电压以判断 Vin 吸合条件；此阶段 VCC 尚未由变压器自供电。为在 Vin 吸合条件达成时立即快速起振，VCC 须维持高电平，为 VCC 自供电接管留足时间。Vin 吸合相位的 bang-bang 模式（HV 启动单元的滞环开关控制）保证高 VCC 电平——可由 Vin 吸合保护或快/慢 Vin 掉电保护触发（图 13，3.4.4）。图 14 示出掉电检测后的 bang-bang 运行：t0 检测到 brown-out 后 IC 立即进入降耗睡眠模式（电流 IVCCBB）。HV 启动单元开通，把 VCC 充到 VVCCon；随后 IC 激活一段时间 tVSBIdet 以检测 Vin 吸合条件，之后再次进入睡眠。t1 时刻 Vin 吸合条件已达成但 IC 仍休眠；到 t2、VCC 超过 VVCCon 使 IC 激活后，才检测到 Vin 吸合条件。

5.2.3 保护模式运行中的 bang-bang 模式（3.2.3） 由自动重启模式或锁存模式触发的 bang-bang 模式，使 IC 在锁存与自动重启期间无需外部 VCC 供电即可运行（3.4.1）：直接控制 HV 启动单元——VCC 达 VVCCon 关断，经过时间 tARMbase 后再开通（图 15）。此期间 VCC 保持高电平，以保证一旦触发即可正常重启；VCC 电流降至 IVCCBB。自动重启模式下另有计数器：累计 NARMstep 个 HV 启动单元充电周期后发起重启（图 16）。锁存运行只能靠断开交流线复位——VCC 跌破 VVCCoff 即发生硬件（HW）复位。

5.2.4 突发模式（BM）期间的 VCC 供电（3.2.4） 突发模式中 IC 反复进入省电模式，电流降至 IVCCBMpsm。进出该模式由 FB 脚反馈电压与唤醒/睡眠控制阈值 VFBBMctrl 比较（3.3.4.2）控制。此外还设有 VCC 脚唤醒阈值 VVCCslpHVon：VVCC 跌破该阈值即开通 HV 启动单元，以使 HSVCC 脚电压高于 VHSVCCon 阈值。HV 启动单元在 IC 经 FB 唤醒或 VVCC 超过 VVCCon 时关断；且进入突发模式时仅发起一个 HV 充电周期。

注意（原文 Note）：系统设计应保证稳态突发模式期间 VVCC 始终远高于 VCC 唤醒阈值 VVCCslpHVon，以避免因从输入高压给 VCC 电容充电而增大偏置损耗。

图 17 示出反馈电压跌破突发进入阈值 VFBBMen 后稳态突发模式的 VVCC 与 IVCC：t0 处的大幅负载跌落可因 Vout 过冲使光耦反馈网络饱和，VVCC 大幅下降、VFB 上升时间显著拉长至 t2；t1 时刻 VCC 跌破 VVCCslpHVon、开通 HV 启动单元，流入 HV 的平均电流 IHV(avg) 取决于 VAC，经 VCC 脚以 IVCCchrg(avg) 给 VCC 电容充电；t2 时刻 IC 经 FB 唤醒、HV 启动单元关断；t3 反馈电压跌破 VFBBMctrl，IC 进入省电模式。

5.3 控制特性（3.3）

本章包含混合反激 PWM 生成与半桥栅驱动的全部功能（表 2）。PWM 生成分为模式控制与输出电流控制两部分：输出电流控制在 HS 导通期 tHSon 内以峰值电流控制正磁化电平 IMAGpos（图 18），并决定 ZV-RVS 中谷数的变更；PWM 控制保证逐周期 ZVS 开关。模式控制直接决定半桥 PWM 时序——死区 tdeadLS、tdeadHS 与低侧导通时间 tLSon，从而为 CRM/ZV-RVS/DCM 各模式确定负磁化电平 IMAGneg。

混合反激控制结构（原版图 18，翻拍自手册）

表 2 控制特性：输出控制（3.3.1）｜模式控制（3.3.2）｜突发模式控制（3.3.4）｜Vout 启动控制（3.3.3）｜频率抖动（3.3.5）｜半桥栅极驱动器（3.3.6）。

5.3.1 输出控制（3.3.1） 连续开关运行时，输出电流仅由正/负磁化电流电平 IMAGpos、IMAGneg 按式 5 控制；FB 脚反馈电压与内部电流设定点 ISET 之间为线性关系（3.3.1.3），该线性关系靠逐周期按 Vin（3.3.1.1）与 Vout（3.3.1.2）调整 tLSon、进而调整 IMAGneg 来实现。IMAGpos 即经 CS 脚在 RShunt 上控制的正半桥峰值电流（图 19）：$$V_{CSpeak} = I_{HBpeak}\times R_{Shunt} = I_{MAGpos}\times R_{Shunt} \quad \text{（式 9）}$$ 输出电压经 ZCD 脚在辅助绕组测量，用于保护功能（3.4.8）与峰峰磁化电流 IMAGpp 补偿，以保证宽输出电压范围内的 ZVS（3.3.1.2）。

3.3.1.1 宽输入电压范围保持 ZVS：靠各运行模式下对负磁化电平 IMAGneg 的 Vin 前馈补偿实现。输出电流控制基于标称输出电流 Ioutnom¹（可配置，表 5）设计：$$I_{outnom} = \tfrac{N}{2}\times I_{MAGposnom}(V_{in};V_{out};Mode) + I_{MAGneg}(V_{in};Mode) \quad \text{（式 10）}$$ CS 峰值电流控制因此取决于输入、输出电压与模式（它们直接影响 IMAGneg）。IMAGneg 已按 Vout 补偿（3.3.1.2），故输入电压补偿只需最小/最大 Vin 两个设定点（图 20）：最小 Vin——IMAGnegnom²（可配置，表 6）引起的自然自由振荡应能完成中点完全换向；最大 Vin——CRM 用 IMAGnegmaxCRM²、ZV-RVS 用 IMAGnegmaxRVS²（两者可不同）设定所需的额外负磁化。

3.3.1.2 宽输出电压范围保持 ZVS：Vout 降低时变压器退磁时间 tdemag 延长、时间周期 tTRANS 变长。靠调整 LS 导通时间 tLSon 匹配变化后的 tTRANS，在恒定输出负载下保持同一 IMAGneg（图 21）。tTRANSRVS0V 为 Vout = 0 V 时的时间周期，由 tTRANSRVS0V%³（可配置，表 6）导出：$$t_{TRANSRVS0V} = t_{TRANSRVS0V\%}\times t_{TRANSnom} \quad \text{（式 11）}$$

3.3.1.2.1 CRM 中的逐周期 ZVS 运行：Vout 快速下降（图 8）或 IMAGpos 快速上升（3.3.2.5）时，固定 LS 导通时间下退磁时间可能过短，造成硬开关甚至变压器仍正向磁化时的体二极管交叉导通。为保证逐周期 ZVS，控制器仅在 ZCD 脚电压（图 18）指示 VHB 正在变化时才开通 HS。做法：以目标延时 tLS2ZCD（LS 关断下降沿到 ZCD 脚随后出现的下降沿）为目标调节 IMAGneg（图 22）。LAUX 极性须满足：VHB 上升对应 VZCD 下降。控制器观测 tLS2ZCD，必要时延长下一次 LS 导通期。图 22 例：相位 t2~t3 中，死区 tdeadHS1 由较小的 IMAGneg1 决定，VHB 上升斜率慢、过零检测延迟，t3 开通 HS 未达完全 ZVS；把增大后的延时作为输入，在相位 t5~t6 延长 LS 导通时间，间接把负半桥电流提高到 IMAGneg2。LS 的 ZVS 条件靠合理设定死区 tdeadLS 保证（3.3.2.1）。仅 DCM 极轻载时第一个 LS 开通周期可能出现部分硬开关——且只发生在长等待期、退磁已完成之后，不引起体二极管导通问题（3.3.2.3）。

利用 LAUX 的过零检测确保 ZVS 运行（原版图 22，翻拍自手册）

5.3.1.3 输出电流控制律（3.3.1.3，式 12~21） 图 23 示出从 FB 反馈输入到 CS 峰值电流设定的控制路径：请求的输出电流对应反馈信号的内部 ISET；再按 Vin 测量与模式运算出所需峰值电流设定。反馈电压 VFB 与 Iout 在最大输出电流边界 IoutOCP1max 与突发进入电流 IoutBMen 之间线性相关（图 24）。可配置电流设定点 ISETxxx% 以标称设定点 ISETnom% 的百分比定义；ISETnom% 决定 FB 工作电压范围 VFBOPmax 的百分比位置 VFBnom，ISETnom% = 50%（作为无量纲系数使用）：$$V_{FBnom} = I_{SETnom\%}\times V_{FBOPmax} + V_{FBOPmin} \quad \text{（式 12）}$$

原文 Note：突发模式退出阈值设定点 ISETBMex% 仅在突发模式期间有效，仅作内部比较参数，不对应反馈电压电平（3.3.4.4.1）；ISETstmax% 同理，仅在 Vout 启动控制（3.3.3）期间有效，用于提供额外的输出充电电流。

