待核实与推断总表

历史记录说明：本表出处引用的目录/文件名为记录时点旧称（如 02_理论通识、电阻采样），现行结构见 知识库总览；行号口径不变。 销账规则（2026-10-07 起施行）：① 库内新增内容已支撑条目主张的，在条目下加"勘注（部分闭合/部分收录）"并注明依据篇目；② 需对照原厂 PDF 的，保持待核实，不留空泛"已确认"；③ 勘注不改变原条目行号口径。 2026-10-07 首批销账执行记录：已勘注 2 条（Coss 读表守则部分闭合、磁件条部分收录）；其余 C 级条目的实证尝试显示——90_资料源 的 txt 提取层对双栏排版的 PDF（Basso 系列、CoolGaN 指南）存在严重串行，数值级 grep 核对不可靠，需人工阅读原版 PDF 后方可闭合；不安排机器强制销账。 版本：2026-09-30 增补“模拟反馈与元件层（10/11）及理论实务层（12/13）”45 条（2026-09-28 增补“功率器件层”53 条；首版 2026-09-27，由全库 677 处验证标记收敛而成） 2026-10-04 维护说明：① 8 篇横评（本表 HP(…) 所指）原文件遗失，已按库内各 IC 文件收敛重建（各篇文首有“2026-10-04 重建版”说明）——本表 HP(…):行号 为遗失前版本的行号，与重建版不逐一对应，引用时按条目内容对位；② 30_经典IC精读 现存 20 颗 IC 文件夹，与根 README“21 颗”口径差一，待查；③ 全库完成公式渲染修复（数学定界符规范化，共 21 处）与口语化用语专业化（约 1060 处，数值零漂移经全库多重集比对确认）。 范围：10_理论与方法/01_通用基础 + 9 个分类目录（18 颗 IC 各 5~7 篇 + 8 篇横评 + 20_基本元器件/03_功率器件 全部译文/教程含器件物理三篇 + 20_基本元器件/04_隔离反馈器件/20_基本元器件/10_理论与方法/02_数学基础、10_理论与方法/04_体系通识（原 02_理论通识，2026-10-06 重构）/50_电源设计流程 全部篇目，含 10_理论与方法/01_通用基础 较新三篇：隔离拓扑补遗/环路实测/PCB 布局）。排除 90_资料源/、.zcode/。 数据源标记词：待核实（约 105 处）、本库推算/推断/估算/经验/示例（约 330 处）、业界经验/业界惯例（约 275 处）；功率器件层增补另收 业界共识/业界量级/教学复算/译注补例（20_基本元器件/03_功率器件 约 190 处 + 10_理论与方法/01_通用基础 未入表部分，收敛为 53 条）；10/11/12/13 层与 00 较新三篇增补同收 教科书通识/教学复算/读图/推断（四层标记 358 处，收敛为 45 条——12/13 层的方法论与教学假想项目数字按 §0.2 第 4 条不入逐条清单）。

0. 统计与使用说明

0.1 分档统计

0.2 使用说明

1. 量产前逐条过：新机型进入量产评审时，把本项目用到的 IC 的“待核实/待复核”两档逐条过一遍——命中的条目按“验证方法”列执行，未命中的在评审表里写“N/A”。
2. 新资料到手后回填：拿到新版本 DS / EVB 手册 / AN / 实测报告后，回到对应条目：已解决者把条目移入“已闭环”并注明新出处；部分解决者更新“现状”列。
3. 验证方法三型：【实测】给出测什么、怎么测；【查证】指出原厂哪份资料哪一节（本库存有该 IC datasheet PDF 的写明页码）；【复算】给出复算式子或数据来源。
4. 本库示例工况设定值（65 W/750 W/90 W 等示例规格、示例匝比）不列入逐条清单——它们是标注明确的教学口径，换项目参数即失效，无验证价值；只有当示例值支撑某个设计结论时（如 ICrpk≈1 A 决定 RS 取值）才收入“待复核”。

0.3 与根 README 规范条款的关系

根 README 第 47 行引用工作区 skill ic-interpretation 的精度规范：“数据可溯源、标注 typ/min/max、不可溯源处标'待核实'、严禁编造”。本表是该规范的执行面：

• 全库写作时新产生的“待核实”标记，应同步登记进本表（否则标记会再次散落）；
• 本表“已闭环”档反过来是规范的成果面——证明标记机制在工作（见 §20）；
• 横评/深读引用某参数时，可先查本表确认该参数是 DS 事实还是库内推算，避免二手引用混淆出处。

0.4 出处简写约定

条目出处写 IC名/文件号:行号。文件号：00=00_规格书全译.md；01=01_引脚功能与关键规格.md；02=02_内部框图与工作原理.md；03=03_典型应用与设计计算.md；04=04_设计要点_常见陷阱与故障排查.md；05=该 IC 目录下第 5 份精译（05_设计指南精译 / 05_AN151设计指南精译 / 05_SLUA143应用笔记精译 / 05_EVBUM2734精译 / 05_EVBUM2886精译_图腾柱 / 05_EVM用户指南精译，每 IC 至多一份）；RM=该 IC 目录 README.md；HP=所在分类目录的 横评*.md；JC=10_理论与方法/01_通用基础/开关电源基础概念.md。全部 18 颗 IC 的 datasheet PDF 均在各自 datasheet/ 目录。“功率器件层”与“模拟反馈与元件层（10/11）及理论实务层（12/13）”两章另有一套目录级简写，在各自章首声明。

1. UC3842（反激 PWM，TI）

待核实（数据缺失）

• COMP→占空比调制的内部精确算式：库内以近似 VTH≈(VCOMP−1.7 V)/3（平均斜率 0.33 V/V，25 ℃ 曲线 1.8~4.8 V 段）读图，TI 未公布算式。出处 UC3842/02:91。→【实测】样机 VCOMP 1.8→4.8 V 阶梯扫描测每点占空比，拟合斜率与钳位点；近似值仅用于环路增益估算。
• VCC 齐纳钳位 34 V 与 39 V 手册两值不一致：库内引用时并存，作业按“30 V 绝对最大即红线”处理。出处 UC3842/04:77。→【查证】SLUS223H §6 绝对最大额定与 §7.3.4（datasheet/UC3842_TI_datasheet.pdf，翻拍页 datasheet/pages/pg-11、pg-12），以现行 H 版为准定一值。

待复核（本库推算）

• II 型补偿 65 W 例的环路穿越 ≈1.5 kHz、PM 纸面 163°→实际 >90°：本库估算，未计入光耦极点。出处 UC3842/03:193。→【实测】Bode 扫频（注入点 FB 分压），把光耦寄生极点与 CTR 温漂计入后确认穿越与相位裕量。
• 输出直流精度由 EA 2.5 V 门坎 ±3.2% 决定（换 TL431 的动机）：库内归纳。出处 UC3842/03:193。→【复算】2.5 V 基准初始精度 × 分压比；对照所选 TL431 规格确认改进量。

业界惯例（低风险）

• 外围经验值一组：栅-源泄放 10 kΩ（UC3842/01:145）；CVCC 打嗝机型加大至 100~220 µF（UC3842/04:24）；RSTART 启动后切离或加大折中（UC3842/04:32）；斜坡补偿“宁过补 20%、不欠补 1%”（UC3842/04:40）；RCS 用线绕/合金并防单只开路（UC3842/04:88）；RRT≥5 kΩ、限流温度窗两端留 10%（UC3842/04:96）；COMP 走线专条（UC3842/04:162）；推挽需外部分相器（UC3842/02:110）；200 kHz 以上双极边沿吃占空比预算（UC3842/01:182）。→【复算】按各条指向的 03 篇公式核算具体机型。

2. NCP1342（准谐振反激，onsemi）

待核实（数据缺失）

• VFMAX 对地短路（<0.5 V 曲线未覆盖区）的行为：库内按 500 kHz 上限理解。出处 NCP1342/01:86。→【查证】NCP1342 DS Rev.23 EC 表（fMAX1=440/500/560 kHz @VFMAX=0.5 V，见 NCP1342/00:126）与 FMAX 曲线段；实测无钳位电阻机型的工作频率。
• tdelay(start) 只有 ≤500 ms max、typ 缺失：出处 NCP1342/01:166。→【查证】Rev.23 EC 表该行；【实测】VCC(on)→DRV 使能时间。
• tDT(MAX) 32 ms（EC 表 min 口径）vs 36 ms（正文 typ）排印矛盾：库内按 ≥32 ms 做频率预算。出处 NCP1342/02:139。→【查证】Rev.23 EC 表与正文段落对照，按规范以 EC 表为准定稿。

待复核（本库推算）

• 谷 1 开通 VDS ≈ V_bulk − 0.8·V_OR（低线 ≈8 V / 高线 ≈293 V）：按阻尼包络 e^(−t/τ)≈0.8 估算，是“QR 高线收益缩水”结论的量化支柱。出处 NCP1342/02:68；HP(准谐振QR):8,:96。→【实测】示波器抓谷 1 开通点 VDS，反推包络系数；【复算】按实测漏感/杂散电容改 τ。
• FB>3.2 V 即设定点 0.8 V=VILIM1（图 15 “Fault!” 阴影含义）：本库推断，自洽依据 3.2/4.0=0.8 V。出处 NCP1342/01:80；NCP1342/02:122。→【查证】DS 图 15 注释与保护章措辞。
• HV 脚浪涌限流 R≥40 kΩ（残压 1.5 kV 假设）：库内算例，DS 仅要求 <5 kΩ 低阻。出处 NCP1342/01:40。→【复算】按所选压敏实际残压重算；【实测】浪涌发生器打 2 kV/1.2-50 µs。

业界惯例（低风险）

• R_G 5~22 Ω 兼调 dv/dt 与振铃（NCP1342/01:54）；环路穿越 ≤fjitter/4（NCP1342/01:79）；xB/xC 版本取舍（NCP1342/03:85）；次级 150 V 档更稳（NCP1342/03:166）；RHPz/4、1~3 kHz 穿越（NCP1342/03:184）；ZCD 并 10~47 pF 滤振铃（NCP1342/04:37）；DOPP 用快开关二极管（NCP1342/04:62）；啸叫三源排查（NCP1342/04:63）；LEB 265 ns 的耦合控制（NCP1342/04:143）。

3. XDPS2201（AHB 混合反激，Infineon）

待核实（数据缺失）

• 式 47（Δt_HBsw = 1/ΔFHBsw）量纲存疑：若 ΔF=10%·fsw 则 1/ΔF=50 µs 作为周期展宽目标不合理；库内按“周期逐级展宽至频率下移 10%”的文字口径理解。出处 XDPS2201/02:151。→【查证】XDPS2201 DS 式 47 原页图形（datasheet/XDPS2201_datasheet.pdf）。
• Cnode ≈0.1~0.3 nF（ZVS 能量裕量 1.4~4 倍结论的输入）：本库估算待核实。出处 XDPS2201/02:101。→【实测】样机 ZV-RVS 波形（DS 图 9 相位 7）反推可摆节点电容；【复算】两管 Coss 曲线值+变压器杂散累加。
• AHB 100~150 W 功率段有无官方口径：库内未见，待核实。出处 HP(AHB):127。→【查证】英飞凌 XDPS2201 参考设计/EVM 覆盖的功率段。

待复核（本库推算）

• 谐振腔 Cr=470~560 nF/100 V（DS 无公式）：按纹波取 VCr_avg=56.6 V 的 10~18% 估出 0.54 µF。出处 XDPS2201/03:11,:75-77,:160。→【复算】Cr=Iavg·tmag/ΔVCr=1.15 A×4.7 µs/8 V；【实测】Cr 电压纹波与 ZVS 能量定型。
• CVCC=22~47 µF（启动窗口 19 µF 计算值）：出处 XDPS2201/03:89,:165。→【复算】C≥I·t/ΔV=15 mA×15 ms/12 V；【实测】拔交流后锁存复位延迟（要求 VCC 跌破 8.4 V）。
• Cout ≥1000 µF 量级（突发包络 ΔV_env 主导）：出处 XDPS2201/03:129。→【实测】突发帧时长实测后代入 ΔV_env=I·tBM/C 迭代；负载阶跃纹波复核。
• 母线电容 21 µF→取 2×15 µF/450 V（hold-up 10 ms）：出处 XDPS2201/03:134。→【复算】C≥2·Pin·t/(Vhigh²−Vmin_op²)；【实测】掉波试验。
• 驱动功耗 0.24 W（Qg≈45 nC）占 PTOT=0.63 W 近四成：出处 XDPS2201/01:79。→【查证】所选超结管 DS 取实际 Qg；【实测】满载壳温。
• RShunt=95 mΩ、≥0.5 W（Irms≈1.6 A→0.24 W 留倍余量）：出处 XDPS2201/03:70。→【复算】DS 式 17 与 Irms。

业界惯例（低风险）

• Lr=漏感、散差控 ±15% 内（XDPS2201/03:180，本库经验值）；漏感取 1~2% Lm 起步按 ZVS 波形迭代（XDPS2201/03:11）；RHV 100~200 kΩ（XDPS2201/03:88）；栅阻 2~10 Ω（XDPS2201/01:78；XDPS2201/03:167）；自举 10 µF//100 nF（XDPS2201/03:166）；抖频无代价获得 5~10 dB（XDPS2201/03:139）；ZCD 分压输出阻抗 ≤10 kΩ（XDPS2201/01:101）；RHP 零点较缓和、带宽可放宽（XDPS2201/03:176）。

4. HR1000A（LLC，MPS）

待核实（数据缺失）

• fr≈100 kHz / Cr≈26 nF（DS 原文未印，按 AN151 式 54 反推）：横评与深读多处当作已知值引用。出处 HR1000A/02:4,:125；HR1000A/03:9,:55,:78,:188；HR1000A/RM；HP(LLC):19。→【查证】HR1000A DS P21 图 18 BOM 中 1 kV 薄膜电容组标称值（datasheet/HR1000A_datasheet.pdf P21）；【实测】样机谐振频率点；【复算】Cr=1/((2π·fr)²·Lr)。
• AN151 “60 kHz 可达增益 1.41>1.25” vs 本库复算 M(60 kHz)≈1.23~1.25：两口径差异待核实，关系 hold-up 增益裕量归零与否。出处 HR1000A/02:147。→【复算】FHA 式 6 代入 h=8.5、fn=0.6；【实测】样机增益曲线（fmin 端）。
• t_OP=10⁴·t_Timer（2 V→3.5 V 段）与 RC 充电模型对不上：原文排版歧义，库内按实测口径处理。出处 HR1000A/02:211。→【查证】DS P19 原文；【实测】重启段时长。
• NRND/EOL 日期：MPS 标“新设计不推荐”但手册无 EOL 日期。出处 HP(LLC):55,:104；HR1000A/RM:92。→【查证】MPS 官网生命周期公告/代理 EOL 通告。
• Ceq=100 pF（ZVS 电流 0.23 A 结论的输入）：600 V 超结有效输出电容+杂散的典型量级假设。出处 HR1000A/02:105。→【查证】所选管 Coss 曲线；【实测】ZVS 裕量。

待复核（本库推算）

• ICrpk≈1 A（决定 RS=3.9 Ω 与无损检测分水岭）：基波 0.71 A+励磁与高次谐波的估算。出处 HR1000A/03:11,:134,:195。→【实测】谐振电容电压/电流波形峰值。
• fmin≈60 kHz / fmax≈150 kHz 频率策略（本库示例）：出处 HR1000A/03:25,:110,:193。→【实测】样机全工况频率范围。
• 自举电容校核 Cbst=1 µF→ΔV=Qg/Cbst=30 mV：出处 HR1000A/02:35。→【复算】按实际 Qg；实测高侧栅幅度随频率的变化。
• Cr 隔直偏压=Vdc·(2D−1)（FHA 一阶口径）：出处 HR1000A/02:83。→【复算】；实测 Cr 直流偏压。

