术语与缩略语索引 —— 读手册不卡壳
本表面向读原厂资料的场景：手册里的缩写、跨厂商的不同叫法、容易混淆的近义术语。完整的中英术语对照与例句见开关电源英语词汇，本文只做快速反查。
一、拓扑
| 缩写 | 全称 | 含义 | 库内 |
|---|---|---|---|
| ACF | Active Clamp Forward/Flyback | 有源钳位：钳位电容 + 辅助开关回收漏感能量并造 ZVS | 08_ACF |
| AHB | Asymmetrical Half-Bridge | 不对称半桥（英飞凌称 Hybrid Flyback）：半桥 + 串联电容谐振腔 | 03_AHB |
| PM（相位裕量） | Phase Margin | 增益 0 dB 穿越处的相位余量；本库统一用“相位裕量”（文献中也写“相位裕度”，二者同义） | 关键公式速查表 |
| GM（增益裕量） | Gain Margin | 相位 −180° 处的增益余量 | 同上 |
| LLC | —（Lr-Lm-Cr 谐振腔命名） | 谐振半桥，占空比固定 50%，调频调压 | 04_LLC |
| Flyback | — | 反激，变压器兼储能与隔离 | 01_反激 |
| PSFB | Phase-Shifted Full-Bridge | 移相全桥，数百 W~kW 经典方案（库内未深读专用 IC） | 隔离拓扑补遗 |
| Totem-Pole | — | 图腾柱无桥 PFC，省整流桥 | 06_PFC |
二、工作模式与控制
| 缩写 | 全称 | 含义 |
|---|---|---|
| CCM | Continuous Conduction Mode | 连续导通模式，电感电流不归零 |
| DCM | Discontinuous Conduction Mode | 断续导通模式，电流每周期归零 |
| CrM / BCM | Critical / Boundary Conduction Mode | 临界导通模式，电流刚好归零即开通（谷底开通） |
| QR | Quasi-Resonant | 准谐振：在漏极电压谷底开通，部分 ZVS |
| ZVS | Zero-Voltage Switching | 零电压开通 |
| ZCS | Zero-Current Switching | 零电流关断 |
| ZV-RVS | Zero-Voltage Resonant Valley Switching | 英飞凌 XDPS2201 的中轻载模式（跳谷控周期） |
| FFR | Forced Frequency Resonant | 强制频率谐振，XDPS21071 的初级 ZVS 路线 |
| CRM | Continuous Resonant Mode | XDPS2201 重载模式（注意与 CrM 临界导通模式同名不同义） |
| PWM | Pulse Width Modulation | 脉宽调制（定频调宽） |
| PFM | Pulse Frequency Modulation | 脉冲频率调制（定宽调频，LLC 的控制方式） |
| PCM | Peak Current Mode | 峰值电流模式 |
| ACM | Average Current Mode | 平均电流模式（PFC 常用） |
| PSR | Primary-Side Regulation | 原边调节：由辅助绕组反推输出，省光耦 |
| SSR | Secondary-Side Regulation | 副边调节（用光耦或磁隔离反馈） |
| VSFF | Valley Synchronized Frequency Fold-back | 谷底同步频率折返（NCP1622） |
| FCCrM | Frequency-Clamped CrM | 频率钳位 CrM（NCP1680） |
| VLO | Valley Lockout | 谷底锁定（NCP1342） |
| MPCM | Minimum Peak Current Modulation | 最小峰值电流调制（NCP1342 轻载策略） |
| OPP | Over-Power Protection / 非耗散过功率补偿 | 补偿高压输入的功率漂移 |
| DRE | Dynamic Response Enhancer | 动态响应增强（NCP1622） |
| Burst / Skip | — | 突发 / 跳周期，轻载降频降耗 |
三、同步整流
| 缩写 | 全称 | 含义 |
|---|---|---|
| SR | Synchronous Rectification | 同步整流，用 MOSFET 仿真二极管 |
| TLL | Light-load Latch-off | 轻载锁闭（MP6922） |
| RCP | Reverse Current Protection | 反电流保护（MP6922） |
| Diode Emulation | — | 二极管仿真：把 SR 管压降伺服到几十 mV |
| Kelvin / 开尔文检测 | — | 独立于功率路径的检测走线，毫伏判据的前提 |
四、器件与材料