图 25 示出各可配置设定点及其与 VFB 的关系。其余设定点 ISETxxx% 对应的反馈电压：$$V_{FBxxx} = I_{SETxxx\%}\times I_{SETnom\%}\times V_{FBOPmax} + V_{FBOPmin} \quad \text{（式 13）}$$ 偏移 VFBOPmin 考虑了光耦输出进入饱和前的最小工作电压电平。CS 脚峰值电流设定：将 RShunt 电压与内部导出阈值 VCSxxx 比较，IMAGxxx = VCSxxx/RShunt：$$I_{MAGxxx} = \frac{V_{CSxxx}}{R_{Shunt}} \quad \text{（式 14）}$$ VCSxxx 除 ISET% 外还取决于 Vin 与模式：CRM 运行：$$V_{CSxxx} = I_{SETxxx\%}\times I_{SETnom\%}\times V_{CSOPmax} + I_{MAGneg}(V_{in})\times R_{Shunt} \quad \text{（式 15）}$$ ZV-RVS 运行：$$V_{CSxxx} = \frac{t_{HBperiod}}{t_{HBperiodex}}\times\Big[I_{SETxxx\%}\times I_{SETnom\%}\times V_{CSOPmax} + I_{MAGneg}(V_{in})\times R_{Shunt}\Big] \quad \text{（式 16）}$$ VCSOPmax 为 CS 脚最大工作电压范围。RShunt 按标称输出电流 Ioutnom 与标称设定点 ISETnom% 设计（ISETnom% 同时决定 CS 脚 VCSOPmax 的百分比位置 VCSOPnom）：$$R_{Shunt} = \tfrac{N}{2}\times\frac{I_{SETnom\%}\times V_{CSOPmax}}{I_{Outnom}} \quad \text{（式 17）}$$

译注：原文提取作 “RShunt = N2 × ISETnom%/IOutnom × VCSOPmax”，“N2” 即 N/2（全局译注见文首）。

在 Vin(min)、Vin(max) 两个角落，标称设定点 ISETnom% 下的预期峰值电流设定可按下式计算：CRM（最小峰值电流设定，标称负载、Vin(min)）：$$V_{CSnom(min)} = I_{SETnom\%}\times V_{CSOPmax} + I_{MAGnegnom\%}\times\frac{2\times I_{Outnom}}{N}\times R_{Shunt} \quad \text{（式 18）}$$ ZV-RVS（同上条件）：$$V_{CSnom(min)} = \frac{t_{HBperiod}}{t_{HBperiodex}}\times\Big[I_{SETnom\%}\times V_{CSOPmax} + I_{MAGnegnom\%}\times\frac{2\times I_{Outnom}}{N}\times R_{Shunt}\Big] \quad \text{（式 19）}$$ CRM（最大峰值电流设定，标称负载、Vin(max)）：$$V_{CSnom(max)} = I_{SETnom\%}\times V_{CSOPmax} + I_{MAGnegmaxCRM\%}\times\frac{2\times I_{Outnom}}{N}\times R_{Shunt} \quad \text{（式 20）}$$ ZV-RVS（同上条件）：$$V_{CSnom(max)} = \frac{t_{HBperiod}}{t_{HBperiodex}}\times\Big[I_{SETnom\%}\times V_{CSOPmax} + I_{MAGnegmaxRVS\%}\times\frac{2\times I_{Outnom}}{N}\times R_{Shunt}\Big] \quad \text{（式 21）}$$

3.3.1.3.1 CRM 期间的电流控制：CRM 中 IMAGneg 只按 Vin 控制到目标值（3.3.1.1），由调整 tLSon 实现；Iout 与正磁化设定电平呈线性：$$I_{out} = \tfrac{N}{2}\times I_{MAGpos}(V_{in}) + I_{MAGneg}(V_{in}) \quad \text{（式 22）}$$ IMAGpos 由 CS 峰值电流控制，基于与内部目标电流设定点 ISET 的关系；ISET 是 Iout 的比例表示：$$I_{SET} = \tfrac{N}{2}\times I_{out} \quad \text{（式 23）}$$ $$I_{MAGpos}(I_{SET};V_{in}) = I_{SET} - I_{MAGneg}(V_{in}) \quad \text{（式 24）}$$

译注（式 10/22/23/26 系数口径，合并说明）：原文式 5/8/40 写作 Iout = ½·N·(IMAGpos+IMAGneg)，而式 10/22/26 写作 Iout = (N/2)·IMAGpos + IMAGneg、式 23 写作 ISET = (N/2)·Iout。后者与式 5+式 24（IMAGpos+IMAGneg = ISET ⇒ Iout = ½·N·ISET ⇒ ISET = (2/N)·Iout）不自洽；结合表 6 对 IMAGneg%（“以 Ioutnom×2/N 为基准”）及式 18（IMAGnegnom%×2·Ioutnom/N）的定义推断，式 10/22/26 中的 “IMAGneg” 实为折算到一次侧的反射量（即 N/2×IMAGneg），式 23 的 N/2 疑为 2/N 之误。使用时以式 5 物理定义与式 15/17/18 的可验证关系为准。

负载减小时 tLSon 缩短，直至达到最小周期 tTRANSnom；负载再减则 tLSon 保持恒定，峰峰磁化 IMAGpp 恒定（图 19）：$$I_{MAGpp} = I_{MAGpos} - I_{MAGneg} \quad \text{（式 25）}$$

3.3.1.3.2 ZV-RVS 模式期间的电流控制：ZV-RVS 中 IMAGpos 的峰值电流控制须几乎恒定（3.3.2.2.1），以保证退磁时间长于 LrCr 腔半谐振周期；故在 tTRANSnom 结束后直接插入等待间隙 twaitgap（图 19），把半桥周期延长为 tHBperiodex，输出电流相应减小：$$I_{out} = \frac{t_{HBperiod}}{t_{HBperiodex}}\times\Big(\tfrac{N}{2}\times I_{MAGpos} + I_{MAGneg}\Big) \quad \text{（式 26）}$$ tHBperiodex 的控制经谷底跳过控制（3.3.2.2.1）按 ISET 与 Vin 进行：$$t_{HBperiodex}(I_{SET};V_{in}) = t_{HBperiod}\times\frac{I_{MAGpos}+I_{MAGneg}(V_{in})}{I_{SET}} \quad \text{（式 27）}$$

5.3.1.4 传播延迟补偿 PDC（3.3.1.4，式 28~31） 峰值电流控制中，传播延迟会影响实际达到的峰值电流限值（图 26）：偏高的峰值随后由 FB 闭环补偿拉低。IMAGpos 过冲量取决于变压器输入绕组 Lm 上的电压（取决于 Vin 与谐振电容反射电压 VCr）——电压越高 IMAGpos 上升斜率越陡。总延迟 tPDCOPC1 造成的过冲：$$\Delta I_{MAGposcomp} = \frac{V_{in}-V_{Cr}}{L_m}\times t_{PDCOPC1} \quad \text{（式 28）}$$ tPDCOPC1 由 OCP1 比较器与栅驱动器的内部延迟 tPDint、功率管关断及中点寄生电容造成的外部延迟 tPDext 组成：$$t_{PDCOCP1} = t_{PDint} + t_{PDext} \quad \text{（式 29）}$$

译注：式 28 原文参数名印作 tPDCOPC1，式 29 印作 tPDCOCP1，表 21 作 tPDC——同一参数三种拼法，以式 29/表 21 为准。

该 Vin/VCr 相关性影响应用中电流设定点阈值的精度，故对此加以补偿，以避免 VFB 误差。PDC 用式 28，按可配置参数 tPDCOCP1⁴（表 21）、VS 脚测得的输入电压与 ZCD 脚测得的反射输出电压，计算 ΔIMAGposcomp。Lm 由其他可配置参数提取：$$L_m = \frac{V_{VSVCRnom}\times t_{TRANSnom}}{I_{MAGpp}} \quad \text{（式 30）}$$

译注：式 30 分子 “VVSVCRnom” 为 PDF 提取的并排下标，原意无法完全确认；按量纲（Lm = 电压×时间/电流）与上下文（tTRANSnom 传能期、IMAGpp 峰峰磁化电流）推断为 Lm 绕组在传能期的标称电压（由 VS 输入测量与 ZCD 反射输出测量共同确定），请以原 PDF 为准。

峰值电流设定的补偿：用 ΔIMAGposcomp 降低内部目标峰值电流设定点：$$I_{MAGposcomp} = I_{MAGpos} - \Delta I_{MAGposcomp} \quad \text{（式 31）}$$

5.3.2 PWM 控制方案（3.3.2，表 3）

表 3 PWM 控制：CRM 控制方案（3.3.2.1）｜ZV-RVS 模式控制方案（3.3.2.2）｜DCM 控制方案（3.3.2.3）｜模式切换控制（3.3.2.4）｜过流控制（3.3.2.5）。