业界惯例（低风险）

• Burst 门限 RB1/RB2 无闭式公式、按最低输入实测修整（HR1000A/02:174）；VCC 0.1 µF+4.7~10 µF（HR1000A/03:180）；开关管 600~650 V 超结按 400 V 半桥+fr 选（HR1000A/03:54）。

5. NCP1399（LLC，onsemi）

待核实（数据缺失）

• ISKIP 电阻→跳模式阈值映射式（Ay/AC 版）：DS 未给公式，只有 ISKIP=50 µA 与图 32 温漂。出处 NCP1399/01:59；NCP1399/03:136,:144。→【实测】标定：换 3 组对地电阻记录跳模式临界负载，建本地映射表。
• FB 轻载判定内部阈值绝对值（特性表未单列）：库内用 10 k/10 k 外分压+实测标定法。出处 NCP1399/03:136。→【实测】分压比扫描记录判定点。

业界惯例（低风险）

• Rboot 3.3~10 Ω 阻尼（DS 只给下限，上限为经验值）（NCP1399/02:208；NCP1399/04:49）；Dboot 600 V 快恢复 UF4007 类（NCP1399/03:93）；辅助绕组 17 V/齐纳钳 <20 V（NCP1399/03:98）；光耦 CTR≥100% B 档、LED 1.4~2.5 mA（NCP1399/03:131）；CS 容性分压直流通路阻值实测标定（NCP1399/03:76）；FB 满载置中段 2~3 V（NCP1399/01:69）；NTC 开路=OTP 静默失效→布线可靠（NCP1399/01:85）；VCC 绕组 16~18 V 核对后缀 VCC_ON 上限（NCP1399/01:107）；BO 13 MΩ/CS/FB 高阻节点防线（NCP1399/04:129）；深跳测量 ≥10 MΩ 差分并记录探头加载（NCP1399/04:42）；产测治具接最小谐振腔（NCP1399/04:84）；电流模式变频小信号“易于稳定”、穿越避开 fr±20%（NCP1399/04:170）；爬电脚严禁飞线（NCP1399/01:47）。

6. MP6908（智能整流器，MPS）

待核实（数据缺失）

• VD 脚输入电容（DS 未给）：R_VD 检测核算按 C≈10 pF 假设得 τ≈10 ns。出处 MP6908/01:47；MP6908/03:120。→【查证】DS Rev 1.2 EC 表；【实测】串 470 Ω/1 kΩ 对比关断沿退化量。
• 计时器中途 V_DS 反弹回 +2 V 是否清零重计：DS 未说明，库内按“不清零”保守整定。出处 MP6908/02:137,:234。→【实测】构造 VDS 反弹波形观测 T_SLEW 是否重启。
• 伺服适用范围下界（“电流相当小”的量化）：DS 未给，推断为 VG 触 V_GS(th) 驱动下限。出处 MP6908/02:174,:235。→【实测】轻载扫电流记录 V_GS 触底点与 V_DS 回升轨迹。
• T_B-ON 是否可编程：库内按固定 1.1 µs（0.75/1.45 µs）处理，DS 未给编程能力。出处 MP6908/04:85。→【查证】DS §11.4 与特性表，确认无编程参数即为结论。
• VD 引脚负压钳位特性（串阻分压比无法量化）：串阻 ≥300 Ω 保负压钳位的机理 DS 有述、比例尺 DS 未给。出处 MP6908/03:116。→【实测】体二极管导通期测 VD 脚负压峰值。

待复核（本库推算）

• HVC 漏极取电 LDO 损耗 ≈0.47 W（95 V×5.5 mA）vs 输出取电 60 mW、差 8 倍：高线大 Qg 机型超出热预算结论的支柱，横评据此给接法建议。出处 MP6908/01:98；MP6908/03:126,:150；HP(SR):91,:93,:106,:214。→【复算】P=(V取电−9 V)×(I_CC 3 mA+Q_G·f_SW)；【实测】IC 壳温/结温。
• T_SLEW 等效平均斜率门槛 23.2 V/µs @400 kΩ（ΔV=2.086 V/90 ns）：出处 MP6908/01:110；MP6908/02:10,:105,:119；MP6908/04:164；HP(SR):94,:101。→【复算】2.086 V/90 ns=23.18 V/µs（纯算术自洽）；【实测】整定按 03 篇步骤 4 抓 t_comm 与 t_ring。
• C_VDD=2.2 µF 三项核算（纹波 11 mV / 启动 118 µs / 下限 125 nF）：出处 MP6908/01:80-81；MP6908/03:148。→【复算】I·t/C 两项；【实测】VDD 锯齿幅度。
• R_VD 窗口 300 Ω~1 kΩ 两端核算（7 mA 充电 vs RC 检测沿）：出处 MP6908/01:46-47；MP6908/03:11,:118-120,:163。→【复算】(12−5)/R 与 R·C_in；【实测】两端的沿速与供电。
• 最小导通期阈值 1.3/1.8/2.1 V 与 V_B-OFF 2/2.5/3 V 的角色区分：推断两行分别对应“消隐期紧急关断”与“消隐解除”。出处 MP6908/02:176。→【查证】DS 特性表注；【实测】导通期注入 V_DS 阶跃。
• PD 预算 0.45 W @TA=50 ℃（P_D=(150−50)/220）：出处 MP6908/01:146；MP6908/03:150；MP6908/04:148。→【复算】DS 注 2 公式自洽；【实测】热成像。
• 150 V 级 SR 管 Q_G≈20~35 nC（后续所有核算的边界输入）：出处 MP6908/03:49；MP6908/01:67。→【查证】所选管子 DS（见 §20 模式 1）。

业界惯例（低风险）

• 栅阻不加或 ≤2 Ω（MP6908/04:71）；R_DS(on)≥20/I_OUT 法则与 55 mV worst-case 校核（MP6908/04:78）；VDD 去耦 1~10 µF（MP6908/01:77；MP6908/03:148）；高侧 VSS 爬电与安规（MP6908/01:59；MP6908/03:178）；RSN/CSN 缓冲按振铃实测（MP6908/03:167）；ESD/返修口径（MP6908/04:153）；R_SLEW=220 kΩ 整定示例（MP6908/03:98）；宽输出按最坏档选管（MP6908/03:137）。

7. MP6922（双通道 SR，MPS）

待核实（数据缺失）

• 官方 180 W 图 RCP 网络逐值（D6、R19 10 kΩ、R20 2 kΩ+C11 1 nF、R22 1 kΩ）：逐值以原文第 11 页为准。出处 MP6922/01:107；MP6922/03:20,:159,:169。→【查证】MP6922_datasheet.pdf P11 图 5（datasheet/MP6922_datasheet.pdf，与 HR1000A 同板官方平台）。
• VD 感测路径串阻 R24/R26/R28=10 Ω 的归属：出处 MP6922/01:69；MP6922/02:135；MP6922/03:58,:112,:155。→【查证】同上 P11 图 5。
• 官方 180 W 平台 fsw 具体值（~100 kHz 为读图推断）：手册未标。出处 MP6922/02:71；MP6922/03:28。→【查证】MPS 180 W LLC 参考设计文档；【实测】平台样机频率。

待复核（本库推算）

• SOIC8 固定 T_LL=2.2 µs 隐含 ~200 kHz 频率上限：fsw=300 kHz 时半周导通 ~1.5 µs<2.2 µs，重载被误判轻载锁闭。出处 HP(SR):11,:95,:103,:107,:164,:190,:235；MP6922/03:169。→【复算】T_LL 与半周期比较；【实测】250~300 kHz 样机重载是否锁闭。
• VD 钳位电流额定（手册未给）→ 10 Ω~1 kΩ 经验窗口：出处 MP6922/03:58；MP6922/02:135。→【查证】DS EC 表有无钳位电流行；【实测】串阻-检测误差曲线。
• 锁闭 100 µs 期间变换器退化为纯体二极管整流：本库推断，手册只说“重新开始同步整流”。出处 MP6922/02:188。→【实测】锁闭期输出纹波/效率。

业界惯例（低风险）

• RCP 滤波电容 τ 与 100 µs 锁闭窗的平衡（MP6922/03:104）；RCP 分压示例 73.2 k/10 k（V_trip=25 V）（MP6922/03:159）；上臂大电阻并小电容给尖峰留直通路径（MP6922/03:104）。

8. NCP4307（SR 控制器，onsemi）

待核实（数据缺失）

• SR MOSFET Q_g≈30 nC（驱动损耗核算与 C_eq 内插的输入）：出处 NCP4307/01:37；NCP4307/03:67,:164。→【查证】所选管子 DS（见 §20 模式 1）。
• 次级漏感 50 nH / C_oss 470 pF（示例值）→ 消隐需 3~5 µs：出处 NCP4307/03:97。→【实测】退磁后振铃频率与衰减周期数，对照 t_LLD/t_OFF_MIN 档位选型。
• AA 版 +dV/dt 网络 C6=100 pF、R3=100 Ω、R4=220 Ω、D5（DS 图 69 无公式）：库内示例值，须实测校核。出处 NCP4307/03:119,:169。→【实测】TRIG/DIS 误触发率 vs 网络参数扫描。
• V_CCL 自供电电容 4.7~10 µF（DS 只说“更大的电容”）：出处 NCP4307/01:88,:102；NCP4307/03:68,:74,:165；NCP4307/04:56。→【查证】DS §9.2 原文与参考设计；【实测】CS 自供电最低压档跌落。

待复核（本库推算）

• 漏感尖峰按反射分量 30%（ΔV≈22.4 V）→ 电压定额 117 V 选 150 V：出处 NCP4307/03:69,:194。→【实测】SR 漏极尖峰；【复算】定额裕量 1.28×。
• SR 导通预算 0.3 W→R_DS(on)≤9.5 mΩ；P_drv=30 mW（IC/栅阻约各占一半）：出处 NCP4307/03:56,:67-69；NCP4307/01:37。→【复算】I_RMS²·R 与 Q_g·V·f；【实测】温升。
• TSOP-6 温升 ≤25 ℃（0.22 W×250 ℃/W 中片内份额）：出处 NCP4307/03:187。→【实测】热成像。

业界惯例（低风险）

• 栅阻 0~2 Ω 默认 0（NCP4307/01:35；NCP4307/03:170）；V_CCH 去耦 100 nF~1 µF（NCP4307/01:90；NCP4307/03:166）；CS/DRV 间距与地保护线（NCP4307/04:28,:124,:129）；GND 开尔文尖峰 <50 mV 验收（NCP4307/04:126）；结温 ≤105~110 ℃（NCP4307/04:127）；排障以“换好 IC 复测”收尾（NCP4307/04:112）；先做对量法再排障（NCP4307/04:117）；t_LLD 档位与振铃匹配（NCP4307/04:63）。

9. TEA1995T（双通道 LLC SR，NXP）

待核实（数据缺失）

• Energy-save 模式触发条件（DS 全篇未述）：160 µA/110 µs 参数齐全但触发条件空白。出处 TEA1995T/01:164；TEA1995T/02:15,:201,:211,:221；TEA1995T/04:98。→【查证】NXP TEA1995T DS §8.4/图 1；【实测】轻载扫负载记录 VCC 电流 160 µA 台阶切换点。
• GDA/GDB 对地短路电流限（DS 未给）：出处 TEA1995T/01:90。→【查证】DS 绝对最大额定；不做短路运行实测。
• VCC 自举绕组供电方案（DS 未给）：出处 TEA1995T/01:49；TEA1995T/03:156。→【查证】NXP 应用笔记/设计例。
• 检测脚串阻指引（DS 无任何说明）：库内建议不加、靠布线解决。出处 TEA1995T/03:117,:159。→【实测】加百 Ω 级串阻对伺服环带宽与判据比例尺的影响（佐证“不加”）。
• 反激高反射电压的分压方案（DS 无）：库内结论为“破坏判据比例尺，弃用本 IC 或改拓扑口径”。出处 TEA1995T/02:98；TEA1995T/03:176；TEA1995T/04:77。→【实测】分压后四判据等比缩小的失真验证。
• 关断锁定的保持/重挂条件（DS 未明确）：推断“漏极保持为正期间持续”。出处 TEA1995T/02:146,:220。→【实测】漏极正压期结束瞬间是否重新放行开通。

待复核（本库推算）

• 12 V 输出的关断管漏极平台 30~40 V（2×Vout+振铃示例）：出处 TEA1995T/01:65。→【实测】漏极平台电压；【复算】2×12 V+尖峰份额。
• 去耦 10 nH→0.28 V 凹陷核算（1 A/36 ns）：出处 TEA1995T/01:43。→【复算】L·di/dt；【实测】VCC 凹陷。

业界惯例（低风险）

• VCC 去耦 100 nF 起步、按需并 1 µF（TEA1995T/01:49；TEA1995T/03:106,:155,:199；TEA1995T/04:23）；栅串阻 2~10 Ω 可选、代价是开通变慢（TEA1995T/01:89；TEA1995T/03:154；TEA1995T/04:109）；对角脚位布局法与摆位顺序（TEA1995T/01:34；TEA1995T/03:122；TEA1995T/04:26）；过孔 ~0.5 nH（TEA1995T/04:20）；开尔文压差 <10 mV 验收（TEA1995T/04:37）；5 V 档标准管 RDS(on) 为标称 2~3 倍（TEA1995T/04:58）；Qg-VGS 前段近似线性（TEA1995T/02:161）；Tj<125 ℃ 验收线（TEA1995T/03:35）；分级验收口径（TEA1995T/04:167）。

10. NCP1622（CrM/DCM PFC，onsemi）

待核实（数据缺失）

• Brown-out 交流阈值换算（释放 ≈113 V 峰/80 VAC rms、跌落 ≈102 V 峰/72 VAC rms）：按 KCS=1/138 桥比推算，DS 未直给交流阈值。出处 NCP1622/01:167；NCP1622/02:180。→【查证】DS Brown-out 节；【实测】调压器扫输入看 BONOK 动作点。
• E 档 tDT,max→“约 33 kHz”轻载频率下限的折算：表 6 只给 Vctrl=0.65/0.75 V 两点。出处 NCP1622/02:93。→【查证】DS 图 7 完整死区曲线；【实测】轻载频率下限。

待复核（本库推算）

• 环路 Rz=47 kΩ、Cz=1 µF、Cf=0.15 µF（本库示例，DS 未给参考设计值）：出处 NCP1622/01:36；NCP1622/03:102,:150。→【复算】按 03 篇式子换自己的工况；【实测】Bode。
• 各 L2 档折返下限频率表（假设 tON+tDEMAG 约 5~7 µs）：出处 NCP1622/02:97。→【实测】各档轻载频率谱。

11. NCP1654（CCM PFC，onsemi）

待核实（数据缺失）

• OPL 判据 200 µVA 只有 typ（无 min/max）→ crest 瞬时余量 17% 为全设计最紧格：出处 NCP1654/03:110。→【查证】DS Rev.7 EC 表是否补 min/max；【实测】降压法测 crest 处 OPL 动作裕量。
• I_B(pin6) typ 缺失（只有 max 500 nA）→ 偏置误差按 ±1.8 V(max) 核：出处 NCP1654/01:83。→【查证】EC 表；【实测】输出电压精度。
• DS 图 48 母线是否画泄放电阻（断电安全）：原版图未画，待核实。出处 NCP1654/04:147。→【查证】DS 图 48 与整机安全评估；无则设计必须外加 bleed 电阻。