| 缩写 | 全称 | 含义 | 库内 | |---|---|---|---| | MOSFET | Metal-Oxide-Semiconductor FET | 金属氧化物半导体场效应管 | 平面 MOS | | SJ / 超结 | Superjunction | 超结 MOSFET，突破硅极限 | 超结 MOS | | GaN / HEMT | Gallium Nitride / High Electron Mobility Transistor | 氮化镓、高电子迁移率晶体管 | GaN | | SiC | Silicon Carbide | 碳化硅 | SiC | | 2DEG | Two-Dimensional Electron Gas | 二维电子气，GaN HEMT 的导电机理 | | E-mode / D-mode | Enhancement / Depletion mode | 增强型（常关）/ 耗尽型（常开） | | MLCC | Multi-Layer Ceramic Capacitor | 多层陶瓷电容，注意直流偏压下的容量衰减 | | MOV | Metal-Oxide Varistor | 压敏电阻，浪涌钳位 | | NTC | Negative Temperature Coefficient | 负温度系数热敏电阻，浪涌限流 | | X2 / Y 电容 | — | 安规电容：X 跨线、Y 线对地 |
五、环路与磁性
| 缩写 | 全称 | 含义 |
|---|---|---|
| RHPZ | Right-Half-Plane Zero | 右半平面零点，CCM 反激/Boost 的带宽杀手 |
| PM / GM | Phase Margin / Gain Margin | 相位裕量 / 增益裕量 |
| FHA | First Harmonic Approximation | 基波近似，LLC 建模的标准方法 |
| ESR / ESL | Equivalent Series Resistance / Inductance | 等效串联电阻 / 电感 |
| BM / Bsat | — | 磁通密度（峰值）/ 饱和磁通密度 |
| Vor | Reflected Voltage | 反射电压 (Vo+Vf)·n |
| Llk | Leakage Inductance | 漏感 |
| Ae / lg | — | 磁芯有效截面积 / 气隙长度 |
六、保护与可靠性
| 缩写 | 全称 | 含义 |
|---|---|---|
| UVLO | Under-Voltage Lockout | 欠压锁定 |
| OVP / UVP | Over/Under-Voltage Protection | 过压 / 欠压保护 |
| OCP / OTP | Over-Current / Over-Temperature Protection | 过流 / 过温保护 |
| OPL | Over-Power Limitation | 过功率限制（NCP1654） |
| Brown-out | — | 输入欠压（母线跌落）保护 |
| LEB | Leading-Edge Blanking | 前沿消隐，屏蔽开通尖峰 |
| CMTI | Common-Mode Transient Immunity | 共模瞬变抗扰度，隔离驱动关键指标 |
| DFM / FMEA | Design for Manufacturability / Failure Mode and Effects Analysis | 可制造性设计 / 失效模式与影响分析 |
| THD | Total Harmonic Distortion | 总谐波失真（PFC 关注量） |
| PF | Power Factor | 功率因数 |
七、容易混淆的近义术语
| 易混项 | 区分 |
|---|---|
| CrM（临界导通） vs CRM（连续谐振，XDPS2201） | 前者是 Boost PFC 的电流模式，后者是英飞凌混合反激的工作模式，同名不同义 |
| ZVS（零电压开通） vs 谷底开通（QR） | QR 是“碰上谷底”，电压不一定到 0；ZVS 是被主动拉到 0 V |
| PSR vs SSR | PSR 靠辅助绕组反推（省光耦、精度受限）；SSR 真实次级采样（需隔离通道） |
| ACF（有源钳位） vs ZVS 反激（UCC28781） | ACF 有独立钳位开关与钳位电容；UCC28781 只有一颗主开关，靠次级 SR 回灌负励磁电流造 ZVS——库内曾误标，已就地更正 |
| CCM 反激的 D>50% | 必须加斜坡补偿，否则次谐波振荡 |
八、电路分析基础（基础课第 06~10 讲）
| 术语 | 全称 | 含义 |
|---|---|---|
| KCL / KVL | Kirchhoff's Current / Voltage Law | 基尔霍夫电流/电压定律：节点电流代数和为零（电荷守恒）/ 回路电压代数和为零（能量守恒） |
| 戴维南 / 诺顿 | Thévenin / Norton equivalent | 任意线性二端网络对外等效为“电压源+串联内阻”或“电流源+并联内阻”，两者可互换 |
| τ | Time Constant | 时间常数：RC 电路 =RC、RL 电路 =L/R；1τ 达 63.2%、5τ≈99.3% |
| ζ | Damping Ratio | 阻尼比：>1 过阻尼、=1 临界、<1 欠阻尼（振铃）；超调量 = exp(−πζ/√(1−ζ²)) |
| Q | Quality Factor | 品质因数：Q=1/(2ζ)；串联谐振 Q=(1/R)√(L/C)，并联谐振 Q=R√(C/L) |
| 二端口 / ABCD | Two-port / Transmission parameters | 四端元件系统化描述；ABCD 参数级联=矩阵相乘，适合电源这类级联系统 |
上一级：00_设计速查
🔗 被以下页面引用：
设计主线 · 导览
设计主线 · 导览