3.3.2.1 CRM 控制方案（式 32~33）：PWM 控制的目标是逐半桥周期 ZVS——靠整定负电流电平 IMAGneg（图 27）。死区 tdeadLS⁵（可配置，表 7）固定不变，因为此时峰值电流足够高，足以为 LS 提供良好 ZVS。HS 开通死区取决于输入电压与模式，CRM 中由两段组成：$$t_{deadHS}(V_{in};CRM) = t_{LS2ZCD}(V_{in}) + t_{ZCDfefilCRM} \quad \text{（式 32）}$$ tLS2ZCD 在 LS 关断（t0）到过零检测（t1）之间捕获，与基于 Vin 的目标值比较：最短时间 tLS2ZCDmin⁵ 出现在最大输入电压，最长 tLS2ZCDnom⁵ 对应最小输入电压（图 28）。下一半桥周期按 ΔtLSon 调整 LS 导通时间：$$\Delta t_{LSon} = t_{LS2ZCD}(V_{in}) - t_{LS2ZCDcap} \quad \text{（式 33）}$$ tLS2ZCDcap 为捕获值。延长 tLSon 增大 IMAGneg、缩短中点换向时间——负磁化由此自整定到 3.3.1.1 的目标值，并为 CS 峰值电流设定所需的内部精确输出电流估算提供支撑。缩短 tLSon 的下限由最大输出电压时的 tTRANSnom⁵ 决定。tdeadHS 的第二段为固定周期 tZCDfefilCRM⁵——把 HS 开通从过零检测（t1）再延迟到 t2（图 27）。HS 开通后，峰值电流限制须待前沿消隐期 tHSleb⁵ 结束才生效——该参数同时决定 HS 的最小导通时间。

CRM 运行的半桥时序（原版图 27，翻拍自手册）

3.3.2.2 ZV-RVS 控制方案（式 34）：ZV-RVS 含 ZVS 脉冲生成的相关时序（图 29）：在每个 HS+LS 半桥周期后的 t0 插入 twaitgap 以控制输出电流（3.3.1.3.2）；ZVS 脉冲在 t1 过零上升沿达到目标谷数、并经延时 tZCDrefilRVS⁶（可配置，表 8）后，由开通 LS 发起；ZVS 脉冲之后开 HS 的死区固定为 tdeadHSRVS⁶；随后的 tdeadLS 与 CRM 相同。所需 ZVS 脉冲长度由目标负磁化电平 IMAGneg、磁化电感 Lm 及输出电压决定：$$t_{ZVS} = \frac{I_{MAGneg}\times L_m}{N\times V_{OUT}} \quad \text{（式 34）}$$ IMAGneg 已按 Vin 自适应（3.3.1.1）。最短 ZVS 脉冲出现在最低输入+最高输出电压时，由参数 tZVSmin⁷（可配置，表 8）限定最小可调脉冲长度。

ZV-RVS 模式运行的半桥时序（原版图 29，翻拍自手册）

原文 Note：为保证正常工作，tZVSmin 应等于或长于 SR 控制器的最小导通时间。

3.3.2.2.1 谷底跳过控制（式 35~36）：ZV-RVS 中以谷检测决定 ZVS 脉冲的开通时刻（图 29）。退磁后的等待时间 twaitgap 按目标检测谷数控制：ZCD 信号下降沿经 tZCDfefilRVS⁸ 滤波后检出即计一个谷。目标谷数每半桥周期按内部导出的峰值电流设定 IMAGpos 与阈值 IMAGposRVS(+)/IMAGposRVS(−) 的比较调整：IMAGpos 低于 IMAGposRVS(+) 时目标谷数加一、超过 IMAGposRVS(−) 时减一——构成迟滞，避免稳态数值跳动。迟滞量：$$I_{MAGposRVShys} = \tfrac{1}{3}\times I_{MAGposnom} \quad \text{（式 35）}$$ 两个阈值均取决于经 ZCD 测得的输出电压，随输出电压降低而降低（图 30）；给定输出电压下 CS 峰值电流设定被保持在 IMAGposRVS(-) 与 IMAGposRVS(+) 之间几乎恒定。IMAGposRVS(+) 由标称输出电压处的 IMAGposnom 与 Vout = 0 V 处的 IMAGposRVS0V 两点确定：$$I_{MAGposRVS0V} = I_{MAGposRVS0V\%}\times I_{MAGposnom} \quad \text{（式 36）}$$ 请求的目标谷数设有上限，达到上限即转入 DCM（3.3.2.4）。

3.3.2.3 DCM 控制方案：DCM 控制与 ZV-RVS 模式中 ZVS 脉冲的触发相关联。轻载 ZV-RVS 受 ZCD 可检测过零数上限的限制——twaitgap 拉长后振荡幅度随之减小（图 10）。输出电流再减，twaitgap 继续增大，直至 ZVS 脉冲在无过零检测的情况下发起；随后的半桥周期仍在 ZVS 条件下执行（3.3.2.2）。twaitgap 只增大到扩展半桥周期 tHBperiodex 达到最小半桥开关频率 FDCMmin¹⁰（可配置，表 9）对应的周期为止；输出电流再降则 VFB 下跌直至越过突发进入阈值（3.3.4.1）。DCM 可用 ENDCM¹⁰ 禁用。

3.3.2.4 模式切换控制：CRM↔ZV-RVS：观测 FB 与 ZCD 脚信号电平是否越过切换阈值（图 31）。VFB 决定内部设定点 ISET% 并与设定点阈值比较（3.3.1.3）：CRM 中以 ISETCRM2RVS%¹¹ 与 ZCD 阈值 VZCDCRM2RVS¹¹（可配置，表 19）切向 ZV-RVS；ZV-RVS 中以 ISETRVS2CRM%¹¹ 与 VZCDRVS2CRM¹¹ 切回 CRM。ZV-RVS↔DCM：控制环请求的谷数超出最大谷数 NRVSvalmax¹²（可配置，表 9）即进入 DCM；进入后峰值电流设定增加 IMAGposRVS(+) 的 25% 偏置；DCM 期间持续观测谷数——若 ZVS 脉冲在少于 NRVSvalmax 个谷的时段内发起，即切回谷同步的 ZV-RVS；离开 DCM 后移除该 25% 偏置，构成进入/离开迟滞。

3.3.2.5 过流控制：混合反激拓扑支持高过流水平下的运行且保持高效率：此时按 3.3.1.3.1 诸式以 CRM 运行。反馈信号要求的设定点高于 ISETnom 时，靠提高峰值电流设定获得所需的额外环流；同时延长传能时间 tTRANS 以增大 IMAGneg、满足 HS 开通的 ZVS 条件（3.3.1.2.1）。若估算过流在规定时间内超过过流设定点，则进入保护模式（3.4.7）。

5.3.3 Vout 启动控制（3.3.3，式 37~38） IC 经 ZCD 脚反射电压观测输出电压，实现 Vout 启动控制（图 34）。启动请求发生在 IC 硬件复位后或自动重启模式中 VCC 充至超过 VVCCon 时（3.2.1）。此刻校验 4 个条件：① 吸合条件 VVS > VVSBIP（3.4.4.1）；② 无输入过压 VVS < VVSOVP（3.4.4.4）；③ 反馈信号在调节范围外 VFB > VFBBMctrl；④ 无过温 RMFIO > RMFIOOTPrel（3.4.9）。条件 ①~③ 须在 tstupcheck 内成立，随后校验条件 ④。任一条件不满足则进入吸合相位 bang-bang 模式（3.2.2）。全部成立后 IC 准备第一个 HS 脉冲：先按 Vin 算出最大导通时间 tHSonmax，用于 HS 开通时检查 RShunt 短路（CSSCP，3.4.6）；但在开 HS 之前先生成首个 LS 脉冲（tZVSst1st¹³，可配置，表 11）给 HSVCC 脚的自举电容预充电。此后 ZVS 脉冲长度固定为 tZVSstup，直到 ZCD 电压超过阈值 VZCDtZVSstup：$$t_{ZVSstup} = k\times\frac{I_{MAGneg}\times L_m}{V_{ZCDtZVSstup}} \quad \text{（式 37）}$$ 随后 tZVS 随 VZCD 升高而减小（图 32）。ZCD 搜索相位中统计半桥开关周期数：HS 关断后若无过零检测，经 tstartzcdto¹³ 生成下一个 ZVS 脉冲；ZCD 信号缺失且周期数超过 NHBcyclemax¹³ 则进入 Vout 短路保护（VoutSCP，3.4.8.3）。进入 ZCD 搜索相位后，首个 CS 峰值电流设定从过流设定点 ISETOCP1lev1% 起步并保持恒定，直到 VZCD 超过 VZCDtZVSstup；此后 Vout 启动控制以 ZCD 测量电压与目标电压设定点 VZCDtarget 的比较决定峰值电流设定——VZCD 低于目标则逐周期线性增大 VCS，高于则线性减小；IC 每经过一个 tSLWTASK 就把递增目标值逐级抬高（图 33）。启动期电流设定点最大范围受 ISETstmax%¹³ 限制。递增电压步长由斜升时间 tstartramp¹³ 决定：$$\Delta V_{ZCDstinc} = \frac{V_{ZCDnom}\times t_{SLWTASK}}{t_{startramp}} \quad \text{（式 38）}$$ IC 以此按初级侧受控方式提升输出电压。ZCD 电压超过 VZCDRVS2CRM 后 PWM 切换到 CRM 方案。启动相位在 FB 反馈环接管峰值电流控制时结束——即 VFB 决定的峰值电流设定低于 VZCD 斜坡控制所决定的设定点之时。启动相位最长受定时器 tstartto 限制，超时即启动超时（STTOP，3.4.5）。