待复核（本库推算）

• 损耗预算表（Q1 导通 4~5 W @R_DS(on)=0.19 Ω、电感 2~4 W 等，DS 未给损耗数据）：出处 NCP1654/03:128-138。→【查证】所选管/磁件手册；【实测】热成像分解。
• R_start 预算（I_STUP ≤75 µA max）：出处 NCP1654/01:109。→【复算】R≤(V_bulk−V_CC(on))/75 µA。
• 参数为“目标值”、量产留 ±10% 余量：DS 注 3 口径。出处 NCP1654/01:135。→【查证】后续版本是否转正式规格。
• Qg 待核实（驱动电流与 I_CC 预算输入）：出处 NCP1654/03:105；NCP1654/01:99。→【查证】所选管 DS（见 §20 模式 1）。

业界惯例（低风险）

• D1 超快恢复/SiC（NCP1654/04:30）；CS 走线包地（NCP1654/04:23）；过零声噪灌胶/浸漆（NCP1654/03:185）；BO 脚纹波 <V_BO 几个百分点（NCP1654/04:43）；DRV 关断低阻网络（NCP1654/04:93）；CCM 绕组/气隙要点（NCP1654/03:183）。

12. NCP1680（图腾柱 CrM PFC，onsemi）

待核实（数据缺失）

• DS 图 2 的 400 V 应用驱动器型号 NCP5892x/NCP51530 混排：准确型号以 EVM 为准。出处 NCP1680/01:96。→【查证】EVBUM2886 BOM（库内 NCP1680/05 已译，可直接核对）。
• 积分限流的瞬态响应指标（DS 未给）→ 第一拍过流放行：推断。出处 NCP1680/02:180。→【实测】负载阶跃第一拍电流峰值。

待复核（本库推算）

• 省桥收益 +1.9%（低线）/+0.8%（高线）：假设 VF≈1.0 V、R_DS(on)=40 mΩ、η=0.94。出处 NCP1680/02:9,:37,:247；NCP1680/RM:23；HP(PFC):100。→【复算】2 V 桥损 vs 慢臂 R_DS(on) 压降；【实测】同板 A/B 对比。
• 输出电平链 416.9/428.8/379.1/317.6/47.6 V（397 V 实际值口径）：出处 NCP1680/03:112。→【复算】按 DS 各阈值×系数。
• VBO 启停 78/71 VAC、高低线 167/157 VAC：出处 NCP1680/03:100。→【复算】阈值×100 分压比；实测动作点。
• Rs 损耗 2.9 W（Irms≈1.15×Iin,rms 的三角波口径）：出处 NCP1680/04:88。→【复算】CrM 三角波 RMS 精确式；【实测】Rs 温升与阻值漂移。
• NTC 100 kΩ/β4050→90 ℃ 触发 8.8 kΩ：出处 NCP1680/03:17,:159。→【复算】R-T 曲线；【实测】触发温度。
• 慢臂导通 0.9 W/管（4.73 A rms×40 mΩ）：出处 NCP1680/03:87。→【复算】；【实测】管温。
• AUX 匝比按 VAUX 峰 5~15 V（本库经验值，DS 未给匝比公式）：出处 NCP1680/03:142。→【实测】谷底检测武装裕量。
• 分压器常通 ≈52 µA（264 VAC、5.1 MΩ）：出处 NCP1680/03:100。→【复算】计入空载功耗预算。

业界惯例（低风险）

• 两路外驱延迟差 ±10 ns、驱动器延迟 <100 ns（NCP1680/03:80；NCP1680/04:84）；GaN 场合环路 <10 nH（NCP1680/04:146）；市电侧启动防“PFC 未起→无偏置”死锁（NCP1680/02:62；NCP1680/04:56）。

13. NCP1681（图腾柱多模式 PFC，onsemi）

待核实（数据缺失）

• AUX 网络 RAUX1/RAUX2/CAUX 阻容值（DS 图 28 未给）：库内起点 1 k/10 k/10 pF 按谷底开通电压实测调。出处 NCP1681/01:115；NCP1681/03:126,:145。→【查证】DS 图 28 注释；【实测】谷底开通电压扫描定值。
• FMIN 30.5 kHz 对特定应用的收窄订货选项：出处 NCP1681/04:71。→【查证】与 onsemi 确认定制/后缀参数。

待复核（本库推算）

• CrM vs CCM（750 W/90 V）：峰值 24.8 A vs 16.1 A（−35%）、RMS −12%、导通损 −29%：README/02/横评多处引用的定量理由。出处 NCP1681/RM:8,:92；NCP1681/02:10,:143；HP(PFC):64,:106。→【复算】ton=2LP/(η·Vin²) 与三角波/梯形波 RMS。
• CCM 边界 ≈370 W（90 VAC）/≈2.4 kW（230 VAC）：出处 NCP1681/02:115；NCP1681/03:9,:53。→【复算】ton>1.12·T_CCM 判据代入。
• BO 裕量仅 7%（90 VAC 对 max 阈值）→ 建议 KL_DIV 降到 90：出处 NCP1681/02:77-79；NCP1681/03:66；NCP1681/01:162。→【复算】1.27 V 对 1.18 V；【实测】低线启停。
• 预测型乘法器闭环验算误差 1%（d=0.689 vs 需求 0.682）：出处 NCP1681/02:128；HP(PFC):106。→【复算】VCSZCD→IM→VM→d 链条。
• VCC 源内阻 <360 Ω 预算：按 1.2 V 迟滞 min 与 3.3 mA 推得；若按电流增量 1.5 mA 算可放宽——两口径需统一。出处 NCP1681/01:72,:150；NCP1681/04:61。→【复算】统一口径后定预算；【实测】长线/二极管降压下的启动。
• ZCD 电阻法损耗 ≈8.9 W 不可接受→必须第三只 CT（与 RCS 同匝同阻）：出处 NCP1681/03:98；NCP1681/01:108；NCP1681/02:153（CT 损耗 43 mW 对照）。→【复算】I²R；【实测】CT 温升。
• FAULT 网络：NTC 8.7 kΩ 跳闸/20 kΩ 恢复、VCC-OVP 18.2 V 锁存：出处 NCP1681/01:122,:142；NCP1681/03:122,:369(见 03:13)。→【复算】按实际 NTC R-T 与稳压管 Vz；【实测】保护动作点。
• NTC 开路→脚被钳 1.7 V→OTP 静默失效（固有盲点）：本库推断的失效模式，已给对策（MCU 注入检测/常闭热开关/FMEA 记录）。出处 NCP1681/02:158；NCP1681/04:82-85。→【实测】断开 NTC 验证盲点存在；对策电路功能验证。
• FB 分压电阻 ≈100 mW 是空载功耗大头：出处 NCP1681/02:214；HP(PFC):157,:224。→【复算】400²/R 分压。
• 辅源按 ≥0.5 W 设计（ICC3 4 mA+栅驱 0.15 W+电荷泵）：出处 NCP1681/03:118。→【复算】；【实测】辅源负载调整率。
• 慢桥臂 Qg≤100 nC→驱动 0.12 W；IC 自耗 60~100 mW：出处 NCP1681/03:114；NCP1681/01:191。→【复算】Qg·VCC·f。

业界惯例（低风险）

• 抖动无代价获得 3~5 dB EMI 裕量（NCP1681/02:146）；CAUX 从 10 pF 起试（NCP1681/03:110,:126）；损耗表量级（磁件 6~8 W、快桥臂 1.5~2.5 W/管、整机 96% 级）（NCP1681/03:148-161）；谷底开通 <30 V 验收（NCP1681/04:139）；模式台阶避开常载 ±15%（NCP1681/04:50,:176）；慢臂 RG 5~10 Ω、Qg<100 nC 直驱上限（NCP1681/01:129）。

14. MP6951（高频反激 SR 驱动，MPS）

待核实（数据缺失）

• DS 式 2 未含 VOUT（V_HVC(MAX)=V_IN×NS/NP）→ 实际漏极峰值 113 V 的口径差：安全核算按漏极实际峰值+20% 振铃（≈136 V<150 V 推荐）。出处 MP6951/01:122；MP6951/03:106,:193。→【查证】DS §11.3 式 2 的节点定义；【实测】关断期漏极实际峰值。
• t1“平台”的精确定义（MPS 专利细节，DS 页脚标注 Patent Protected）：出处 MP6951/02:14,:135；HP(ZVS):91。→【查证】MPS 专利/FAE；按“谷宽<tW<真平台”两端实测整定即可绕开。
• R_TW 允许范围与线性度（手册只在 100 kΩ 给 min/typ/max）：出处 MP6951/01:72；MP6951/03:71,:193。→【实测】68 kΩ/150 kΩ 两点实测 tW 验证线性。
• R_TW 悬空行为未定义：出处 MP6951/01:77；MP6951/04:170。→【查证】DS；【实测】悬空时窗口行为（结论：禁止悬空）。
• 高线时 HGC/LGC 档位切换的内部判据：DS 只给结论不给机理。出处 MP6951/02:135。→ 同上按两端裕量整定覆盖。
• SRD 偏置电流方向（手册未明写）→ 65 µA×1 kΩ=65 mV 垫歪判据的方向：出处 MP6951/01:38,:165；MP6951/03:79；MP6951/04:26。→【实测】串 1 kΩ 测 VON 判据偏移方向与幅度。
• VDD 电流源短路保护无专项说明：出处 MP6951/01:94。→【查证】DS 特性表；确认“限流但不保证长期短路”。
• 本库示例设定（QG=70 nC、C_ring≈300 pF、L_eff≈3 µH、匝比 0.25）：教学口径，实际项目必须换实测参数。出处 MP6951/03:54,:191。→【实测】按自己波形收敛。

待复核（本库推算）

• 1 MHz×QG 70 nC→栅损 0.46 W、温升 101 ℃、TJ≈126 ℃（封装先于硅片过热）：1 MHz 应用 QG≤40 nC 结论的支柱。出处 MP6951/01:104；MP6951/03:48,:108；MP6951/RM:11；HP(ZVS):91,:169。→【复算】QG·VDD·f_SW；【实测】封装热。
• tMOT=0.62 µs @1 MHz 占 62% 周期→急停通道收尾（反向电流 ≈0.36 A 推断）：出处 MP6951/02:170；HP(ZVS):91。→【实测】1 MHz 满载关断沿与倒灌电流。
• 体二极管先行导通损耗核算：快档 0.18 W vs 慢档 1.8 W（10 倍差）：出处 MP6951/02:86。→【复算】E=V·I·t。
• 慢档“欠驱动”误开通的时序（≈390 ns vs 振铃谷宽 40~80 ns）：出处 MP6951/02:114,:120,:128；MP6951/03:54。→【实测】退磁振铃频率反推谷宽。
• 启动时序校核 98 µs（SRD 43 mA）/串阻 1 kΩ 拉长至 160 µs：出处 MP6951/02:50。→【复算】C·V/I。
• R_TW=68 kΩ→tW≈300 ns（按式 1 线性缩放）：出处 MP6951/01:72；MP6951/02:120。→【实测】见上文线性度条目。

业界惯例（低风险）

• 外部 RG 是最后手段（≤2~4 Ω、加后复测 20 ns 关断）（MP6951/04:43；MP6951/01:102）；VDD 纹波 <100 mV 验收（MP6951/04:153）；布局自查三问（MP6951/04:139）；VOUT>4.9 V 才用低侧、5 V 档改高侧（MP6951/03:162）；驱动损耗 P_gate 计入封装热（MP6951/03:48）。

15. UCC28781（ZVS 反激，TI）

待核实（数据缺失）

• 隔离驱动器传播延迟 tD(DR)=60 ns（RRTZ 计算的关键输入）：DS 未给，按“所选隔离驱动器手册取”——本库暂按 60 ns 假设得 RRTZ=186→187 kΩ。出处 UCC28781/02:63；UCC28781/03:111。→【查证】所选隔离驱动器 DS 的 tPD 参数；【实测】DRD/SRD 沿延迟。
• 隔离器休眠静态功耗 ~5 mW（按所选隔离器静态参数）：待机 45 mW 预算的组成项。出处 UCC28781/03:142。→【查证】所选数字隔离器 DS 静态电流。
• QS 检测管阈值 ≈2 V（按 BSS126 手册取）：出处 UCC28781/02:201。→【查证】BSS126 DS VGS(th)/IVDD(LIMIT)；【实测】QS 端电压阈值。

待复核（本库推算）

• 节点无功 ≈3.1 W（½·CSW·VBULK²·fSW，高线满载）：“刚好够”策略的量化。出处 UCC28781/02:54。→【复算】按实际 CSW。
• tZ(MIN)=166 ns（tLC 106 ns+tD(DR) 60 ns）→RRTZ=187 kΩ：出处 UCC28781/02:63；UCC28781/03:111。→【复算】式 10 链条（依赖 tD(DR) 核实）；【实测】ZVS 窗口。
• SBP 待机 0.64 mA（比常开 3 mA 省 4.7 倍）：出处 UCC28781/02:172。→【复算】电流×时间×频率分解。
• QS 启动 ≈85 ms（2 mA 充 10 µF 至 17 V）：出处 UCC28781/02:201,:207。→【复算】C·V/I；【实测】上电到 VCC 建立时间。
• XCD 放电 191 ms<300 ms（1 µF/375→60 V @1.65 mA）：出处 UCC28781/02:226；UCC28781/04:79。→【复算】电荷/电流；【实测】拔交流 X 电容放电时间。
• fSW 自洽：低线满载 ≈241 kHz / 高线 ≈600 kHz / 半载高线 ≈1 MHz：出处 UCC28781/03:75；HP(ZVS):69。→【复算】周期=ton+tDM+tZ；【实测】各角点频率。
• BMAX=0.17 T（RM8 AE≈64 mm² 常用值）：出处 UCC28781/03:79,:143。→【查证】磁芯手册 AE；【复算】式 26。
• HV 检测钳位电流 ≈154 µA（3×1.24 MΩ 串联、单只短路工况，限 150 µA 附近）：出处 UCC28781/01:151。→【复算】分压/限流两式。
• 传统启动电阻对比 ≈150 mW 常续损耗：出处 UCC28781/02:207。→【复算】375²/940 kΩ。

业界惯例（低风险）

• SWS 检测管选型与热敏感定位（UCC28781/04:119）；CSW 每多 10 pF、IM− 配额多 3%（UCC28781/04:128）；RCS 选 1 W 以上封装（UCC28781/03:143）。

16. XDPS21071（数字 ZVS 反激，Infineon）

待核实（数据缺失/原文存疑）

• DG 表 6 标题 15 V/3 A 与 T_sw=7.143 µs（对应 140 kHz，20 V 工况）不匹配：照录待核实。出处 XDPS21071/05:197。→【查证】原厂 DG PDF 原表；【复算】15 V CRM 应为 8.85 µs。
• I_AC=4.38 A 取值口径（式 8 直代得 14.25 A、交流分量法 ≈4.5 A 均不符）：出处 XDPS21071/05:197,:543。→【复算】√(I_rms²−I_DC²)；【查证】DG 原文口径。
• BMEN2 上限 2.512 V 与 BMEN3 下限 2.152 V 不衔接（疑笔误）：出处 XDPS21071/05:445,:543。→【查证】DG 表 11 原文。
• 式(5) 含 η 左端 ≈45.1 W 更接近 P_out；式(17) 严格取整 16 而原文取 17 bits：出处 XDPS21071/05:543。→【查证】DG 原文。
• DG 提“VCC 也有 OVP”而 DS 保护表未列：库内按 DS 为准（疑为 V_VCCBBoff=20.5 V 启动单元关断阈值在起 OVP 之实）。出处 XDPS21071/02:63。→【查证】DS 表 6 与 §4.3 对照 DG §5.5。
• 5~20 V PD 应用单绕组辅助供电两端均不满足（<7.2 V 掉电 / >19 V 越限）→ 实板 VCC 方案未知：可能是串联稳压/绕组堆叠/ZVS 绕组泵电。出处 XDPS21071/03:12,:119；XDPS21071/04:57。→【查证】英飞凌参考设计原理图；【实测】全输出范围 VCC 轨迹。