译注：原文此节 “VZVDtarget”（一处）与 “VZCDtarget”（其余各处）拼写不一；图 18 框图亦作 VZVDTHR 而表 34 作 VZCDTHR——同一信号两种拼法，以表 34 为准。

5.3.4 突发模式控制（3.3.4） 突发模式控制块使 IC 在轻载进入高效运行模式：插入较长不开关相位、IC 进入睡眠，降低平均开关与偏置损耗。支持慢/快两种突发退出，以便从迟滞式突发帧通断控制切回线性反馈控制时平滑接管（图 35）。功能：进入（3.3.4.1）、运行（3.3.4.2）、自举预充电（3.3.4.3）、退出控制（3.3.4.4）。

3.3.4.1 突发模式进入（式 39）：FB 电压与阈值 VFBBMen 比较；VFB 跌破 VFBBMen 即停止生成下一开关脉冲、进入睡眠（电流 IVCCBMpsm），从而进入突发模式。VFBBMen 与电流设定点 ISETBMen¹⁴（可配置，表 10）对应，由输出电流控制律定义：$$V_{FBBMen} = I_{SETBMen\%}\times I_{SETnom\%}\times V_{FBOPmax} + V_{FBOPmin} \quad \text{（式 39）}$$ 进入突发后，电流控制律切换为 CS 脚最小固定峰值电流设定，基于 IMAGposRVS(+) + IMAGneg（图 30）。进入时 HV 启动单元执行一次 VCC 充电，睡眠相位中 VCC 电流降低（3.2.4）。

3.3.4.2 突发模式运行（式 40~41）：稳态突发基于突发帧通断控制：FB 电压与反馈突发控制阈值 VFBBMctrl 比较——由该阈值决定（下降沿）在活动相位内至少产生一个开关脉冲之后何时进入睡眠相位；睡眠相位中同一比较器以上升沿唤醒、触发突发帧导通模式 tBMfon（图 36）。睡眠相位中 VFBBMctrl 可能略低于活动相位中的取值。突发帧占空比与突发频率完全由 VFB 控制。突发帧导通期 tBMfon 内传输的能量基于 ZV-RVS 开关周期（3.3.1.3.2），CS 峰值电流设定只取决于 Vout，并以第一谷为 ZVS 脉冲起点。突发模式中峰值电流设定 IMAGpos 固定为 IMAGposRVS(+) + IMAGneg（图 30），突发导通帧期间输出电流受限为：$$I_{outBM} = \frac{t_{HBperiod}}{t_{HBperiodex}}\times\tfrac{1}{2}\times N\times(I_{MAGposRVS(+)}+I_{MAGneg}) \quad \text{（式 40）}$$ 平均输出电流取决于突发导通帧占空比（图 37）：$$I_{out} = \frac{t_{BMon}}{t_{BMperiod}}\times I_{outBM} \quad \text{（式 41）}$$

3.3.4.3 突发模式自举预充电：极轻载突发模式睡眠期长、无开关动作，睡眠期 tBMslp（图 36）内 HSVCC 跌破关断阈值 VHSVCCoff、悬浮 HS 栅驱动器失活（HSUVOFF，3.4.3）。HSVCC 超过开通阈值 VHSVCCon 后，HS 栅驱动器经延时 tHSGDdelen（3.3.6）使能、可开通功率管。为保证长睡眠后 HS 开通时 HSVCC 供电正常，在执行 ZV-RVS 模式之前先插入预充电脉冲（图 38）：其作用仅是把 HSVCC 充到 VHSVCCon 之上、使 HS 栅驱动器提前使能。预充电脉冲长度 tBMprepulse¹⁵（可配置，表 10）的设定须考虑使能延时 tHSGDendel——该延时内还会发生一次半桥振荡与一个 ZVS 脉冲周期。仅当捕获的突发睡眠期超过阈值 tBMslpthrpp¹⁵ 时，才在突发导通帧开头、后续 ZV-RVS 开关周期之前插入预充电脉冲。

3.3.4.4 突发模式退出控制（式 42~43）：支持负载跳变或负载缓慢增大越过退出设定点时平滑切回闭环反馈。两条退出路径：强负载跳变走快退出（3.3.4.4.2）、立即全额传能；缓增负载走慢退出（3.3.4.4.1）以平滑切换、避免输出振荡；较小的负载跳变即使触发快退出也不应引起振荡。两需求靠在按输出电流控制律（3.3.1.3）求内部设定点 ISET% 时对测量反馈电压 VFB 叠加偏置 ΔVFBBM<x>exoffs 解决：进入跟踪模式（CRM 或连续 ZV-RVS）后，该偏置每半桥周期线性递减（图 39）。突发模式中反馈控制律只含两个 FB 阈值与一个内部设定点阈值（图 40）：VFBBMctrl 控制突发导通帧与睡眠相位；VFBBMfastex 立即离开突发模式；ISETBMex% 基于输出电流估算缓慢离开突发模式。退出条件满足即切换电流控制律——此刻反馈电压对应的设定点与稳态连续运行时不同。例如慢退出时 ISET%(VFB) > ISETBMex%，反馈电压约为 VFBBMctrl，接近标称设定点 ISETnom%；而正常所需的 ISETBMex% 及对应 VFBBMex 电平低得多——若外部环路调整慢，输出就会过冲。对测量 VFB 叠加偏置可立即保证 CS 峰值电流控制获得正确的内部设定点；随后逐周期线性减小偏置，调节器得以平滑稳定到目标反馈点（对应控制律要求的内部设定点）。突发慢退出后的目标反馈点由式 13 计算：$$V_{FBBMex} = I_{SETBMex\%}\times I_{SETnom\%}\times V_{FBOPmax} + V_{FBOPmin} \quad \text{（式 42）}$$ 故慢退出后叠加的偏置为：$$\Delta V_{FBBMslwexoffs} = V_{FBBMex} - V_{FBBMctrl} \quad \text{（式 43）}$$

3.3.4.4.1 突发模式慢退出：基于输出电流估算——捕获突发模式中的突发帧占空比（式 41）。当估算电流在 NBMexreqthr¹⁶（可配置，表 10）个突发帧周期内超过设定点 ISETBMex%¹⁶，即切换控制律到连续运行、激活偏置 ΔVFBBMslwexoffs 并以 ZV-RVS 运行进入跟踪模式。

3.3.4.4.2 突发模式快退出：负载跳变超过突发导通帧内设定的固定传能电平时，反馈电压继续上升；若尚未触发慢退出，则越过快退出阈值 VFBBMfastex¹⁷（可配置，表 10）后切换控制律。若 VZCD 高于阈值 VZCDRVS2CRM，IC 在随后的最初几个半桥周期以 CRM 运行；可用 ENBMfastexCRM¹⁸ 禁用。

5.3.5 频率抖动（3.3.5，式 44~48） 抖动功能仅在 CRM 运行时起作用，且取决于 VS 脚电压：VS 超过阈值 VVSJitteren¹⁹（可配置，表 20）即使能。抖动的生成方式：调制 IMAGpos 与 IMAGneg，但二者之和 IMAGtot 保持恒定——Iout 亦保持恒定，不受开关周期调制影响（式 5）：$$I_{MAGtot} = I_{MAGpos} + I_{MAGneg} \quad \text{（式 44）}$$ 峰峰磁化电流 IMAGpp 的调制：直接调整 CS 脚的峰值电流阈值（IMAGpos），并经改变 tLSon 间接调整 IMAGneg（3.1.1）：$$I_{MAGpp} = I_{MAGpos} - I_{MAGneg} \quad \text{（式 45）}$$ 负磁化电流变化后，闭环相应调整 IMAGpos。半桥开关频率变化量 ΔFHBsw 由目标抖动展宽 dJitterspread%¹⁹（以无抖动开关频率的百分比给定）设定：$$\Delta F_{HBsw} = F_{HBsw}\times d_{Jitterspread\%} \quad \text{（式 46）}$$ $$\Delta t_{HBsw} = \frac{1}{\Delta F_{HBsw}} \quad \text{（式 47）}$$ 目标开关周期的改变以一个主时钟周期 tMCLK 为步长逐级进行；每次调整在延时 tJitterstpdel¹⁹ 后进行，给环路留出整定到新 IMAGneg 电平的时间。抖动先把 IMAGneg 逐级增大，直至对应开关周期超过目标最大抖动开关周期：$$t_{Jitterpermax} = t_{HBper} + \Delta t_{HBsw} \quad \text{（式 48）}$$ 随后 IMAGneg 逐级调回起始电平的开关周期 tHBper（图 41）。

原文 Note：增大负磁化 IMAGneg 会缩短 HS 开通死区 tdeadHS。因此开关周期展宽 dJitterspread% 的潜在目标值受 LS 关断下降沿到后续过零检测的目标最小延时 tLSdelZCDmin 限制。

5.3.6 半桥栅极驱动器（3.3.6） 半桥栅驱动器包含由 VCC/GND 供电的 LS 栅驱动器，以及由 HSVCC/HSGND 供电的悬浮 HS 栅驱动器；悬浮 HS 域电气隔离、经无芯脉冲变压器（coreless pulse transformer）操控（图 42）。LS/HS 栅驱动器按各自欠压锁定阈值（VVCCon、VVCCoff）与（VHSVCCon、VHSVCCoff）使能/禁用（3.4.2、3.4.3）。两者均把最大栅驱动输出电压钳位到 VLSGDhigh、VHSGDhigh；禁用时输出被主动保持为关断。HSVCC 超过 VHSVCCon 后，HS 栅驱动器经 tHSGDendel 时延使能。

5.4 保护特性（3.4，表 4）

实现两种保护模式（自动重启模式与锁存模式）及 UVOFF 硬件复位（VCC 欠压锁定使 IC 失活）。

原文 Note：除 UVOFF 与 HSUVOFF 外，所有保护特性仅在正常运行时生效。睡眠相位（突发或保护模式）中无引脚保护激活。

表 4 保护特性 符号 默认反应 章节
VCC 欠压锁定 UVOFF 硬件复位并重启 3.4.2
HSVCC 欠压锁定 HSUVOFF 禁用 HS 栅驱动器 3.4.3
吸合保护 BIP bang-bang 模式，无启动请求 3.4.4.1
慢掉电保护 SBOP 停止运行并进入吸合相位 bang-bang 模式 3.4.4.3
快掉电保护 FBOP 停止运行并进入吸合相位 bang-bang 模式 3.4.4.2
Vin 过压保护 VinOVP 自动重启模式 3.4.4.4
启动超时保护 STTOP 自动重启模式 3.4.5
CS 脚短路保护 CSSCP 自动重启模式 3.4.6
输出过流保护 OCP1 电平 1 OCP1lev1 自动重启模式 3.4.7.1
输出过流保护 OCP1 电平 2 OCP1lev2 自动重启模式 3.4.7.2
输出最大电流保护 OCP1max 自动重启模式 3.4.7.3
峰值过流保护 OCP2 OCP2 锁存模式²⁰（可经 EVCSOCP2 配置，表 16） 3.4.7.4
Vout 过压保护 VoutOVP 锁存模式²¹（可经 EVZCDOVP 配置，表 15） 3.4.8.2
Vout 欠压保护 VoutUVP 自动重启模式 3.4.8.1
Vout 短路保护 VoutSCP 自动重启模式²²（仅启动阶段激活） 3.4.8.3
外部过温保护 extOTP 自动重启模式 & 锁存模式 3.4.9
看门狗定时器 WDOG 自动重启 3.4.10

3.4.1 保护模式（式 49）：进入保护模式后 IC 停止 LSGD/HSGD 开关、进入待机模式；待机中 HV 启动单元以 bang-bang 模式运行（3.2.3），把 VCC 维持在高电平、为系统启动储备足够能量。两种模式：锁存模式（LM, Latch Mode）——系统保持待机、不作任何重启尝试；只能靠 VCC 跌破 UVOFF 硬复位阈值 VVCCoff 复位。原文 Note：锁存复位靠断开交流线实现；HV 启动单元经二极管接整流器之前，复位时间主要取决于 VCC 脚电容大小。自动重启模式（ARM, Auto-Restart Mode）——经过近似自动重启睡眠时间 tARMslp²³（可配置，表 12）后触发重启：VCC 电容充至 VVCCon 后带软启动恢复运行。tARMslp 决定基于周期 tARMbase 的设定睡眠周期数 NARMstep（3.2.3）：$$t_{ARMslp} = N_{ARMstep}\times t_{ARMbase} \quad \text{（式 49）}$$

3.4.2 VCC 欠压锁定（UVOFF）：保证 IC 依据 VCC 电压实现定义明确的激活/失活。UVOFF 含迟滞：上阈值 VVCCon 激活 IC；正常运行中 VCC 跌破下阈值 VVCCoff 即复位并失活。复位态下 HV 启动单元开通，开始下一 VCC 充电周期，直至 VCC 超过 VVCCon（3.2.1）。

3.4.3 HSVCC 欠压锁定（HSUVOFF）：保证悬浮高侧驱动器实现定义明确的激活/失活。含迟滞：上阈值 VHSVCCon 激活 HS 栅驱动器；HSVCC 跌破下阈值 VHSVCCoff 立即关断并失活高侧驱动器。失活期间高侧驱动器电流降至 IHSVCCUVOFF。

译注：原文 §3.4.3 标题括号内印作 “(UVOFF)”，按目录与正文语义应为 HSUVOFF。

3.4.4 输入电压 Vin 保护：VS 脚设 4 个检测阈值，保证在可靠输入电压范围内安全运行（图 43）：吸合保护 BIP（3.4.4.1）、快掉电保护 FBOP（3.4.4.2）、慢掉电保护 SBOP（3.4.4.3）、过压保护 VinOVP（3.4.4.4）。

3.4.5 启动超时保护（STTOP）：启动期过载会使 Vout 达不到调节目标 Voutnom，系统无法进入调节、永久停留在启动状态。为此从第一个开关脉冲起以定时器监测启动时间 tstart：最大时间 tstartto²⁶（可配置，表 14）后若 VFB 决定的电流设定点仍未跌破 Vout 启动控制决定的设定点（3.3.3），即检出超时。

3.4.6 CS 脚短路保护（CSSCP，式 50）：Vout 启动期对第一个 HS 开通脉冲激活 CS 短路检测，保护 RShunt 被短接的应用：HS 最大导通时间限定为预计算周期：$$t_{HSonmax} = 2\times t_{TRANSnom}\times\frac{V_{outnom}\times N/k_{Rvs}}{V_{VS}} \quad \text{（式 50）}$$ VVS 为 VS 脚测得的瞬时输入电压。HS 导通时间超过 tHSonmax 即进入自动重启模式。

3.4.7 过流保护（式 51~59）：包含多个检测功能，在初级峰值电流超限或输出过流时保护应用（图 44）：OCP1lev1（3.4.7.1）、OCP1lev2（3.4.7.2）、OCP1max（3.4.7.3）、OCP2（3.4.7.4）。

过流保护总览（原版图 44，翻拍自手册）

3.4.8 Vout 电压保护：提供两级输出电压阈值 VZCDUVP（VoutUVP）与 VZCDOVP（VoutOVP），保证在定义的 Vout 工作范围内可靠运行（图 45）。测量在 LS 导通（退磁）相位经辅助绕组反射电压完成（图 19）；启动相位还观测过零检测以发现输出短路（VoutSCP）。

3.4.9 外部过温保护（extOTP）：基于外部 NTC 电阻测量。NTC 由内部 VREF 经内部上拉电阻 RMFIOpu 偏置（图 46）；测量 MFIO 脚电压、算出外接电阻，再与两个电阻阈值比较。外部电阻 REXT 跌破触发阈值 RMFIOOTPtrig³³（可配置，表 17）即进入自动重启；重启循环仅在 REXT 超过释放阈值 RMFIOOTPrel 时才能进行。外部 OTP 触发后的自动重启循环被计数：事件数超过 NOTPevmax³³ 即进入锁存模式，只能靠 VCC 跌破 VVCCoff 释放。

3.4.10 看门狗定时器（WDOG）：看门狗定时器须在设定周期内得到持续复位，以监视内部控制流程；未及时复位即进入保护模式，具体模式由参数 EVWDOG³⁴（可配置，表 18）决定。

6. 配置（原文第 4 章，表 5~22）

XDPS2201 的配置由英飞凌 .dp Vision GUI 工具支持：参数经 MFIO 脚的 UART 接口编程。4.1 节给出功能描述中的参数符号与 GUI 参数名的对应关系及出厂默认编程值；4.2 节给出各可配置参数的容差等级。

表 5 系统设置（System settings）

符号 描述 值 单位 容差 章节
N 变压器初次级匝比（Np/Ns） 2.83 — — 3.4.6
kRvs VS 脚分压电阻与母线电压之比 168.25 — — —
Voutnom 最大标称调节输出电压 20 V — —
Ioutnom 无过流条件下的最大标称输出电流 3.25 A — —

表 6 输出电流控制的尺寸设计（Dimensioning）

符号 描述 值 单位 容差 章节
IMAGnegnom% 标称负磁化电流电平，以 Ioutnom×2/N 的百分比计 17.4 % — 3.3.1
IMAGnegmaxCRM% CRM 最大 Vin 下达到 ZVS 所需的最大负磁化电流电平，以 Ioutnom×2/N 的百分比计 31.6 % — —
IMAGnegmaxRVS% ZV-RVS 最大 Vin 下达到 ZVS 所需的最大负磁化电流电平，以 Ioutnom×2/N 的百分比计 39.5 % — —
IMAGposRVS0V% Vout=0 V 时 IMAGposRVS 的最小峰值电流设定，以 IMAGposnom 的百分比计 75 % — 3.3.2.2.1
VZCDnom LS 导通期、Voutnom 时 ZCD 脚标称电压³⁵ 1.3984 V TC_V3a 3.3.1.2
tTRANSnom Voutnom 传能期 LS 最小导通时间 2.8 µs TC_T1 —
tTRANSRVS0V% Vout=0 V 时 RVS 模式的 tTRANS，以 tTRANSnom 的百分比计（按 ZCD 测得输出电压调制 tTRANS） 166 % — —