待复核（本库推算）

• C_VCC=10 µF（时序核算假设，实板值待核实）：出处 XDPS21071/02:37。→【查证】实板 BOM；【复算】时序核算重跑。
• 抖频量化 ±3.125%→±4.36 kHz 载波摆动、312 Hz 调制率→压低数 dBµV：出处 XDPS21071/02:96。→【实测】开/关抖动的传导扫描对比。
• 负磁化能量流闭环（注入能量大部分不烧在电阻上）：本库推断，手册未量化。出处 XDPS21071/02:142。→【实测】ZVS 电容/绕组能量回摆波形（机理级，低风险）。
• VCC<19 V 约束的机理（UVLO 与 Bang-bang 状态机唯一性）：约束是 DS 表 11 注 4 事实，机理为本库推断。出处 XDPS21071/01:103。→【查证】DS 注 4 原文措辞。
• 分压 1% 电阻是下限（误差按 7.96 倍放大到 Vout 判读）：出处 XDPS21071/03:105。→【复算】增益链。

业界惯例（低风险）

• 瞬态考核纳入光耦 CTR 老化与低温（XDPS21071/03:183）；UART 产线“读回-比对-校准-复读”四步（XDPS21071/04:99）；产测夹具先接后上电（XDPS21071/04:71）。

17. NCP1568（ACF+SR 合封，onsemi）

待核实（数据缺失）

• R_CS 实装 0.5 Ω×2 是并联（0.25 Ω）还是串联：串联则 OCP=0.79 A 与功率需求矛盾→推断并联。出处 NCP1568/03:63；NCP1568/01:80。→【查证】EVBUM2734 BOM/原理图（库内 NCP1568/05 已译）；【实测】OCP 动作点。
• G03 vs G04 后缀选择（ZVS 检测窗宽窄 vs 管子 COSS/谐振速度）：本库推断，需实测核对。出处 NCP1568/01:177。→【实测】ZVS 时间与所选开关技术匹配。
• 部分后缀 EOL 风险：量产前核对生命周期。出处 NCP1568/04:179。→【查证】onsemi 生命周期公告。

待复核（本库推算）

• DMax 口径：式 5 外推 87% vs 特性表 DMax_100=75%（450 kHz 时 73.5% vs 78%）：两处口径不同，库内按特性表取值、式 5 做趋势。出处 NCP1568/02:71；HP(ACF):157。→【查证】DS 式 5 适用域与表注；【实测】Fmax-占空比曲线。
• Lm=120 µH→负电流储备 −0.3~−0.5 A（300 kHz 量级）：出处 NCP1568/03:48-51。→【复算】ΔI/2 与死区放电；【实测】ZVS 波形负电流。
• V_bulk(min)≈103 V 与 BO 下限 98 V 的系统级自洽：出处 NCP1568/03:38。→【复算】纹波式代入 EVM C_bulk。
• OCP=3.14 A / SCP=4.76 A / 工作峰值 ≈2.2 A→余量 1.43 倍：出处 NCP1568/03:63-64；NCP1568/01:80。→【复算】785 mV/0.25 Ω 链条。
• 钳位谐振半周 1.19 µs>DT_Max 449 ns（Llk≈1.8 µH×C_clamp≈0.2 µF）：出处 NCP1568/03:78。→【复算】按实际 Llk/C_clamp；【实测】钳位电压谐振周期。
• C_out ≥520 µF（ΔV≤200 mV 目标）→EVM 68 µF 偏紧→建议 82~100 µF：出处 NCP1568/03:92,:118；NCP1568/04:74。→【复算】ΔQ/ΔV；【实测】负载阶跃。
• 环路起点 f_c≈20 kHz、II 型（仅起步非终点）：出处 NCP1568/03:173。→【实测】Bode（模式切换点两侧各测一条）。
• 直驱沿速度：LDRV 1.5 A→Qg 60 nC≈40 ns；ADRV 65 mA→17 nC≈260 ns（仅够小栅荷）：出处 NCP1568/01:92,:108。→【复算】Qg/I；【实测】栅沿。

业界惯例（低风险）

• DTH/ATH 放效率曲线交点两侧、迟滞带宽于扰动（NCP1568/01:64；NCP1568/03:71；NCP1568/04:38）；CVCC 按式 3+20%（NCP1568/04:74）；CS RC 20 pF+732 Ω 起步（NCP1568/04:92）；钳位回路面积最小化、首次布局整板复刻 EVM（NCP1568/04:148,:150）；VCC 绕组 16~18 V 设计（NCP1568/03:96）；启动 60 ms 计入 PD 认证预算（NCP1568/02:171）；TSkip_wake 24 ms 的动态代价（NCP1568/02:207）。

18. UCC2897A（ACF 正激控制器，TI）

待核实（数据缺失）

• 打嗝模式内部具体判据时序（DS 未展开）：SLUA532 给 EVM 级参考。出处 UCC2897A/02:209。→【查证】SLUA532；【实测】C_SS 缓放与重启周期。
• 第二级 OCP 0.75 V 仅器件选项表+图 12 温度曲线（EC 表无行）：TI 原文口径如此。出处 UCC2897A/02:209。→【查证】SLUS829G 选项表与订货后缀对应。

待复核（本库推算）

• 漏感能量 16.8 µJ/拍→RCD 烧 ≥4.2 W @250 kHz（ACF 收益 2~4 个效率点的支柱）：L_leak 取 1% Lm≈1 µH 是假设。出处 UCC2897A/02:154,:162；HP(ACF):9。→【实测】RCD 钳位电阻实际损耗（电压×电阻）；【复算】按实测漏感。
• C_eq≈1 nF、Q_G 30+50 nC（150 V 管典型+杂散，本库估算）：出处 UCC2897A/02:113；UCC2897A/03:59,:132,:145。→【查证】所选管 DS Coss/Qg；【实测】节点电容。
• t_DEL2≥138 ns→取 181 ns（R_DEL=15 kΩ）：出处 UCC2897A/02:113,:210；UCC2897A/03:145。→【复算】C_eq·V_CLAMP/I_m_pk。
• 钳位平台 105.3 V+30~40% 裕量→150 V 管：出处 UCC2897A/03:89。→【复算】V_IN(max)/(1−D)；【实测】钳位平台。
• R_CS 功耗 1.2 W→选 2~3 W 采样电阻：出处 UCC2897A/03:108。→【复算】I²R；【实测】温升。

业界惯例（低风险）

• 续流管实受 1.5~2 倍理想应力（UCC2897A/02:215；HP(ACF):14）；反激 SR 可降 100 V 档（UCC2897A/02:216）；钳位管 P 沟道选择少、R_DS(ON) 差 2~3 倍（UCC2897A/RM:79；UCC2897A/03:89）；R_ON/R_OFF 用 1% 薄膜、禁排阻相邻通道（UCC2897A/04:93）；SYNC 悬空或串 100 Ω~1 kΩ（UCC2897A/04:100）；C_CLAMP 薄膜/COG（UCC2897A/04:140）；N_PS=0.65 复位余量折中（UCC2897A/03:75）。

19. 横评与通用基础文档

待核实（数据缺失）

• IEC 61000-3-2 Class D 逐次谐波 mA/W 限值表：基础篇只讲来龙去脉，未抄限值表；10_理论与方法/02_理论通识/01_理论通识/02_傅里叶与频域通识.md:272 已带入 Class D 3/5/7/9 次部分限值（3.4/1.9/1.0/0.5 mA/W，教学复算口径、以现行标准版本为准），全表仍待标准原文。出处 JC:414。→【查证】标准原文或检测机构官方解读（付费标准，引用需注明版本）。

待复核（本库推算，跨 IC 对比核算）

• SR 关断总延迟每差 100 ns=1.5 A 倒灌（12 V/15 A LLC、过零斜率 14.8 A/µs）：出处 HP(SR):34。→【复算】I=斜率×Δt。
• QR 谷 1 的 VDS 两口径（低线 8 V/高线 293 V）：已并入 §2 NCP1342 条目，横评与深读共用。出处 HP(准谐振QR):8,:96。→ 见 §2。
• MP6908 SLEW 判据 vs MP6951 时间窗 vs MP6922 时序窗 vs NCP4307/TEA1995T 阈值系的横评量化：各参数已并入 §6/§7/§8/§9/§14 对应 IC 条目。→ 按各 IC 条目验证。

业界惯例（低风险）

• 光耦 CTR 100~300% 量级、随温漂与老化、按最低档核算（JC:486；JC:504）；漏感测不准、工艺差数倍（JC:153）；开关+LDO 级联方案（JC:61）；反激 Lm 选低线 CCM/高线 DCM 边界带（JC:199）；迟滞控制需纹波注入网络（JC:276）；保持时间留 20~30% 电容裕量（JC:448）；OTP 锁死型取舍（JC:544）；GaN+QR 混搭仅 100~300 kHz 有局部收益（HP(准谐振QR):144）；变频拓扑迁移需重做 EMI 认证（HP(ACF):42；HP(ZVS):38；NCP1568/02:234）；AHB vs ACF 65 W 档效率接近、密度/产线各有取舍（HP(AHB):114）；漏感散差 ±20% 决定 AHB 批量一致性（HP(AHB):75）；小功率（<150 W）ZCD 电阻法才经济（NCP1681/03:98）。

功率器件层（20_基本元器件/03_功率器件 + 器件物理）

2026-09-28 增补。收进 20_基本元器件/03_功率器件 全部译文/教程（平面 MOSFET、超结 MOSFET、GaN、SiC、栅驱动 IC、器件物理三篇）与 10_理论与方法/01_通用基础 尚未入表的标记，按本表同一体例收敛为 53 条（待核实 27 / 待复核 18 / 业界惯例 8）。器件物理三篇文末自带“待核实与推断汇总”表，本节已将其与译文散布标记合并去重；若干回填目标与 §20 模式 1（功率管参数速查表）重合，验证时一并执行。

序号口径（2026-10-07）：本表 型号/NN:行号 的 NN 为记录时点旧序（旧 00=规格书全译、01=引脚、02=原理、03=设计计算、04=排障；README=总览）。2026-10-06 全库改名后五件套 +1（现 01 规格书全译 ~ 05 排障、00 总览），对照时按"旧 NN+1（NN≥0）→ 现文件"映射；行号为对应文件记录时点行号。 出处简写（冒号后为该 md 文件行号）：平面00~04＝20_基本元器件/03_功率器件/平面MOSFET/各篇；超结00/01＝20_基本元器件/03_功率器件/超结MOSFET/；GaN00/01/02＝20_基本元器件/03_功率器件/GaN/；SiC00/01/02＝20_基本元器件/03_功率器件/SiC/；AN978＝20_基本元器件/03_功率器件/栅驱动IC/00_AN978栅驱动IC全译.md；架构/GaN深/SiC深＝20_基本元器件/03_功率器件/器件物理/（MOSFET架构演进/GaN物理深潜/SiC物理深潜）；GaN基＝10_理论与方法/01_通用基础/GaN与隔离驱动基础.md；变压＝10_理论与方法/01_通用基础/反激变压器设计.md；环路＝10_理论与方法/01_通用基础/环路补偿与TL431光耦.md；对比＝10_理论与方法/01_通用基础/65W适配器五拓扑同规格对比.md。查证用源 PDF 均在 90_资料源/：平面MOS_Infineon_PowerLossesCalc.pdf、平面MOS_AOS_PowerMOSFETBasics.pdf、平面MOS_Vishay_AN608A_GateCharge.pdf、超结MOS_CoolMOS_C7_SwitchingBehavior_Hancock.pdf、超结MOS_DesigningWithPowerMOSFETs.pdf、GaN_CoolGaN_GateDriveDesignGuide.pdf、GaN_CoolGaN_QuickRef_Driving600V.pdf、GaN_EPC_DeadTimeOptimization.pdf、SiC_ROHM_GateDriveDesignGuidelines.pdf、SiC_ROHM_SiCDevicesAndModules_AN.pdf、SiC_Wolfspeed_PRD09301_GateDriverDesign.pdf、栅驱动IC_AN978_HVFloatingMOSGateDrivers.pdf。

平面 MOSFET

待核实（原文存疑）

• 02 篇式 (15)/(16) 印刷为 IDon、按物理应为关断时刻电流 IDoff：已对照原 PDF 第 10 页确认印刷如此（同篇式 (20) 的 EoffM 用的正是 IDoff），疑原文排印疏忽，译文照录并声明。出处 平面02:101,:283。→【查证】平面MOS_Infineon_PowerLossesCalc.pdf P10 式 (15)(16) 与式 (20) 口径对照，定性为原文笔误后勘误注定稿。
• 02 篇式 (39)/(40) 按可读排版完全相同、物理上不成立（Io,min≠Io,max）：译注按状态方程补出自洽的 Io,min 闭式（明示“译注推断，非原文文字”）。出处 平面02:195,:197。→【查证】原 PDF P14~15 两式原字形（指数减号不可提取）；【复算】用图 16 波形定义重推 Io,min/Io,max 验证译注式。
• 04 篇第三象限 “occurs under at VDS” 判为负号丢失（under negative VDS）：OCR 还原判断，挂“待核实”。出处 平面04:34,:148。→【查证】平面MOS_AOS_PowerMOSFETBasics.pdf 第三象限节原句。

待复核（本库推算）

• 02 篇译注补例 1~4 数字链：40 V 管 CCM buck——PCM=5.3 mΩ×41.7 A²≈0.22 W、体二极管 PCD≈4.8 W（大一个量级→同步整流动机）；温度系数 α≈0.47 %/K（图 3/图 4 估读反推）→RDSon(125 ℃)=3.3×1.0047^100≈5.3 mΩ（比 25 ℃ 值高约 60%）；EonM≈1.05 µJ/EoffM≈1.06 µJ→PswM≈0.21 W @100 kHz（与导通同量级→软开关动机）；50 W CCM 例式 (25)~(30)。原文全篇无代入数字例，数字均为译注假设/估读。出处 平面02:10,:50,:62,:126,:157,:284。→【复算】换自己工况代式 (9)~(21)(25)~(30)；【实测】双脉冲法测 Eon/Eoff；【查证】所选管 DS 的 RDS(on)-T 曲线核对 α。
• 03 篇 Co(er)/Co(tr) 关系补例：同一条 C(v) 算出的 Co(er) 明显大于 Co(tr)（例 0.5 nF vs 0.4 nF）；Qoss=1.2 µC @VDS=400 V→Co(tr)=3 nF——支撑“QR/LLC 死区与 Eoss 计算用 Qoss 或 Co(tr)，不用单点 Coss 表值”。出处 平面03:50,:68,:144。→【复算】∫v·C(v)dv 与 ½Co(er)V²；【查证】所选管 DS 的 Co(er)/Co(tr) 双列值。
• 热校核“理想壳温 25 ℃”补例：RthJC=0.83 ℃/W→150 W（壳温恒 25 ℃ 理想值）vs 1 in² 2 oz 板 RθJA≈62.5 ℃/W→约 2 W，差 40 倍；PD=2 W 时 ID=√(PD/RDSon(TJmax))≈14 A，分母用 25 ℃ 值会高估约 40%。出处 平面00:104；平面04:123,:136。→【复算】按实际散热条件；【实测】板载温升。
• 01 篇 tvf 实测 560 ns＞计算 469 ns 的机理归因（动态 Cgd/Cgs 与感性负载耦合）：原文只给现象与结论、未给误差分解，库内推断。出处 平面01:241。→【实测】双脉冲平台实测 tvf 对比固定 Cgd 手算；【查证】平面MOS_Vishay_AN608A_GateCharge.pdf 原文口径。