（³⁵ 针对宽输出电压范围。）

表 7 半桥时序（Half-bridge）

符号 描述 值 单位 容差 章节
tLS2ZCDnom 最小 Vin 下 LS 脉冲下降沿到 ZCD 脉冲下降沿的目标延时 650 ns TC_T1 3.3.2.1
tLS2ZCDmin 最大 Vin 下 LS 脉冲下降沿到 ZCD 脉冲下降沿的目标延时 234 ns — —
tdeadLS HS 脉冲下降沿到 LS 脉冲上升沿的死区 150 ns TC_T1 —
tZCDfefilCRM CRM 中 ZCD 下降沿到 HS 脉冲上升沿的延时 172 ns TC_T1 —
tHSleb HS 前沿消隐（LEB），决定最小导通时间 300 ns TC_T1 —

表 8 半桥时序——仅 ZV-RVS 模式

符号 描述 值 单位 容差 章节
tdeadHSRVS ZV-RVS 中 LS（ZVS 脉冲）下降沿到 HS 脉冲上升沿的死区 400 ns TC_T1 3.3.2.2
tZVSmin ZV-RVS 中 ZVS 脉冲最小宽度 600 ns TC_T1 —
tZCDrefilRVS ZV-RVS 中 ZCD 脉冲上升沿到 HS 脉冲上升沿的滤波时间 410 ns TC_T1 —
tZCDfefilRVS ZV-RVS 中谷检测用 ZCD 脉冲下降沿滤波时间 210 ns TC_T1 3.3.2.2.1

表 9 ZV-RVS/DCM 运行

符号 描述 值 单位 容差 章节
ENDCM DCM 运行使能（RVS 达到最大谷数时） Enabled — n.a. 3.3.2.3
FDCMmin DCM 运行最小开关频率限制 20 kHz TC_T1 —
NRVSvalmax ZV-RVS 运行最大谷数 10 — n.a. 3.3.2.4

表 10 突发模式（Burst）

符号 描述 值 单位 容差 章节
ISETBMen% 突发进入电流设定点，占标称设定点百分比 4 % — 3.3.4.1
ISETBMex% 突发退出电流设定点，占标称设定点百分比 15 % — 3.3.4.4.1
NBMexreqthr 平均电流高于 ISETBMex% 的突发帧数，达到即离开突发模式 3 — — —
VFBBMfastex FB 快突发退出阈值 1.82 V TC_V4 3.3.4.4.2
ENBMfastexCRM 允许突发快退出后直接进入 CRM；禁用时快退出后先用 ZV-RVS Enabled — — —
tBMprepulse 暂停长于 tBMslpthrpp 后预充自举电容的脉冲宽度 1.3 µs TC_T1 3.3.4.3
tBMslpthrpp 使能预充电脉冲的突发暂停时间阈值 1.0 ms TC_T2 —

表 11 启动（Start-up）

符号 描述 值 单位 容差 章节
VVSBIP VS 脚 Vin 吸合保护阈值 0.737 V TC_V1b 3.4.4.1
ISETstmax% 启动相位最大目标电流设定点，占标称设定点百分比 140 % — 3.3.3
tstartramp 启动相位输出电压上升目标时间³⁶ 12 ms TC_T1 —
NHBcyclemax 启动 ZCD 搜索相位允许的无后续过零检测半桥开关周期最大数 150 — — —
tstartzcdto ZCD 搜索相位中生成下一脉冲前无过零检测的最大时间³⁷（仅限该相位） 70 µs TC_T1 —
tZVSst1st 预充 HS 自举电容的首个 ZVS 脉冲初始长度 7 µs TC_T1 —

表 12 自动重启模式 [ARM]：tARMslp——近似自动重启睡眠时间³⁸，3.0 s，TC_T2，章节 3.4.1。

表 13 VS 脚输入电压 Vin 保护

符号 描述 值 单位 容差 章节
VVSSBOP Vin 慢掉电保护 VS 阈值 0.713 V TC_V1b 3.4.4.3
VVSFBOP Vin 快掉电保护 VS 阈值 0.392 V TC_V1b 3.4.4.2
VVSOVP Vin 过压保护 VS 阈值 2.270 V TC_V1b 3.4.4.4

表 14 启动超时保护：tstartto——到反馈电压跌落为止的最大允许启动时间³⁶，48 ms，TC_T3，章节 3.3.3。

表 15 Vout 电压保护

符号 描述 值 单位 容差 章节
VZCDUVP 输出电压的 ZCD 脚欠压保护阈值 0.220 V TC_V3b 3.4.8.1
ENBMVoutUVP 突发模式中 Vout UVP 的激活 Enable — — —
EVZCDOVP ZCD 过压检测的反应事件 Latch — — 3.4.8.2

表 16 过流保护

符号 描述 值 单位 容差 章节
ISETOCP1lev1% OCP1 电平 1 电流设定点阈值，占标称设定点百分比 125 % — 3.4.7.1
tOCP1lev1bl OCP1 电平 1 消隐时间³⁹ 12 s TC_T4 —
ISETOCP1lev2% OCP1 电平 2 电流设定点阈值，占标称设定点百分比 140 % — 3.4.7.2
tOCP1lev2bl OCP1 电平 2 消隐时间³⁶ 1000 ms TC_T3 —
ISETOCP1max% OCP1 最大电流限制电流设定点，占标称设定点百分比 160 % — 3.4.7.3
tOCP1maxbl OCP1 最大电流限制消隐时间³⁶ 6 ms TC_T3 —
EVCSOCP2 超过 OCP2 过流阈值的反应 Latch — — —

（脚注：³⁶ 基于 tSLWTASK，见表 35；³⁹ 基于 tVSLWTASK，见表 35——编号沿用原文。）

表 17 过温保护

符号 描述 值 单位 容差 章节
RMFIOOTPtrig MFIO 外部过温保护触发电阻阈值 7.7 kΩ TC_R1 3.4.9
RMFIOOTPrel MFIO 外部过温保护释放电阻阈值 51.4 kΩ TC_R2 —
NOTPevmax 进入锁存模式前允许的外部 OTP 触发事件数 2 — — —

表 18 看门狗定时器：EVWDOG——看门狗未及时复位的反应，Auto-restart（自动重启），章节 3.4.10。

表 19 CRM 与 ZV-RVS 模式阈值

符号 描述 值 单位 容差 章节
ISETRVS2CRM% ZV-RVS 切换到 CRM 的电流设定点阈值，占标称设定点百分比 70 % — 3.3.2.4
ISETCRM2RVS% CRM 切换到 ZV-RVS 的电流设定点阈值，占标称设定点百分比 50 % — —
VZCDRVS2CRM ZV-RVS 切换到 CRM 的 ZCD 脚阈值 0.81 V TC_V3a —
VZCDCRM2RVS CRM 切换到 ZV-RVS 的 ZCD 脚阈值 0.74 V TC_V3a —

表 20 频率抖动（Jitter）

符号 描述 值 单位 容差 章节
VVSJitteren VS 脚 Vin 抖动使能阈值 1.486 V TC_V1a 3.3.5
dJitterspread% 频率抖动展宽，占开关频率百分比 10 % TC_T1 —
tJitterstpdel 下一抖动步的时间延时³⁶ 1.3 ms TC_T1 —

表 21 其他（Others）——传播延迟补偿（PDC）：tPDC——补偿 OCP1 峰值电流控制的总传播延迟周期，200 ns，无容差，章节 3.3.1.4。

表 22 可配置参数的容差等级（4.2）

可配置参数（电压/电流/时序/频率/温度）各自关联不同的容差范围，并按硬件外设归入相应容差等级（TC_xxx）；定义事件、配置寄存器、数字量或常数的参数不分配容差范围。由典型值 Xtyp 推导最小/最大容差值的方法如下：

容差等级 TC_R1：MFIO 脚电阻阈值 RMFIOthres（原版图 47，翻拍自手册）

容差等级 TC_R2：MFIO 脚电阻阈值 RMFIOthres（原版图 48，翻拍自手册）

容差等级 描述 最小值 最大值
TC_T1 时序参数 < 1215 ns⁴⁰ ttyp×0.95 − 15.8 ns ttyp×1.05 + 15.8 ns
TC_T1 时序参数 > 1215 ns⁴⁰ ttyp×0.937 ttyp×1.063
TC_T1 频率参数 < 500 kHz⁴⁰ Ftyp×0.937 Ftyp×1.063
TC_T2 基于待机时钟⁴¹的时序参数 ttyp×0.90 ttyp×1.12
TC_T3 基于慢任务周期⁴²的时序参数（0.1 ms 整数倍） ttyp×0.937 − 0.11 ms ttyp×1.063 + 0.11 ms
TC_T4 基于甚慢任务周期⁴³的时序参数（5 ms 整数倍） ttyp×0.937 − 5.5 ms ttyp×1.063 + 5.5 ms
TC_V1a VS 脚电压阈值 (VVStyp×0.994) − 0.099 V (VVStyp×1.006) + 0.099 V
TC_V1b VS 脚电压阈值 (VVStyp×0.994) − 0.040 V (VVStyp×1.006) + 0.040 V
TC_V2 CS 脚 OCP1 比较器电压阈值 VCSOCP1typ − 0.034 V VCSOCP1typ + 0.034 V
TC_V3a ZCD 脚电压阈值 (VZCDtyp×0.995) − 0.091 V (VZCDtyp×1.005) + 0.091 V
TC_V3b ZCD 脚电压阈值 (VZCDtyp×0.995) − 0.024 V (VZCDtyp×1.005) + 0.024 V
TC_V4 FB 脚电压阈值 (VFBtyp×0.984) − 0.084 V (VFBtyp×1.016) + 0.084 V
TC_R1 MFIO 脚电阻阈值范围 1 见图 47 见图 47
TC_R2 MFIO 脚电阻阈值范围 2 见图 48 见图 48