业界惯例（低风险）

• 读表与比较守则一组：Coss 必须带测试电压条件（同管 10 V 与 100 V 处可差 5~8 倍）（平面03:50）；RDS(on) 表值是线性区斜率、读表看 VGS 条件（平面04:27）；米勒平台 VGP=VGS(th)+ID/gFS（平面04:53）；datasheet 摘要页 RθJC 与板载 RθJA 分开看（平面04:123）。→ C 级抽验。
  • 2026-10-07 勘注（部分闭合）：Coss–VDS 曲线与测试条件（VGS=0 V、f=1 MHz、25 ℃）已由《平面MOSFET/04_电气特性精译》（Toshiba）原版图 1.2 + 参数表逐行收录，"必须带测试电压条件"的守则成立；"5~8 倍"为倍数量级口径，保留业界经验标记（原版曲线纵轴对数刻度可自行量取，未做逐点抄录）。

超结 MOSFET

待核实（原文存疑）

• C7 篇式 (3) 代入例 VPlat=5.4 V 的测试电流未注明（按式 (4) 上下文应为满载 25 A 量级）；同篇 OCR 判断存疑：图 9 图题“1.8 to 3 Ω”按正文判 23 Ω、§6.3 图号（Figure 28/27）交错按图题归属。出处 超结00:340。→【查证】超结MOS_CoolMOS_C7_SwitchingBehavior_Hancock.pdf §4 式 (3)(4) 上下文与图 9 原图。
• 失效篇式 [2] 印刷 “IDS∙ID” 按式 [4] 推导链还原为 VDS∙ID：若原 PDF 确印 IDS 则为原文笔误。出处 超结01:282。→【查证】超结MOS_DesigningWithPowerMOSFETs.pdf 式 [2] 原文。

GaN

待核实（原文存疑/缺档）

• CoolGaN 驱动指南 §3.1“基于图 6 与图 8 所示特性”疑为图 7 之误：图 8 是等效电路图、给不出 ID~IG 数据；ID,pulse≥25 A（20 A/0.8 降额）→最小栅电流 IG≈13 mA 的数字链与图 6 吻合。出处 GaN00:124,:195。→【查证】GaN_CoolGaN_GateDriveDesignGuide.pdf §3.1 图 6/7/8。
• 600 V 速查式 (2) 的符号约定（VN/VNf 记正幅值、−VN/−VNf 记负电压）原文未展开推导：直接代用注意口径。出处 GaN01:121,:233。→【查证】GaN_CoolGaN_QuickRef_Driving600V.pdf 式 (2) 及其参考文献 [1]。
• EPC 死区白皮书转写存疑一组：表 1 公式符号未随文定义（按 [1] 与 DS 惯例释义）；图 8 图注 “Total dead-time cycle is twice per interval” 确切措辞；文献 [14] 尾部粘连残段；实验“等效 40 V 硅管”具体型号未给出（图 5 对比用 30 V BSC034N03LS）；BSC057N08NS3 与 [7] BSC057N08NS3G 尾缀不一。出处 GaN02:55,:148。→【查证】GaN_EPC_DeadTimeOptimization.pdf 原文与 [1][14]。
• IGT65R055D2/IGD70R200D2S 两份 DS 未存档（Qg 测试条件、ID,peak=68 A 条件、图 6~10 曲线）：补档项，GaN 深潜驱动/损耗核算的输入。出处 GaN/README.md:60；GaN深:399。→【查证】Infineon 官网补档后回填（并入 §20 模式 1 速查表）。

待复核（本库推算）

• 死区体二极管导通项代入计算（I_L=10 A、V_F=2.5 V、Δt=5 ns→E=125 nJ；Si 管 V_F≈1.0 V→50 nJ，比值 2.5 恰与原文“eGaN 体二极管导通损耗增速约 2.5 倍”自洽）：V_F 为据图 1 压降差推断的量级。出处 GaN02:57。→【复算】按所选 eGaN 的 V_SD-I 曲线；【实测】死区期开关节点负压波形积分。

业界惯例（低风险）

• E-mode GIT 端口认知与 cascode 边界声明：GIT 栅端口“像压在 VF 上的二极管”（加压+持流几 mA 即导通）；D-mode 本体需与低压 Si MOSFET 组 cascode、代价是引入 Si 管 Qrr（小而未归零）与共源回路电感——业界口径综述，具体厂商器件本库无文献支撑、不硬写。出处 GaN/README.md:5,:63；GaN深:162,:187。→ C 级；补档后与器件物理组 cascode 条目合并。

SiC

待核实（原文存疑/图片表格未提取）

• ROHM 栅驱动设计实例三处印刷 vs 复算出入：脉冲宽度印 16.2 ns（按 t=33.4 ns 之半应为 16.7 ns）；PR_EXT 印 0.325 mW（复算 (8.6 mA)²×4.7 Ω=0.348 mW）；PDRV 印 12 mW（复算合计 ≈12.6 mW）——均不影响量级与结论。出处 SiC00:272,:290,:294,:315。→【查证】SiC_ROHM_GateDriveDesignGuidelines.pdf §5 设计实例原式。
• 设计实例 RG_EXT=4.7/2 网络拓扑口径（2 串 2 并、每并联支路 4.7 Ω；单管压降 I/4×4.7=6.04 V 与印刷算式自洽，但“每管电流 I/4”与“每支路 I/2”的对应关系原文未明示）。出处 SiC00:315。→【查证】原 PDF 电路图；【复算】I/2·(4.7/2) 链条。
• ROHM 应用笔记图片表格数值未提取（禁止凭记忆回填）：表 3-1 第 2/3 代特性对比；表 8-1/8-2（SBD 可靠性，样本 n=22、λ₁=10%、C=0）；表 8-3（MOSFET 插入型可靠性）；图 6-23 三种壳型（C/E/G 型 LS=25/13/10 nH）的尺寸-序号对应按上文推断。出处 SiC01:197,:564,:609,:643,:744。→【查证】SiC_ROHM_SiCDevicesAndModules_AN.pdf 第 23、66、71~72、78 页。
• Wolfspeed 篇式 (4)(5) 与正文方向含混：“determine the equivalent turn-on and turn-off resistors without the presence of the Kelvin-source resistor” 与公式（含 KS 的等效阻值）方向表述含混，以公式为准。出处 SiC02:560,:654。→【查证】SiC_Wolfspeed_PRD09301_GateDriverDesign.pdf §6.3。
• Wolfspeed 型号拼写照录未逐一官网核对（CGD1700HB2P-XM3、KIT-CRD-CIL12N-FMC 等）。出处 SiC02:654 ⑧。→【查证】Wolfspeed 官网型号库。

待复核（本库推算/推断）

• BM61S41RFV-C 允许功耗 Pd=694 mW 的温度条件：按 Pd=(Tjmax−Ta)/Rth=(150−25)/180 ℃/W 推算，原文未写明 Tj/Ta。出处 SiC00:290。→【查证】驱动器 DS 热阻注。
• DESAT 消隐时间起点 1~1.5 µs（“IGBT 板 3~10 µs 消隐习惯不可搬”）：3 代 5 µs 短路窗口里消隐占 3 µs 就没得救（推断/业界经验口径），保护链预算的起点值。出处 SiC深:272,:281；SiC02:652。→【复算】消隐+检测+软关断 ≤2~5 µs 全链条；【实测】短路注入动作时间。A 级，见 §21 追加第 11 条。
• 驱动损耗核算（SCT4018KR+BM61S41RFV-C @50 kHz：P_CHG=½(Qg·VG+C_EXT·VG²)·fSW=77 mW、IC 静态 12.6 mW→驱动电源按 90 mW 设计；摆幅 18 V vs 硅 10 V 同 Qg 损耗 ×1.8 为比例推断；峰值电流按灌电流侧算 5.14 A）。出处 SiC深:205；SiC00:290。→【复算】按实际 Qg/C_EXT/fSW；【实测】驱动轨电流。
• 3 代 AC 负偏 Vth 漂移“渐进式”机理推断（随开关次数积累、样机验证抓不到、量产半年后显现——基于“变化速度取决于偏置次数”）。出处 SiC深:228。→【实测】AC 应力加速试验；【查证】ROHM 可靠性 AN §8.2.4。
• SiC“面积代价更重”推断（同电流档芯片小 1~2 个数量级→雪崩热容天然小；封装/互连锁 Tj 150~175 ℃，不能按材料耐温外推 EAS 余量）。出处 SiC深:294。→【查证】厂商 EAS 曲线与芯片尺寸。

业界惯例（低风险）

• SiC 业界共识量级一组：体二极管 V_SD 3~4 V（具体以所选型号 VSD 项为准，ROHM 译文仅定性）；短路耐量 2~5 µs（2 代 10 µs+、3 代 5 µs typ）vs Si IGBT 10 µs→保护窗口 1/2~1/5；MOS 沟道有效迁移率“几十 cm²/(V·s)”；600~900 V 档 SJ/SiC 价格分界随代际漂移；双沟槽/屏蔽结构是 SiC 沟槽管标志；NO 退火钝化各家标配；重复雪崩额定普遍不给。出处 SiC深:119,:139,:177,:266,:293,:421,:423,:427。→ C 级；其中短路窗口 2~5 µs 牵动保护设计，见 §21 追加第 11 条。

栅驱动 IC（AN-978）

待核实（原文存疑）

• AN-978（Infineon 收编重排版 Rev 1.01, 2025-04-09）五处原文存疑：IR 时代首版年份未标注；NPT 型 IGBT 负栅驱动句与前句“IGBT/模块不需要负栅驱动”存在张力（按上下文意图连读）；“COM should not be connected together” 句意简略（结合图 25 逻辑地/功率地与 §5 接地准则理解）；“Figure 35” 按上下文应指图 33（三相逆变；图 35 是 §15 的 P 沟道电路）；HEX-3 上升 38 ns 与 HEX-2 的 2.5 ns 跳变及各行“上升<下降”规律矛盾，疑 3.8 ns 排印错误（照录原值）；§9 延迟值 1 ms/0.2 ms/10 ms 对 600 nC 模块属慢速，IR 原版是否印 µs 待核实。出处 AN978:3,:310,:314,:363,:415,:475,:478,:479,:480。→【查证】栅驱动IC_AN978_HVFloatingMOSGateDrivers.pdf §9 表、§13、表 3 对应页。

业界惯例（低风险）

• NPT 型 IGBT 负栅驱动来由与“外加 Cge 淹没米勒效应”手法（加大 Cge 降 Ccg/Cge 比值、消除感应米勒电压伪开通）——原文 IMPORTANT NOTE 口径，按原厂最新器件手册复核。出处 AN978:310。→ C 级。

器件物理教程（架构演进/GaN 深潜/SiC 深潜）

待核实（缺档/未收录）

• 屏蔽沟槽（shielded gate）具体器件参数（QGD/Ron 改善幅度）：库内未收录 shielded-gate DS，机理按业界共识写、未引数字。出处 架构:17,:194,:421。→【查证】补一两家低压屏蔽栅器件 DS。
• 平面 vs 超结雪崩对比数据缺档（“平面相对皮实”为定性共识）与平面 600 V 器件在极限线上的具体数据点（C7 篇图 2 只给曲线描述、未给坐标读数）。出处 架构:140,:422。→【查证】失效篇原文与厂商 UIS 数据；【复算】按 Baliga 极限线画参照线。
• 中压段（~250~600 V）沟槽/超结分界随代际漂移（库内只覆盖低压 OptiMOS 与高压 CoolMOS 两端口径）与他厂超结代际命名未收录（C6/C7 之外）。出处 架构:201,:249,:426。→【查证】各厂产品线分布。
• GaN 商品管比导通电阻实测位置（对 C7 10 mΩ·cm² 的对照）：库内无 GaN DS 与版图面积数据，只有理论极限 ~3×10⁻⁵ Ω·cm² @600 V 与 FOM 观察口径。出处 GaN深:64,:336,:398。→【查证】GS66508B/NCP58921 类 DS 或厂商 RonA/FOM 数据（并入 §20 模式 1）。
• 动态 RDS(on) 量级与各厂测试方法（业界未统一：静态 DC 小电流 vs 动态依赖母线电压/温度/关断时长/硬软开关——对比 FOM 必须先对齐测试条件）。出处 GaN深:301,:401。→【查证】各厂动态 RDS(on) AN；【实测】双脉冲动态导通压降。A 级关联，见 §21 追加第 13 条。
• GaN SOA/短路耐受量化数据：库内无文献存档，控制器侧锚点仅 UCC28781 GaN 档 tCSF=1 µs。出处 GaN深:320,:402。→【查证】所选 GaN 器件 SOA/短路耐受报告。
• SiC 栅氧厚度与工作场强：库内未公布、无法折算 MV/cm，只有“场强×时间”双重预算逻辑（2 代浪涌 −10~+26 V 限定 tsurge≤300 ns）。出处 SiC深:233,:422。→【查证】厂商 TDDB/可靠性 AN。
• 各厂 SiC 雪崩 EAS 额定与 GaN 短路耐量/SEB 口径：厂商差异大、普遍不给重复雪崩额定；GaN 篇未展开（SEB ≤1 FIT @1200 V 满压一栏待核实）。出处 SiC深:293,:329,:331,:424,:425。→【查证】厂商可靠性报告。

待复核（本库推算/教学复算）

• 超结柱掺杂推演（比平面外延 ~2×10¹⁴ cm⁻³ 高约一个量级→ρ 再降 10 倍→600 V 例 0.13 Ω·cm²/2/10≈6.5 mΩ·cm²，与 C7 实测 10 mΩ·cm² 同量级）：教科书通识+假设量级的教学推演，“高一个量级”为业界口径、具体值随厂代而异。出处 架构:232,:423。→【查证】C7 篇 §2 与厂商掺杂公开数据；【复算】极限线式。
• 650 V 超结大电流档 Qrr 0.5~1.5 µC→P_Qrr=Qrr·V_bus·fSW=20~60 W @400 V/100 kHz：“CCM 图腾柱没有反向恢复豁免权”结论的量化支柱（业界量级/假设）。出处 架构:274,:298,:413；GaN基:37。→【查证】所选超结 DS Qrr 项（并入 §20 模式 1）；【实测】CCM 图腾柱硬换流热像。A 级，见 §21 追加第 12 条。
• dV/dt 误导通耦合核算（R_loop=5 Ω、dV/dt=50 V/ns、C_GD 有效 10 pF→I=0.5 A、ΔVGS≈2.5 V，踩到高压管 V_th 2~4 V 门槛）：教学代入例，解释判据用 QGD/QGS 电荷比而非瞬时电容。出处 架构:323。→【复算】按实际 C_GD(dV) 与驱动阻抗；【实测】米勒平台毛刺幅度。
• C7 同档面积减半→EAS 同比缩水：失效篇 §3.1.2 “面积-雪崩矛盾”原文逻辑的直接推论，未引具体 EAS 数字。出处 架构:281,:342,:425。→【查证】C7 与同 RDS(on) 平面管的 EAS 数据对比。
• GIT vs 压驱驱动损耗核算（100 kHz 同量级；1 MHz 下 GIT≈压驱硅的 1/8——持流项只随占空比走、压驱正比 fSW）：教学复算，假设 D=0.5、VDRV=10 V，QG/Qg 测试条件未存档。出处 GaN深:229,:237,:406。→【复算】按实际 QG 与 D；【实测】驱动轨电流随频率斜率。
• GaN 第三象限复算（10 A×55 mΩ=0.55 V；压降为 IR 型、无 0.7 V 固定拐点，随电流线性爬升）。出处 GaN深:266。→【复算】；【实测】反向导通 V-I 曲线。