（⁴⁰ 基于主时钟 tMCLK = 15.8 ns（typ）；⁴¹ tSTBCLK = 10 µs（typ）；⁴² tSLWTASK = 0.1 ms（typ）；⁴³ tVSLWTASK = 5 ms（typ）。）

7. 电气特性（原文第 5 章）

所有信号相对 GND 脚测量（HS 域信号 HSVCC/HSGD 相对 HSGND 测量）；在不违反其他额定值的前提下，电压电平方为有效。

7.1 定义（5.1）

图 49 给出电压/电流参数的定义（+V/+I 为 DUT 引脚相对 GND 的正方向约定，含外部电阻 RPINext 情形）。「绝对最大额定值」下的数值不得超出。「工作条件」下的数值若有对应的显式绝对最大额定值，则允许被超出，但器件的相应功能不予保证。

7.2 绝对最大额定值（5.2，表 23，全表）

注意（原文 Attention）：超过下列数值可能造成器件永久损坏。长时间处于绝对最大额定条件会影响器件可靠性。最大额定值为绝对额定值——仅超出其中一项即可能对集成电路造成不可逆损坏；这些值在生产测试中不予测试。同理，装配应用电路前，请确保将接到 VCC 与 HSVCC 脚的电容预先放电。

表 23 参数 符号 Min Max 单位 备注
HV 脚电压 VHV −0.3 600 V ⁴⁴
HV 脚流入电流 IHV — 10 mA ⁴⁴
VCC 脚电压 VVCC −0.5 26 V ⁴⁴
MFIO 脚电压 VMFIO −0.5 3.6 V ⁴⁴
VS 脚电压 VVS −0.5 3.6 V ⁴⁴
FB 脚电压 VFB −0.5 3.6 V ⁴⁴
ZCD 脚电压 VZCD −0.5 3.6 V ⁴⁴
ZCD 脚最大负向瞬态电压 −VZCDN_TR — 1.5 V 脉冲 < 500 ns
ZCD 脚最大持续负向钳位电流 −IZCDCLN_DC — 2.5 mA RMS
ZCD 脚最大瞬态负向钳位电流 −IZCDCLN_TR — 10 mA 脉冲 < 500 ns
CS 脚电压 VCS −0.5 3.6 V ⁴⁴
CS 脚最大负向瞬态电压 −VCSN_TR — 3.0 V 脉冲 < 500 ns
CS 脚最大持续负向钳位电流 −ICSCLN_DC — 2.5 mA RMS
CS 脚最大瞬态负向钳位电流 −ICSCLN_TR — 10 mA 脉冲 < 500 ns
CS 脚最大持续正向钳位电流 ICSCLP_DC — 2.5 mA RMS
CS 脚最大瞬态正向钳位电流 ICSCLP_TR — 10 mA 脉冲 < 500 ns
LSGD 脚电压 VLSGD −0.5 VVCC+0.3 V 受内部钳位限制
HSGND 脚电压 VHSGND −650 650 V 相对 GND
HSVCC 脚电压 VHSVCC −0.5 26 V 相对 HSGND
HSGD 脚电压 VHSGD −0.5 VHSVCC+0.3 V 相对 HSGND
悬浮高侧域压摆率 dVHS/dt −50 50 V/ns —
结工作温度 TJ −40 125 ℃ —
存储温度 TS −55 150 ℃ —
最大功耗 PTOT — 0.63 W TA=50 ℃、TJ=125 ℃、RthJA=119 K/W
焊接温度 TSold — 260 ℃ ⁴⁵ 波峰焊
ESD 能力 VHBM — 1500 V ⁴⁶ 人体模型（HBM）
ESD 能力 VCDM — 500 V ⁴⁷ 器件充电模型（CDM）
闩感能力 ILU — 150 mA ⁴⁸ 引脚电压按绝对最大额定值

（⁴⁴ 可作为 DC 值持续施加；⁴⁵ 按 JESD22-A111；⁴⁶ 按 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001；⁴⁷ 按 JESD22-C101；⁴⁸ 按 JESD78，85 ℃（Class II）温度。）

7.3 封装特性（5.3，表 24）

参数 符号 Min Max 单位 备注
结到环境热阻 RthJA — 119 K/W PG-DSO-14，JEDEC 1s0p
HV 与 HSxxx 脚对 GND 相关脚的爬电距离 DCR 2.1 — mm —

7.4 工作范围（5.4，表 25，全表）

参数 符号 Min Max 单位 备注
结工作温度 TJ −25 125 ℃ —
HV 脚电压 VHV −0.3 600 V —
VCC 脚外部电压 VVCC 11 24 V Max 值须计入内部功率损耗
MFIO 脚电压 VMFIO −0.3 3.3 V —
FB 脚电压 VFB −0.3 3.3 V —
ZCD 脚电压 VZCD −0.3 3.3 V —
CS 脚电压 VCS −0.3 3.3 V —
LSGD 脚电压 VLSGD −0.3 VVCC+0.3 V 内部钳位于 VLSGDhigh
LSGD 低态输出反向电流 −ILSGDLREV — 100 mA ⁴⁹ 适用于 VLSGD < 0 V 且驱动器低态
HSGD 脚电压 VHSGD −0.3 VHSVCC+0.3 V 内部钳位于 VHSGDhigh
HSGD 低态输出反向电流 −IHSGDLREV — 100 mA ⁴⁹ 适用于 VHSGD < 0 V 且驱动器低态
HSVCC 脚电压 VHSVCC 10 24 V 相对 HSGND
HSGND 脚电压 VHSGND −0.3 600 V —
MFIO 脚 UART 波特率 tBD 10k 115k Bd —

（⁴⁹ 由设计保证。）

7.5 DC 电气特性（5.5，表 26~35，全表逐行）

条件：数值范围对应规定的供电电压与结温范围 TJ = −25~125 ℃；典型值为 TJ = 25 ℃ 的中位值。所有电压相对 GND/HSGND；除另有说明外假定 VVCC = 12 V、VHSVCC = 12 V。分组：HV（表 26）、VCC（表 27）、悬浮 HS 域（表 28）、LSGD（表 29）、VS（表 30）、CS（表 31）、FB（表 32）、MFIO（表 33）、ZCD（表 34）、中央控制功能（表 35）。

规格书全篇使用的电压与电流参数定义（原版图 49，翻拍自手册）

表 26 Pin HV

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
HV 峰值 VCC 充电电流能力 IHVchargeVCC 2.4 5.0 7.5 mA ⁵⁰ VVCC=1 V，VHV=30 V
HV 脚漏电流 IHVLK — — 10 µA VHV=600 V，HV 启动单元禁用

（⁵⁰ 应用中的最大峰值充电电流会受 HV 脚外接电阻限制。）

表 27 Pin VCC

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
VCC 开通阈值 VVCCon 19.0 20.5 22.0 V 上升斜率
VCC 关断阈值 VVCCoff 7.98 8.40 8.82 V 下降斜率
睡眠模式中 HV 启动单元开通的 VCC 阈值 VVCCslpHVon 9.97 10.50 11.03 V 下降斜率
VCC UVOFF 电流 IVCCUVOFF — 20 40 µA VVCC < VVCCoff(min) − 0.3 V
VCC 工作电流 IVCCop — 11.0 14.5 mA 不含栅驱动栅荷损耗；吸合相位期间
VCC 突发模式省电相静态电流 IVCCBMpsm0 — 0.7 3.4 mA 已进入突发模式；MFIO 与 FB 开路
同上（高温限） IVCCBMpsm0 — — 1.5 mA 同 IVCCBMpsm0 条件，TJ=85 ℃
VCC bang-bang 模式静态电流 IVCCBB — 0.32 0.58 mA 已进入保护模式；MFIO 与 FB 开路