业界惯例（低风险）

• 器件物理业界共识口径一组：超结体二极管恢复慢的微观机理（补偿柱强 p 发射侧双向注入、存储电荷远多于平面轻掺结）（架构:182,:273）；GIT 空穴注入机理与 p-GaN 选择性刻蚀/凹槽栅工艺（GaN深:165,:403,:404）；cascode Si 管 Qrr 小而未归零（GaN深:162,:187）；dV/dt 能力 Si 10~50 V/ns vs GaN 50~200 V/ns（GaN深:345；GaN基:364）；Si IGBT 短路 10 µs 口径、3.3 kV+ SiC 独占区（SiC深:264,:339）；雪崩裕量守则——最坏稳态外至少 20%、电机驱动 2×母线惯例、RC 缓冲/慢关断都要用效率来付（架构:342；SiC深:293,:407）。→ C 级。

10_基础理论/04_开关电源（原 01_通用基础） 补录（未入表标记）

待核实（数据缺失/缺档）

• NCP51530/NCP51561/UCC5304 的 CMTI 标称值：库内无三颗隔离/驱动器件 DS 存档，GaN 基础 §4.3 只给技术路线量级；其中 NCP51530 耐压/电流档两处原文不一致（700 V 3.5/3.0 A vs 600 V 1.9 A）已登记至 §12，拿到 DS 后一并回填。出处 GaN基:360,:361；栅驱动IC/README.md:69。→【查证】onsemi NCP51530/51561、TI UCC5304 DS。
• GS66508B 的 Qg/Coss/Qrr 具体曲线值：库内只用“650 V/50 mΩ/开尔文源极”等 BOM 可见字段。出处 GaN基:362。→【查证】GaN Systems DS（并入 §20 模式 1）。
• EVBUM2822 栅极电阻 49.9 Ω 存疑：BOM 译出值对 GaN 偏大，疑为阻尼/其他位置电阻，正文未引用。出处 GaN基:363。→【查证】EVBUM2822 原 PDF BOM（库内 NCP1680/05 译本核对）。
• 反激变压器示例磁件六项：PQ26/25 的 Ae/Aw/Ve/MLT/表面积极值（本篇全为量级值）；“NCP1342/03 步骤 9 的 PQ20/RM8 量级”与窗口核算矛盾（J=4.5 A/mm²、Ku≤0.25 装不下 45:9 匝铜）；RCD 钳位实烧功率（0.75 W 能量下限~3.2 W 满钳位上限、典型 1~2 W）；Steinmetz 锚点与指数（300 mW/cm³@100 kHz/200 mT/100 ℃、α=1.5、β=2.5 为量级示意）；辅助匝数改 Na=5 连锁（VCC≈19.9 V、OPP 增益 0.18→0.20、ROPPU≈298 kΩ）；漏感实测值与散差（目标 ≤1% Lp）。出处 变压:335,:488~493,:528。→【查证】磁芯/骨架 datasheet 与材料曲线；【复算】NCP1342/03 步骤 5/6 联立；【实测】打样温升、钳位电阻功耗、漏感。

待复核（本库推算）

• 65W 对比篇库内推断三条：XDPS2201 控制律解耦→环路近似一阶、RHP 约束缓和；“软开关带宽优势来自高频化把 RHP 零点推远而非消掉”共性结论；UC3842 例（L_P=1.2 mH/CCM）磁芯需 RM10/ETD 级（定性推断，其余四家 RM8 级）。出处 对比:113,:261,:263。→【实测】Bode/样机频率；【复算】磁芯窗口核算。
• 反激变压器本篇推算数值：集肤深度 δ(70/100/148 kHz)=0.25/0.21/0.17 mm；高线 I_rms,pri≈0.56 A（铜损减半以上）；磁损+铜损≈0.8 W 占 P_in 约 1.1%（QR 磁件损耗 1~2% 落点）；自然冷 ΔT≈16~27 K（h=6~10 W/(m²·K)）；磁损最坏在高线、铜损最坏在低线。出处 变压:214,:285,:302,:306,:310。→【复算】；【实测】温升与损耗分解。

业界惯例（低风险）

• 磁件业界经验一组：三明治漏感典型 0.5~2% Lp vs 分层 3~5%；fringing 涡流烧铜/气隙垫挡光纸；J=4~4.5 A/mm²（高密 6~8）；gapped AL 公差 ±7~10%、漏感散差三明治 ±20% 内；绕组实耗 1.3~2 倍 DC 铜损核算；磁损曲线取 100 ℃（80~100 ℃ 有谷点）；屏蔽绕组=免费 Y 电容、与 1~2.2 nF Y 电容配合；换磁芯供应商=重新验证。出处 变压:183,:184,:192,:200,:204,:214,:224,:226,:232,:267,:302,:314,:316,:373,:392,:401。→ C 级。
  • 2026-10-07 勘注（部分收录）：漏感设计目标 1%~2% Lp 与三明治交错降漏感/层间电容权衡、漏感-RCD 钳位损耗因果、趋肤/邻近效应与利兹线依据，已由《06_变压器设计实务》§2 收录（口径一致）；其余子项（J 取值带、AL 公差、磁损谷点温区、屏蔽-Y 电容配合量值）待逐项对照原厂资料后闭合。
• 环路补偿业界经验一组：光耦极点 Copto 2~10 nF、以实测 Bode 为准；TL431 开环增益 55~60 dB、几十 kHz 后滚落（不能当无穷大用）；PM-阶跃对应速查（>60° 基本无过冲/<30° 多次振铃）；注入点两侧阻抗比 >10:1、串 1 Ω 注入电阻；k 因子/锚点法零极点经验带；电解老化 ESR 寿命末期 ×2 量级（换固态电容=环路变更须复验）。出处 环路:36,:162,:181,:216,:291,:357,:393。→ C 级（CTR 温漂 −40 ℃ 跌 20~40% 与寿命衰减 −30~50% 两行同 §20 模式 5，环路:195,:196，验证时合并执行）。
• GaN 基础教程业界量级口径：栅压窗口 ±6 V、阈值 1~2 V、dV/dt 50~200 V/ns、CMTI 三技术档位、V_SD 1.5~3 V、L_loop 1~30 nH；自举电容校核 Q_cycle=20 nC、C_boot=0.1 µF→0.2 V/周期（错装 10 nF→2 V/周期打穿 UVLO 裕量）；650 V 降额双口径 90%（UCC28781 式 21）/80%（硬开关、尖峰难量化）。出处 GaN基:132,:256,:312,:364。→ C 级（降额口径牵动选型，关联 §21 追加第 13 条）。

模拟反馈与元件层（10/11）及理论实务层（12/13）

2026-09-30 增补。收进 20_基本元器件/04_隔离反馈器件（TL431/光耦/运放）、20_基本元器件（电容家族/电感磁件/EMI 滤波/MOV/NTC/电阻采样）、10_理论与方法/02_理论通识、50_电源设计流程（00~06）全部验证标记，以及 10_理论与方法/01_通用基础 较新三篇（隔离拓扑补遗/环路实测/PCB 布局）尚未入表部分，按本表同一体例收敛为 45 条（待核实 24 / 待复核 8 / 业界惯例 13）。10_理论与方法/02_理论通识 与 50_电源设计流程 的方法论部分（教科书通识、65 W 教学假想项目的全套排期/评分数字）按 §0.2 第 4 条属教学口径、不入逐条清单，本层只收其口径边界与“引用库内待验证数值”的条目；与既有条目重合的引用（如 NCP1681 ZCD 8.9 W、UCC28781 10 pF→3%、CTR 温漂模式 5）注明出处、不重复计数。

出处简写（冒号后为该 md 文件行号）：TL431 01＝20_基本元器件/04_隔离反馈器件/TL431/01_BassoTND381环路全译.md；光耦 00/01/02＝20_基本元器件/04_隔离反馈器件/光耦/（00_PC817精译/01_Basso多环路全译/02_Basso环路补偿全译）；运放 00/02＝20_基本元器件/04_隔离反馈器件/运放/（00_运放参数精译/02_电源里的运放）；电容 00~03＝20_基本元器件/05_电容家族/（00_电解电容Nichicon全译/01_MLCC铁电特性Wuerth全译/02_薄膜安规TDK全译/03_固态聚合物_Murata精译）；电感 00~03＝20_基本元器件/06_电感磁件/（00_电感选择Coilcraft精译/01_TDK铁氧体笔记全译/02_Magnetics粉芯技术章精译/03_电感深潜）；EMI 00＝20_基本元器件/08_EMI滤波/00_Wurth_ANP015全译.md；MOV 00/01＝MOV/（00_SIOV总技说全译/01_Littelfuse瞬态抑制精译）；NTC 00/01＝NTC/（00_TDK总技说全译/01_TDK浪涌限流全译）；采样 00/01＝电阻采样/（00_Bourns精译/01_Vishay白皮书精译）；理论(篇名)＝10_理论与方法/02_理论通识/各篇；实务 00~06＝50_电源设计流程/各篇；补遗＝10_理论与方法/01_通用基础/隔离拓扑补遗_正激推挽半桥全桥.md；实测＝10_理论与方法/01_通用基础/环路实测与整定流程.md；PCB＝10_理论与方法/01_通用基础/开关电源PCB布局设计.md。查证用原 PDF 均在 90_资料源/（各篇文首标注对应文件名）。

20_基本元器件/04_隔离反馈器件（TL431 / 光耦 / 运放）

待核实（原文存疑/缺档）

• TND381 式 (53a) 的 fz2 印作 1/(2πR1C3)，按 §7.3 设计例元件值反推应为 1/(2π(R1+R3)C3)（R1=38 k、R3≈2.96 k、C3=14.5 nF ⇒ 268 Hz 恰吻合，与 III 型经典式一致），疑原片简写/笔误，库内按 (R1+R3)C3 使用。出处 TL431 01:556,:712。→【查证】TND381 原 PDF P46 式与元件表；【复算】两式代设计例对照。
• TND381 P58 快路径 II 型示例 fz=3.5 kHz/fp=4.5 kHz 与自绘元件反推（419 Hz/2.1 kHz）及 φm=60° 提升量（fp/fz=1.29 比≈14°）三处互不自洽：疑幻灯片迭代遗留数值，库内按其仿真结果（fc=1 kHz、φm=60°）设计。出处 TL431 01:652,:713。→【查证】原片 P58 与 §7.3 元件表对照。
• PC817（LTV-817）与 Sharp PC817 的四项甄别：两厂逐项电气数值等同性；L 档在 Sharp 命名体系的对应；单通道工作温度上限 110 ℃ 高于双/四通道 100 ℃ 的原因（译注推断与单通道封装热密度较低有关）；命名规则 CTR RANK 栏“(A, B or none)”与 §5 分档表 L~D 五档不一致（推断命名栏仅为示例、订货按 §5 分档表）。出处 光耦 00:4,:106,:156,:226,:259。→【查证】Sharp PC817 DS 的 CTR 分档表与温度额定对照。
• LTV-817 IF-VF 特性的 VF 温度系数 −1~−2 mV/℃ 为读图量级（图 4 五条温度曲线 TA=115~−55 ℃）。出处 光耦 00:166。→【实测】两档温度下 VF 对比；【查证】原 PDF 图 4。
• Basso 两篇读图近似组：多环路篇图 20 次级储能电容个别读数（C19 1200 µF/C10 4.7 mF）与图 15/17 曲线起止增益；环路补偿篇图 12 Buck 各电容耐压与个别取值（式 36 数值链 1.4 mH 已按原文复算吻合）。出处 光耦 01:260；光耦 02:259。→【查证】原书图面对照。
• 运放 00 篇 OCR 还原与原文笔误清单：OCR 补回（式 (17) 补“1 +”、式 (24) 补“+”、式 (25) 补“1 −”、±→减号、uV→µV、107Ω→10⁷ Ω）；原文笔误照录加译注（式 (29) 第二分母印 R1、术语表 IIB 定义与 IIO 同文、kSVS 条目误用上升时间定义、§3.1 缺右括号）。出处 运放 00:8。→【查证】TI SLOA011 原 PDF 逐条。
• 高端电流检测 CSA 缺档与轨到轨交越区数值：400 V 母线高侧直采无“普通运放”可选——专用高端 CSA/CT/霍尔与“分压+下移”两条路线的器件选型库内无专篇；互补输入对交越区（约离轨 1 V 量级）的失调/跨导跳变具体数值随器件。出处 运放 02:123,:133,:161。→【查证】补 CSA 专篇或所选器件 DS。

待复核（本库推算）

• OTA 补偿网络兼软启动的爬升核算（NCP1622 例）：GEA 拉/灌 ±20 µA 对 Cz=1 µF→dV/dt=20 mV/ms，OFF 模式解除后爬到折返阈值 1.553 V 需 ≈78 ms、爬满 4.5 V 约 225 ms——Cz 既定环路零点也定软启动斜率，加大 Cz 改善环路的同时拖长启动，两端都要复核。出处 运放 02:64。→【复算】IOTA/C 与阈值区间；【实测】VCTRL 爬升波形。
• 运放输出离轨与容性负载示意计算：5 V 单电源双极射随 VOH≈VBE 0.6 V+压降+Vsat≈4 V vs CMOS 共源 I×RDS(on)=50 mV→VOH≈4.95 V（两类结构差 20 倍）；容性负载自振 f₀=1/(2π·Zo·CL)（Zo=100 Ω、CL=1 nF→≈1.6 MHz，f₀ 落进环路带宽则极点在 fc 处吃相位）——教科书量级+本库示意，实选运放按其 Zo/输出级重算。出处 运放 02:166,:207。→【复算】按所选运放参数；【实测】输出直挂电容的阶跃振铃。

业界惯例（低风险）

• 运放/TL431 使用守则一组：容性负载禁区方向相反——TL431 怕阴极挂容、运放怕输出挂容（对比为本库归纳）；运放输入相位反转判据（SLOA011 §5.4：上沿 VCC−0.9 V、下沿 −VEE+0.6 V），共模按“上电全程”核算而非稳态（对策为本库归纳）；教科书通识口径：轨到轨是四个独立承诺（输入负轨/输入正轨/输出到轨及各自代价）、OTA 中频增益=GEA×Zf、开环增益 TL431 55~60 dB（几十 kHz 后滚落）vs 运放 100 dB 量级、热噪声 √(4kTR) 与偏置电流误差是“分压电阻别取 MΩ 级”的完整理由、10 mΩ 级 shunt 在 10 A 下 1 W/100 mV 的“压降-阈值-损耗”三角一次画完。出处 运放 00:177,:183,:205；运放 02:5,:13,:61,:97,:157,:176,:195,:207。→ C 级。交叉引用：运放 02:11,:89 的 NCP1681 电阻法 ZCD ≈8.9 W 与对策阶梯已入 §13，不重复计数。

20_基本元器件（电容 / 磁件 / EMI / MOV / NTC / 采样）

电容家族

待核实（原文存疑/缺档）

• Nichicon 寿命式 2-19 的两处输入未核实：① 纹波温升加速系数 K 为图 2-18 读数（50 ℃ 约 10→105 ℃ 约 5；译者代入例 60 ℃ 处 K≈9）；② 式 2-20 指数中 (In/Im)² 出现在“仅直流额定”场合的原文意图（按 Bn 定义 In=0 时该因子为 1）。另有表 2-4 α 行 16 mm 栏未单列、图 2-12 Weibull“纹波 11.7”排版歧义。出处 电容 00:332,:375。→【查证】Nichicon 原 PDF §2-9 图 2-18 与式 2-20；【实测】抽样老化对照推算寿命。A 级，见 §21 追加第 14 条。
• MLCC 铁电特性（Würth）式链四处存疑：式 (22) 系数印 “2c” 按 c=1 的数学结果应为 “2b”；式 (25) 与式 (3) 的 tanh 宗量不一致（−Vmax/8 与 +VC 混用）；式 (21)/(23) 的 sech 上标原 PDF 空框缺字（按上下文为 c）；表 1 参数 a=1×10⁻⁵/Cs=1×10⁻⁶ 单位原文未注明（与表 2 的 nF 制不同）。出处 电容 01:117,:137,:179。→【查证】Würth 原 PDF 式 (3)(21)~(25) 版面。
• 薄膜电容（TDK）§3.2.2 频率近似式印 “1/f·⁴√f 或 ⁴√f”，后者随频率上升与图 22“电压上限随频率下降”走势矛盾，疑为 ⁴√(1/f) 之误；DS 的最大 VRMS 限线系经验获得（图 23 KMK1076-9 四曲线）。X/Y 安规分类、脉冲试验、X2 放电等安规专项全在 TDK 另册《EMI suppression capacitors – General standards》，库内未存档。出处 电容 02:9,:218,:386-387。→【查证】补另册存档后回填分类表；【实测】高频工况 VRMS 降额。A 级（X/Y Class 选型），见 §21 追加第 15 条。
• 固态聚合物电容（Murata）失效模式缺位：本篇无寿命公式（无 L=Lo×2^((To−T)/10) 类）、无泄压阀/燃爆机理专章，燃爆特性细节仅在卷首警示与 <4>/<5> 条有结果性描述。出处 电容 03:136。→【查证】Murata 聚合物电容技术说明/注意事项专文。

电感磁件

待核实（原文存疑/待实测）

• Magnetics 粉芯 DC 磁化拟合式 B=(a+bH+cH²)^x/(1+dH+eH²) 的分式与指数排布 OCR 存疑（常数表数值清晰照录：High DC Bias XFlux 26µ x=1.778 等）；损耗拟合常数（XFlux 26µ a=443.53/b=2.015/c=1.312、Edge 26µ a=83.23/b=2.106/c=1.520）照录自材料页，其余材料常数表在曲线族页未转录（原 PDF p.66~111）。出处 电感 02:12,:215,:229。→【查证】Magnetics 样本手册原页。
• Coilcraft 篇 “XEL4020-222 与 XAL4020-222 的 DCR 同为 35.2 mΩ” 疑排版重复（原文未解释）；图 1/3/4 坐标刻度以原 PDF 为准。出处 电感 00:98。→【查证】Coilcraft 器件页两系列 DCR。
• TDK 铁氧体笔记三处转写存疑：符号表 AR 单位 “Ω=10⁻⁶ Ω” 疑 µΩ 乱码；式 (4) k₃ 分式/求和精确排布按因子顺序复原；Ptrans 大表个别行（RM×LP 行 N92 列）列位与表头不完全等宽。出处 电感 01:365,:417。→【查证】TDK 原 PDF 第 7 页与大表。
• 温升两经验式对同一算例可差 2 倍以上：Magnetics ΔT=(P/A)^0.833 vs h·A 法（h≈6~10 W/(m²·K)）——疑在表面积口径（含绕组与否）与适用对象（磁芯裸体 vs 整件）；对比时固定一种、留裕量，按所算器件优先用厂商自家口径。出处 电感 03:226。→【实测】同器件两式对照测温升。
• 粉芯热老化正反馈的增益：铁粉芯热老化（有机粘结剂劣化；合金粉芯无此问题、200 ℃ 无老化）→XFlux/High Flux 的 µ 随 B 上升（60µ 档 +13.5~+16.3%）→Bpk 与损耗再抬——机理链方向确定、增益待实测；粉芯居里点 460~700 ℃，不会像铁氧体那样靠居里转变“自断磁”，过载最后烧的是铜（推断+教科书通识）。出处 电感 03:282,:283。→【实测】老化前后 µ/损耗对比；【查证】Magnetics 可靠性资料。

待复核（本库推算）

• 电感深潜 §6.2 Buck 滤波电感选型代入链：Ipk=5.64 A→选 Isat(30%)≥6.8 A（Ipk×1.2 裕量）；软饱和后备验证——OCP 动作前 3.33 A→H=4πNI/le=65.9 Oe→µ 剩 66.4%→L≈498 µH（跌 34% 无悬崖、限流来得及动作）；DCR=20 mΩ→P=0.50 W（热态 ×1.34→0.67 W 复核温升）——数字为本库代入，换工况/换粉芯-铁氧体路线需全套重算。出处 电感 03:251,:259,:261,:264。→【复算】按 §5 五步换自己工况；【实测】满载 L 跌落与温升。A 级关联（Isat 误判），见 §21 追加第 16 条。

业界惯例（低风险）

• Isat/Irms 使用守则一组：Isat=电感量跌落 X% 的电流，各家取 10/20/30% 都有（Coilcraft 用 Isat(30%)）——比较两家前先对口径；Isat 看瞬时峰值、占空比低一分不能借（[02] §6：“占空比低允许细线，但不允许更小的芯”）；陷阱 1“拿 Irms 当 Isat”→L 掉→纹波涨→峰值再涨→OCP 前饱和、限流失效；Ipk×1.2 起步；Irms 与 Isat 互相独立、两道门分开过；差模扼流圈没有共模扼流圈的磁通抵消豁免、按功率电感规矩查 Isat（常被忽略）；DCR-Isat-L 三角互相锁死（只能靠尺寸或材料破局）；datasheet 的 L 是小信号无偏置值、满载打折（开气隙铁氧体最稳、TDK 有 AL 保证档）。出处 电感 03:26,:44,:60,:62,:77,:108-110,:117-118,:272-277,:303,:309-311。→ C 级抽验，其中误判后果牵动 OCP 有效性，A 级，见 §21 追加第 16 条。
• 磁损计算口径：Steinmetz Pcv=k·f^α·B^β（铁氧体典型 α≈1.1~1.7、β≈2.0~2.7，k 无通用值必须查所选材料曲线）与粉芯 PL=a·Bpk^b·f^c（PL mW/cm³、Bpk T、f kHz；例 60µ Kool Mµ a=44.3/b=1.988/c=1.541）共用 Bpk=ΔB/2——铁氧体侧常见代错是代成 ΔB（直接高估 2^β≈5~6 倍），反向把峰值当 ΔB 低估 4~6 倍；Q=2πfL/Rs 是小信号口径、不含电流相关损耗与真实温升（“datasheet Q=150”不等于“装进 LLC 还有 150”）。出处 电感 03:204,:296。→ C 级（Bpk/ΔB 代错直接带偏热设计）。
• 电感参数口径一组：纹波设计档 20%~40%（Coilcraft 口径 40% 或更小；拿扼流圈思路选功率电感=满载 L 掉一半的反例）；LLC 谐振电感 L 偏 5% 工作点漂 5%、轻载/保护点全跟动；f_SRF=1/(2π√(L·Cp))、滤波高阻抗频段到 SRF 为止；三角纹波 RMS=ΔI/(2√3)；PFC 电感关键制约常是磁芯损耗而非 Isat（设计很快变成“损耗限制”而非“偏置限制”）。出处 电感 03:29,:38,:48,:122,:151,:182。→ C 级。

EMI 滤波 / MOV / NTC / 电阻采样

待核实（原文存疑）

• ANP015 放电电阻复算 276 kΩ vs 原文 256 kΩ（差约 8%，疑原文取数所致）——两者都导向 240 kΩ 标准值、结论不变（P_v=253²/240 k=267 mW ✓；式 31 漏电流 0.89 mA、式 27 W_max=12.9 Ws、式 28 T_cool=21.5 s 复算吻合）；式 (26) “794 kV” 应为 794 V（原文笔误）、图 49 图题误复用图 45。出处 EMI 00:5,:127,:202；EMI滤波/README:21。→【复算】−ln(60/253)=1.4388、1 s/(2.52 µF×1.4388)；【查证】ANP015 原 PDF。
• SIOV 总技说照录存疑组：图 3 晶粒直径 ⌀10~50 µm 与正文 10~100 µm 不一致；图 19 首条温度曲线标“10 ℃”、按位置与式 (7) 负系数应为 −10 ℃；图 16 与图 15 图题相同；§1.1 末句指向不存在的“Selection procedure”章（疑旧版残留）；§1.7.3 引用的“应用笔记章图 13”（S20K14AUTO 100 J）在本 22 页节选版中不存在。出处 MOV 00:30,:92,:127,:216。→【查证】SIOV 原 PDF 对应页。
• Littelfuse 篇标准演化背景年份：[4][5]（ANSI C62.1/IEEE 28、IEC 99-1）→今天 C62.xx/IEC 60099 避雷器标准族；[8][9]（Martzloff，GE 报告）→IEEE C62.41 场景分级——具体演化年份未核。出处 MOV 01:173。→【查证】标准沿革文献。
• B57861S0103F045 的 B 值 3988 K ±0.3% 未注明基准温度对（25/50 还是 25/85——影响 R-T 换算与温度点计算）。出处 NTC 00:116,:203。→【查证】TDK DS。
• TDK 浪涌限流篇 §1.7 的 C_test 电压换算公式为嵌入图片未提取；本库按能量守恒 E=½CV² 推导 C_test(V₂)=C_test(V₁)·(V₁/V₂)²（∝1/V²）属推断。出处 NTC 01:7,:75,:100。→【查证】原 PDF 第 6 页原式；【复算】核实推导。

待复核（本库推算）

• AC 输入侧 MOV 档位规则：230 V 电网（峰值 325 V）常规选 K275（275 VRMS）档，库内 EVM 例 V430CH8SM（275 VAC/250 A/80 pF/SMD 3220）；120 V 电网用 K130~K150 档为本库推断（按 §1.7.1 档位规则与公差带上限推算）。出处 MOV 00:205。→【复算】按所选电网公差带上限核对 VRMS 档；【实测】残压与动作点。
• 65 W 浪涌落地核算：母线 82 µF、220 V 上电峰值 ≈311 V——R25=5 Ω 限首波 ≈62 A；压到 30 A 以下需 R25≥10 Ω；脉冲能量 ½·82 µF·311²≈4 J 需按 §1.6 C_test 判据校核所选 ICL 的能量吸收能力（能量额定看型号 datasheet）。出处 NTC 01:94。→【复算】V_peak/R25 与 ½CV²；【查证】所选型号能量额定。

业界惯例（低风险）

• NTC 选型四数与结构性弱点：R25（上电浪涌峰值）/最大稳态电流（自热不越允许本体温度）/允许浪涌能量（“首次冷态”最严苛、反复快启停累积热量）/冷却时间常数 τc——掉电后立即再上电（跳闸重启、快速插拔）浪涌抑制大打折扣，是 NTC 相对继电器/电阻方案的结构性弱点（本库推断；τc 按所选型号 datasheet）。出处 NTC 00:193。→ C 级。
• 电阻采样经验组：热 EMF 5 mV（厚膜 50 µV/℃×100 ℃）对 1 mΩ 采样电阻相当于 5 A 假电流——合金条 vs 厚膜在小阻值档拉开数量级差；布局避免电阻体横跨温度梯度（本库推断）；“0 to 2 milliohms”下限疑为 0.2 mΩ 排版之误；大电流分流器并联需考虑端子接触电阻对称性（两篇未展开，本库推断）；EVM 0.68 Ω∥0.22 Ω 凑 0.166 Ω 属“凑阻值”接法、两支路反比分担功耗各自核算。出处 采样 00:100,:126,:134；采样 01:131；电阻采样/README:47。→ C 级。

10_理论与方法/02_数学基础 + 04_体系通识（教学口径；原 02_理论通识）

业界惯例（低风险）

• 全层教学口径声明与通识锚点：五篇（微积分/电路原理/电力电子变换器/傅里叶与频域/控制原理）公式均标“教科书通识”、代入例均标“本库教学复算”（24 W/65 W 两条教学主线，换参数即失效），按 §0.2 第 4 条不入逐条清单；可复用的通识锚点：方波 THD≈48.3%、PF=1/√(1+THD²)、边沿频谱拐点 fc=1/(π·tr)（20 ns→16 MHz、GaN ~4 ns→80 MHz）、LC 二阶 40 dB/dec、伏秒/电荷平衡与 DCM 边界式；Class D 谐波部分限值（3.4/1.9/1.0/0.5 mA/W，3/5/7/9 次）已回填 §19。出处 理论(电力电子):7,:102；理论(电路原理):7,:267；理论(傅里叶):9,:253,:261,:272,:350；理论(控制原理):7；理论(微积分):7。→ C 级。

50_电源设计流程（00~06）

待核实（口径边界）

• 词汇篇存疑点：CRM 双义（通用语境 CrM 临界模式 vs XDPS2201 规格书 CRM=Continuous Resonant Mode 连续谐振模式，中文易撞车、引用以具体手册为准）；TEA1995T DS Table 3 “drain sense input for synchronous timing MOSFET” 疑为 synchronous rectification 之笔误；MPCM/VLO/Quiet-Skip/FCCrM/DRE/SAG 为原厂自造缩写、业界无统一中文译名（英文照录）。出处 实务 05:392-397。→【查证】对应原厂手册原文。

待复核（本库推算）

• 电解电容寿命教学反推（可靠性篇 §3.4 与热设计篇 §6.5）：式 2-19 链条+“85 ℃/1 年档、寿命 10 年→Tn≤50 ℃”——教学复算口径，输入依赖 K 曲线（图解读数待核实）与档位/纹波假设，换档位即变；正式设计的寿命承诺以厂商曲线+实测为准。出处 实务 00:110,:414；实务 01:377-378。→【复算】K 曲线核实后重跑；【实测】见 §21 追加第 14 条。

业界惯例（低风险）

• 降额与热设计经验一组：结温降额红线 Tj≤0.8×Tj,max（175 ℃ 档 SiC 可放 140 ℃、散热设计仍按 125 ℃ 做余量）；变压器绕组稳态 ≤100 ℃（E/B 级绝缘 105/120 ℃ 极限留裕量，与磁损谷点 80~100 ℃ 两端平衡）；SOT-23/TSOP-6 小封装 RθJA 150~250 ℃/W 档；板上第一热源往往不是开关管而是磁件（UCC28781 EVM 绕组 104 ℃ 属“能跑但接近极限”、量产再降 10~20 ℃）；电流降额必须用热态 RDS(on) 算（α≈0.47 %/K、100 ℃ 温升 +60%，25 ℃ 表值高估约 40%——引器件层补例）；SiC 封装锁死 Tj 150~175 ℃、瞬态热容小（“面积代价”）；电解电容避开发热器件、Tn 降 10 ℃ 寿命翻倍。出处 实务 00:76,:90,:212,:298；实务 01:132,:159,:290,:301-302。→ C 级。
• EMC 口径一组：预合规留余量——传导 ≥6 dB、辐射 ≥3~6 dB 再送实验室；fc=1/(π·tr)——20 ns 边沿拐点 ≈16 MHz（传导频段内几乎不衰减）、GaN 4 ns 级 ≈80 MHz（辐射频段也吃满）；“EMC 失效可以改板重来，安规失效是整机认证归零”。出处 实务 02:73；实务 04:253。→ C 级。
• FMEA 与流程方法论口径：RPN 是排序工具不是数学真理——行动优先级先看 S 再看 RPN（AIAG-VDA 已倾向 S+O+D 或措施优先级 AP 替代单一 RPN；本库按传统 RPN 教学口径）；本库 FMEA 的 S/O/D 评分为教学演示值；11 段 gate/PERT 三点估算/CCPM 关键链/金字塔原理/风险登记册等均属教科书通识、以企业现行流程裁剪；FMEA 高 RPN 项对接本表 A 级条目（NTC 开路静默、MP6908 HVC 超出热预算、SiC 消隐照搬等已引用 §21）。出处 实务 03:7,:317,:325,:334,:414；实务 04:7,:41,:524；实务 06:7,:519。→ C 级。