表 28 悬浮 HS 域（Floating HS domain）

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
HSVCC 开通阈值 VHSVCCon 8.7 9.2 9.7 V 上升斜率
HSVCC 关断阈值 VHSVCCoff 6.2 6.7 7.2 V 下降斜率
HSVCC 空闲电流 IHSVCCidle — 0.3 0.8 mA 不含栅驱动栅荷损耗，VHSVCC=14 V
HSGD 使能延时（HSVCC 超过 VHSVCCon(max) 后） tHSGDendel — 2.3 4.1 µs VHSVCC=11 V
HSGD 高态电压 VHSGDhigh 10 11 12 V IHSGD=−20 mA
HSGD 高态电压（低压供电） VHSGDhigh 7 — — V IHSGD=−20 mA，VHSVCC=8 V
HSGD 主动关断电压 VHSGDaSD — 25 200 mV IHSGD=20 mA，VHSVCC=5 V
HSGD 峰值拉电流 −IHSGDpksrc 130 — — mA —
HSGD 峰值灌电流 IHSGDpksnk 450 — — mA —

表 29 Pin LSGD

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
LSGD 高态电压 VLSGDhigh 9.9 10.5 11.1 V ILSGD=−20 mA
LSGD 高态电压（低压供电） VLSGDhigh 7.5 — — V ILSGD=−20 mA，VVCC=8 V
LSGD 主动关断电压 VLSGDaSD — — 1.6 V ILSGD=5 mA，VVCC=5 V
LSGD 峰值拉电流 −ILSGDpksrc — 360 — mA —
LSGD 峰值灌电流 ILSGDpksnk 800 — — mA —

表 30 Pin VS

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
VS 漏电流 IVSlk −0.2 — 0.2 µA 0 V < VVS < 2.9 V
VS 动态电压范围 VVS 0 — VREF V —
VS 吸合检测时间周期 tVSBIdet — 5.2 — ms 吸合相位
VS 脚 Vin 慢掉电保护消隐时间 tVSSBOPbl 41.1 44.0 46.9 ms VVS < VVSSBOP

表 31 Pin CS

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
CS 漏电流 ICSlk −10 — 10 µA 0 V < VCS < 2.8 V
CS OCP1 最大工作电流范围 VCSOPmax 405 437 469 mV —
CS OCP1 传播延迟 tCSOCP1pd 121 213 305 ns 输入信号斜率 dVCS/dt=150 mV/µs
CS OCP2 阈值 VCSOCP2 550 600 650 mV —
CS OCP2 传播延迟 tCSOCP2pd 125 135 190 ns dVCS/dt=100 V/µs

表 32 Pin FB

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
FB 开路输出电压 VFBoc 3.04 3.20 3.36 V —
FB 上拉电阻 RFBpu 24 30 36 kΩ —
FB 最小工作范围 VFBOPmin 0.309 0.400 0.491 V —
FB 阈值最大可用范围 VFBOPmax — — 2.428 V —
FB 突发唤醒/睡眠控制阈值 VFBBMctrl 1.48 1.60 1.72 V 突发模式活动相位
FB 突发唤醒/睡眠控制阈值（睡眠相） VFBBMctrl 1.36 1.55 1.61 V 突发模式睡眠相位
FB 突发唤醒延时 tFBBMWKdel — 25 31 µs 突发模式，上升斜率

表 33 Pin MFIO

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
MFIO 开路输出电压 VMFIOoc — VVREF — V 活动相位
MFIO 上拉电阻 RMFIOpu — 11 — kΩ 活动相位，对 OTP 电阻阈值 RMFIOOTPx 内部校准
MFIO 输入电容 CMFIOIN — — 10 pF —
MFIO 逻辑 “0” 输入阈值 VMFIOIL — — 1.0 V —
MFIO 逻辑 “1” 输入阈值 VMFIOIH 2.0 — — V —
MFIO 逻辑 “0” 输出电压 VMFIOOL — — 0.8 V IMFIOOL=2 mA
MFIO 逻辑 “1” 输出电压 VMFIOOH 2.2 — — V IMFIOOH=−2 mA
MFIO 输出灌电流 IMFIOOL — — 2 mA —
MFIO 输出拉电流 −IMFIOOH — — 2 mA —
输出上升时间（0→1） tMFIOrise — — 25 ns 20 pF 负载
输出下降时间（1→0） tMFIOfall — — 25 ns 20 pF 负载

表 34 Pin ZCD

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
ZCD 漏电流 IZCDlk −10 — 10 µA VZCD=0 V / 3.0 V
ZCD 漏电流（高温限） IZCDlk −1 — 1 µA TJ=85 ℃，VZCD=0 V / 3.0 V
ZCD Vout 过压保护阈值 VZCDOVP 1.511 1.600 1.632 V —
ZVD 脉冲长度判定电压阈值 VZCDtZVSstup 0.194 0.220 0.246 V 启动相位，上升斜率
ZCD 过零检测阈值 VZCDTHR 15 40 70 mV 下降斜率
ZCD 输入电压负钳位 −VZCDCLN 140 180 220 mV —

表 35 中央控制功能（Central control functions）

参数 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
VDDP 电源 VVDDP 3.04 3.20 3.36 V —
VREF 基准电压 VVREF 2.391 2.428 2.465 V —
主时钟振荡周期时基 tMCLK 15.0 15.8 16.6 ns —
待机时钟振荡周期时基 tSTBCLK 9.0 10.0 11.2 µs —
慢任务周期时基 tSLWTASK 93 100 107 µs —
甚慢任务周期时基 tVSLWTASK 4.68 5.00 5.32 ms —
采样时间周期 tsample 93 100 107 µs —
自动重启模式重启步时基 tARMbase 270 300 336 ms 可配置自动重启时间 tARMslp 的基准
激活后（VCC 开通）硬件初始化时间 tHWini — 3.2 — ms UVOFF 后 VVCC > VVCCon
初始启动条件检查时间 tstupcheck 1.80 — 2.13 ms VVCC > VVCCon 后启动
CRM 中 HS 导通时间控制的最大变化限制 ΔtHSonmaxCRM 75 80 85 ns CRM 运行，tHSon 不受 VCSSET 限制

8. 封装尺寸（原文第 6 章）

全部封装、包装种类等信息见英飞凌网页 “Products: http://www.infineon.com/products”。PG-DSO-14 外形图（Outline，图 50）与焊盘图（Footprint，图 51）：焊盘尺寸 e = 1.27、A = 5.69、L = 1.31、B = 0.65（mm）。

9. 版本历史（Revision History）

10. 全部插图清单（图 1~51，图号+标题翻译）

译注：本规格书无独立的“典型特性曲线”章节（不同于 NCP1342 等模拟 QR 控制器的图 27~56 温漂曲线族）；参数随温度/工艺的偏差信息以容差等级（表 22）与图 47/48（MFIO 电阻阈值容差曲线）形式给出。

译者附注

  1. PDF 字形提取（系统性）：分数/系数被压扁——式 3/5/8/40 中 “12”=½、式 10/17/22/23/26 中 “N2”=N/2、式 35 中 “13”=1/3、式 37/47 中分式被拆行；译文已按 ½、N/2、1/3 还原。Ω、µ、k 等单位符号提取完好，未见 µ→m、Ω→W 类替换。表 23 中 VHSGD 上限 “VHSVCC+0.3” 被拆行为 “0␣.3”，按 VHSVCC+0.3 V 录入。
  2. 式 1：“D × Nin × Lm/(Lm+Lr)” 中 “Nin” 疑为 Vin 提取错位、匝比 N 是否在分母无法从提取文本确认（详见该处译注）；式 23 印作 ISET = (N/2)·Iout，与式 5+24 及式 17 的自洽推导（ISET = (2/N)·Iout）矛盾；式 10/22/26 中 IMAGneg 的系数口径与式 5 不一致（详见 §5.3.1.3 译注）——均建议以式 5 物理定义与式 15/17/18 的可验证关系为准。
  3. 原文内部不一致/笔误清单：§3.2 章节列表把「吸合相位 bang-bang」指向 3.2.1（实为 3.2.2）；§3.4.3 标题括号作 “(UVOFF)”（应为 HSUVOFF）；式 28 tPDCOPC1 / 式 29 tPDCOCP1 / 表 21 tPDC 三种拼法；§3.3.3 VZVDtarget 与 VZCDtarget、图 18 VZVDTHR 与表 34 VZCDTHR 拼写不一（以表 34 为准）；表 23 标题 “rantings”（ratings 之误）；图 8 “condunction”、图 40 “switch-switch over”、§3.3.2.2 “Figure 29)” 多括号；图 45/46 原文未印图题；表 16 脚注 39/36 编号混用（tOCP1lev1bl 基于 tVSLWTASK，tOCP1lev2bl/tOCP1maxbl 基于 tSLWTASK，按原文照录）。
  4. 本 IC 的关键差异点（相对传统反激/QR 控制器）：退磁期负预磁化 IMAGneg 由 tLSon 时序控制并按 Vin/Vout 前馈补偿，是半桥 ZVS 的充要条件管理手段；输出电流控制律（式 5/13/15）使 Iout 与 Vin、Vout 解耦；突发进入/退出基于输出电流估算而非仅 FB 电压；OCP1 三级（lev1 125%/lev2 140%/max 160%，默认值）+ 固定 OCP2（600 mV typ，LEB 内不消隐，默认锁存）。
  5. 全部可配置参数的出厂默认值见表 5~21；修改后各阈值的 min/max 须按表 22 容差等级由 typ 推导，勿直接沿用默认容差。

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