10_基础理论/04_开关电源（原 01_通用基础） 补录 II（较新三篇：隔离拓扑补遗 / 环路实测 / PCB 布局）

待核实（缺档/待查表）

• 爬电与电气间隙量级：离线电源初/次级之间按 250 Vrms 工作电压、污染等级 2、材料组别 IIIa 的常见要求爬电 ≥6.4 mm、间隙 ≥4 mm（业界常见值，本篇只给量级）；库内 LLC 篇同量级（高压域与低压域 ≥4 mm 表面距离，NCP1399/04 §3.5）——认证值必须按目标安规标准查表。出处 PCB:308。→【查证】IEC 62368-1/60335-1 按工作电压与污染等级定值。
• PSFB/移相全桥控制器库内待入编：TI UCC28950/UCC28951 类、更早的 Unitrode 移相鼻祖 UC3875/UC3879——只列型号、不作参数断言。出处 补遗:329。→【查证】补档后按本表体例入编。

待复核（本库推算/教学复算）

• 隔离拓扑补遗两条教学主线的应力数值链（48V→12V/20A 与 400V→48V/20A，全部教学复算、换规格即失效）：正激 12 V 输出副边两只二极管损耗 ≈10 W（4.2%）→“12 V 必须上 SR”的核算；PSFB 教学例（Lr=40 µH/100 kHz/400→48 V/20 A）占空比丢失 ΔD≈0.21 与滞后臂 ZVS 下限 ≈21% 负载（Imin=Vin·√(Ceq/Lr) 折算）——支撑“PSFB 在初级实现 ZVS、由副边与占空比承担代价”的对比结论；半桥隔直电容 ≈2.2 µF 薄膜（ΔV 取 Vin/2 的 10~15% 教学口径）；有源钳位换算 D=0.55→平台 ≈107 V（150 V 管从容）；推挽教学应力（D=0.50 贴近限值、管子 2×56=112 V、副边每管 33.6 V、铜窗利用率约一半）；推挽中心抽头省一只二极管压降（5 V/100 A 例省 50 W≈输出 10%）。出处 补遗:15-23,:71,:101,:165,:216,:255,:338,:390。→【复算】按自己规格重推。
• GaN 栅环电感核算（PCB 篇引 GaN 基础 §2.2/§5.3 推算链）：参考设计把 GaN+驱动器做成子卡、驱动回路拉长 3 cm→栅环从良好的 3 nH 恶化到 15 nH→15 nH×0.5 A/ns=7.5 V 超 GaN 6 V 级栅压上限（开通瞬间振铃过冲、几周后栅击穿）；10 nH×0.5 A/ns=5 V 单独一项就消耗 6 V 窗口全部余量——不加控制的布局轻松 20~30 nH、良好布局 1~3 nH（业界量级）。出处 PCB:56,:124,:128。→【复算】按实际 L_loop 与 di/dt；【实测】栅极振铃过冲。A 级关联（GaN 设计输入），验证时与 §21 追加第 13 条合并执行。

业界惯例（低风险）

• 环路实测经验一组：阶跃响应粗判 PM——无过冲/一次微过冲 ≈60° 量级、振铃 2~3 个周期 30~45° 警惕、持续等幅振荡不稳定立即回退（方向可靠、数值粗略）；PM 45°→ζ≈0.42→超调 ≈23%（按 ~30% 记、偏保守）；示波器 FFT 法单次捕获多频率但分辨率/动态范围有限、噪声敏感（非 TI 原文）；PF 从 0.99 掉到 0.9 以下、THD 超 15% 为量级示意；“重测对不上时改什么”决策表（本库整理/业界经验）。出处 实测:93,:127,:248,:272,:283,:323。→ C 级（与“10_理论与方法/01_通用基础 补录”环路补偿组“PM-阶跃对应速查”合并执行）。
• PCB 布局经验一组：寄生预算——功率环 <10 nH（GaN 严格）、栅环路 <3 nH、采样线 <2 cm；过孔三条守则（短粗、采样线换层配地过孔包夹、不蹭功率过孔）；CS/ZCD 采样线与功率回路正交（LEB 265 ns 只挡这么宽；ZCD 触发 60 mV/270 kΩ 高阻节点不与 DRV/漏极平行，必要时并 10~47 pF 先确认不伤谷计时序）；GaN 栅环电阻个位数到十几欧（大电阻反而拖长米勒窗口）、栅下拉可放 50~100 kΩ（对比硅 10 kΩ）；dV/dt 轴 Si 10~50/SiC 40~90/GaN 50~200 V/ns、栅环 nH 预算沿轴升级；开关节点散热用热过孔导内层、不在表层摊大铜（摊铜=加大 dv/dt 辐射与寄生电容）；两层板 <75 W 可行、GaN/SiC 或功率上 100 W 级直接四层（四层成本 +20~30%）；首次布局整板复刻 EVM 再优化。出处 PCB:61,:89,:128,:147,:193,:207-211,:219,:353,:357,:363,:393,:399。→ C 级。交叉引用：PCB:263 的“开关节点每多 10 pF→ZVS 配额多 3%”已入 §15，不重复计数。
• 隔离拓扑取舍口诀一组（本库归纳/教科书通识）：正激复位四方案口诀——什么都不想加→第三绕组（D 0.5 上限）、想省绕组→RCD（烧能量）、要多占空比+ZVS→有源钳位（多一只管）、要上高压母线→双管（D 仍 0.5）——四方案没有免费的；推挽伏秒失衡没有隔直电容可兜、只能靠电流模式逐拍修剪（与半桥/全桥“隔直电容自平衡”的分水岭）；buck 派生拓扑无 RHP 零点、带宽可做 fSW/6~fSW/10；PSFB vs LLC 过渡核算——效率上限 PSFB 定性低 1~2 个点 vs LLC 94~96%（业界口径），迁移不是“谁更好”而是“哪项代价更高”。出处 补遗:13,:103,:200,:291,:321,:323,:325。→ C 级。

20. 跨库共性问题

已闭环（留档防反复）

• onsemi/MPS txt 层系统性字形替换已全库甄别还原：µ→m（或控制字符）、Ω→W、θ/η/π 丢失，错误量级可达 1000 倍。NCP4307（µs→ms/µA→mA/µF→mF 全清单，NCP4307/00 文首注+NCP4307/01:102,:175）、NCP1680（µ→0x02 等，NCP1680/00:5 + NCP1680/05:30）、NCP1568（mF=µF/mW=mΩ 按料号核实，NCP1568/05:8-9）、UCC2897A（Ω→W 按页面图像核实，UCC2897A/00:5,:423,:506）、MP6908（µ/Ω 完好无需校正，MP6908/00:5,:300）、TEA1995T（基本完好，TEA1995T/00:360）、UC3842 SLUA143 OCR 还原清单（UC3842/05:19,:353）。→ 规范：引用 onsemi/TI txt 原文数值前必过对应 00 全译译注；新文档沿用此约定。
• 型号勘误闭环：XDSP2201→XDPS2201（英飞凌）；SR 占位 TEA1955T（NXP 目录不存在）→TEA1795T（反爬占位）→TEA1995T（完成深读）。出处 README:37。
• UCC28781 拓扑归类勘误：非 ACF，是单开关过渡模式 ZVS 反激（无钳位电容，SR 平台代行钳位）；旧版横评已勘误。出处 HP(ZVS):13,:150。
• NCP4307 正文与特性表四处数值不一致：以特性表为准，勘误清单见 02 篇 §8。出处 HP(SR):120。（2026-10-04 复核指针：该清单现存于 NCP4307/00 文末附注 2；MP6922/02 §8 为 MP6922 同类“数值不一致清单”，原文指针疑将两 IC 串写，条目结论本身不变。）
• MP6908 式 1~3 txt 层符号丢失已重构（按上下文与特性表数值），涉及取值一律以电气特性表为准。出处 MP6908/00:5。
• HR1000A fr/Cr 未印问题已系统标注：全库凡引用均带“本库推算”标记（见 §4 条目 1），等待 P21 图 18 核对后闭环。

跨库高频模式（一次验证、多库回填）

• 模式 1：SR/功率管参数以所选管子手册为准（Qg、Coss、R_DS(on)）——MP6908（25 nC）、MP6922、NCP4307（30 nC）、TEA1995T（36 nC）、MP6951（70 nC）、XDPS2201（45 nC）、NCP1654、NCP1681、UCC2897A（30+50 nC）、HR1000A（Ceq 100 pF）、NCP1568（60/17 nC）的驱动/损耗/ZVS 核算均建在库内假设管参上。→【复算/查证】建一份“常用功率管与 SR 管 Qg/Coss/R_DS(on) 速查表”，逐 IC 回填替代假设值。
• 模式 2：去耦电容取值 DS 未给→经验值——TEA1995T（100 nF+1 µF）、MP6908（1~2.2 µF）、NCP4307（1 µF/4.7~10 µF）、NCP1681（1 nF）、XDPS2201（22~47 µF）。→【复算】各按“导通期放电+启动时间”两项核算即可闭环（方法已在各 03 篇）。
• 模式 3：取电/LDO 损耗核算（同一模型 P=(V−VDD)×I）——MP6908（0.47 W 超出限额）、MP6951（0.46 W 栅损）、NCP1568（0.5 W 阈值）、NCP1681（0.12 W 慢臂）。→【复算】一张模板算四颗；【实测】壳温校核。
• 模式 4：抖频/变频 EMI 裕量“3~5 dB”——NCP1681（NCP1681/02:146）、NCP1342（NCP1342/01:79）、XDPS2201（XDPS2201/03:139）、XDPS21071（XDPS21071/02:96）。→【实测】同一板开/关抖动的传导扫描对比，得真实 dB 数后全库回填。
• 模式 5：光耦 CTR 温漂/老化系数（−40 ℃ 跌 20~40% 等）——UC3842（UC3842/04:61）、NCP1399（NCP1399/03:131）、NCP1568（NCP1568/01:73）、XDPS21071（XDPS21071/03:183）。→【实测】老化一批光耦或查厂商 CTR-温度-老化曲线后统一口径。
• 模式 6：NRND/EOL 生命周期——HR1000A（NRND，HP(LLC):55,:104；HR1000A/RM:92）、NCP1568（部分后缀 EOL，NCP1568/04:179）、MP6908/MP6951（MPS 生命周期口径未查）。→【查证】各原厂生命周期页，结果回填各 RM。

21. 优先级建议

A 级：影响设计安全/量产决策，新机型设计前必须先验证

1. MP6951 式 2 不含 VOUT（§14）——HVC 耐压核算口径差 20 V（93 V vs 113 V），选管降额可能不足，直接关系安全。查证+实测。
2. NCP1681 NTC 开路→OTP 静默失效（§13）——保护功能盲点，FMEA 必录项；对策电路要实测。
3. NCP1654 OPL 瞬时余量仅 17%（typ-only）（§11）——全设计最紧格，错则满载误保护。
4. MP6908 HVC 漏极取电 0.47 W 超出热预算（§6）——TSOT23-6 封装超热预算，接法选错即量产返修。
5. UCC28781 tD(DR) 未定值→RRTZ（§15）——ZVS 窗计算的输入，错则丢 ZVS 或进容性区。
6. TEA1995T 反激高反射 100 V 平台（§9）——选型红线（DS 无分压方案），错选即项目返工。
7. HR1000A 增益两口径（1.41 vs 1.25）+ Cr/fr 反推（§4）——取错则 hold-up 增益零裕量变负裕量。
8. XDPS21071 PD 5~20 V 单绕组 VCC 方案（§16）——不解决则低压档 IC 掉电。
9. NCP1680 DS 图 2 驱动器型号混排（§12）——BOM 抄错型号风险。
10. NRND/EOL（HR1000A、NCP1568）（§4/§17/§20 模式 6）——量产断供风险。

器件层追加（2026-09-28，出处见“功率器件层”章）： 11. SiC 短路保护窗口 2~5 µs、DESAT 消隐习惯不可从 IGBT 板照搬（SiC 深潜 + SiC/02）——照搬 3~10 µs 消隐=短路时救不回来、直接烧管；保护链（消隐+检测+软关断）按 ≤2~5 µs 全链条重整定并实测短路注入。 12. CCM 图腾柱快桥臂选型红线：硅超结 Qrr 0.5~1.5 µC→P_Qrr 20~60 W @400 V/100 kHz（架构演进 + GaN 基础）——量级为业界口径/假设值，选型前必须以所选管 DS 的 Qrr 复核；误用超结=热失效，SiC/GaN 二选一按“恢复豁免权”判据定。 13. GaN 设计输入缺档集中项（GaN/00 图 8 引用存疑→IG≈13 mA 持流口径待定；IGT65R055D2/IGD70R200D2S、GS66508B 的 DS 未存档；动态 RDS(on)/SOA 无文献）——GIT 持流栅电流、降额（90%/80% 双口径）与保护整定目前悬空，新机型上 GaN 前必须先补档。

元件与实务层追加（2026-09-30，出处见“模拟反馈与元件层”章）： 14. 电解电容寿命公式（Nichicon 式 2-19）的 K 曲线为图解读数、未核实即被用于寿命反推（电容 00:332,:375；实务 00:110,:414；实务 01:377-378）——K（纹波温升加速系数，50 ℃≈10→105 ℃≈5 读图）错则 Tn 换算与寿命承诺全错：50_电源设计流程“85 ℃/1 年档 10 年→Tn≤50 ℃”的反推与对外寿命指标直接失真；式 2-20 指数中 (In/Im)² 的适用口径同样未定。查证 Nichicon 原 PDF 图 2-18 后回填；核实前对外寿命承诺按保守端取，并留老化实测。 15. X/Y 安规电容选型依据缺档（电容 02:9,:386-387）——库内薄膜电容总纲明示“普通薄膜不得直接跨接电网、必须用专门的 X/Y 类”，但 X/Y 分类、脉冲试验、Y1/Y2 跨一次-二次侧的额定细则全在 TDK 另册《EMI suppression capacitors – General standards》，库内未存档：误选 Class（普通薄膜跨电网、Y 档降级使用）= 安规认证归零与触电风险。补档另册后回填分类表；跨一次-二次侧的 Y 电容只认 Y1/Y2 额定，BOM 评审核对耐压/脉冲档。 16. Isat 饱和误判三连：拿 Irms 当 Isat、忽略跌落口径（10/20/30% 因厂商而异）、占空比低就借峰值裕量（电感 03:26,:77,:108-110,:272-277）——铁氧体硬饱和下 L 断崖→纹波/峰值正反馈→OCP 动作前磁芯已饱和、限流失效烧管；datasheet 的 L 还是无偏置小信号值、满载打折。设计按 Ipk×1.2 对“所选厂商口径的 Isat”起步、Irms 热态分开过门；实测满载 L 跌落与温升。

B 级：影响精度与效率预算，设计中期验证

• 各环路估算（UC3842 1.5 kHz、NCP1622 示例补偿、NCP1568 20 kHz 起点）——统一实测 Bode；
• 损耗预算类（NCP1654 损耗表、NCP1681 损耗表、NCP4307/MP6951 驱动与导通核算）——按模式 3 模板复算+热实测；
• 频率/时序类（MP6922 200 kHz 上限、MP6951 tMOT/tW、NCP1342 谷 1 VDS、UCC28781 fSW 自洽）——实测波形收敛；
• 保护动作点类（NCP1680/1681 FAULT 网络、NCP1568 OCP 链条、XDPS2201 CVCC 复位）——复算+动作点实测。

C 级：业界惯例与量化口径，量产后抽验即可

• EMI 裕量 3~5 dB 类（模式 4）；CTR 温漂老化类（模式 5）；布局/验收经验值（各 IC 04 篇）；示例工况设定值（换项目参数即失效，无需验证）。

维护约定

• 每条闭环后：在条目尾加“（已闭环 YYYY-MM-DD，出处：…）”，并把该条移入 §20 已闭环档（跨库模式）或所在 IC 的已闭环小节；
• 全库新增“待核实”标记时同步登记本表；季度复查一次 A 级条目。

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