TEA1995T — 01 引脚功能与关键规格

资料来源：NXP TEA1995T 产品数据手册 Rev.3（2017-12-05）。下文“DS”指此手册，表号为该手册表号。 精度口径：【DS】= 手册原文事实；【业界经验】/【推断】= 手册未写、按工程惯例分析，已与手册事实分开。

本篇总结

1. 8 个脚 = 双通道 ×（漏检 D + 开尔文源检 S + 栅驱动 G）+ VCC + GND，没有频率设置脚、没有补偿脚、没有同步输入脚——SR 控制全部内建，这是“检测即控制”路线的脚位特征。
2. A/B 通道脚位在封装上对角分布（B 通道占 1/3/4，A 通道占 8/6/5）【DS 图 2】——画板时最容易犯的错是两通道接反，症状是“两管同时导通、输出倒灌”，布板前先核对 pin1 丝印。
3. 漏检脚（DSA/DSB）内部是耐 100 V DC 的高压输入级【DS 表 4】，直接接 SR 管漏极不需要分压；源检脚（SSA/SSB）耐压只有 ±0.4 V【DS 表 4】——这只 IC 只能做低边 SR，源极必须处于近地电位。
4. 栅驱动脚（GDA/GDB）是三态角色：调平期 ~100 mA 细修栅压、过零期 1 A 灌流快速关断、关断期 4 Ω 低阻锁死【DS 表 6】——同一引脚在不同阶段表现完全不同，示波器上看到“栅压忽大忽小”时先不要判定为故障。
5. VCC 脚的去耦铁律：必须在 7-2 脚间另加电容且紧贴 IC（“not only with Cout”，DS §8.2 原文）——1 A 级栅电流流过 10 nH 连线电感就有约 0.28 V 瞬间塌陷（本篇 2.4 节核算），足以把 4.2 V 的 Vstop 击穿。
6. GND 是信号参考不是功率回流道：表 6 头注“所有电压对脚 2 测量”，DS §12 禁止借用载流功率地做检测参考——GND 走线一旦混进功率电流，四个检测阈值（−400/−55/−50/+150 mV）全部失真。
7. 极限值表里最容易被忽视的三行：源检 ±0.4 V（决定低边专用）、Ptot 0.5 W（500 kHz 大 Qg 管会撞线）、VCC +38 V（38 V 以上输出轨不能直供）。
8. 本篇收尾给出 ≥15 行“关键参数的设计含义”表：每个参数一行“这个数在你的设计里怎么用”。

1. 引脚全景（对应 DS 图 2 / 表 3）

【DS 表 3 译注】DSA/DSB 原文措辞为 “drain sense input for synchronous timing MOSFET A/B”——“synchronous timing” 全文仅此二处，疑为 “synchronous rectification” 笔误，功能上就是漏极检测（见 00 篇译者附注 3）。

对角分布的布板含义【业界经验】：A 通道三根线（8/6/5）和 B 通道三根线（1/3/4）分踞封装两角，SO8 本体 4.8~5.0 mm 长【DS 图 7】。若变压器两臂的 SR 管布局让“A 管在左、B 管在右”，两通道检测线必然在 IC 下方交叉——要么接受交叉（保证不与功率线并行），要么把 IC 摆到两管中间、旋转 180° 让 A 对左管 B 对右管。后者是常规解法。

2. 逐脚详解

每脚按同一结构讲解：内部结构 → 为什么需要 → 外围怎么接 → 怎么算 → 接错/开路/短路会怎样。

2.1 VCC（脚 7）— 供电

• 内部结构【DS 图 1】：VCC 进来后分三路——电压/电流基准（V AND I REFERENCE）、5 V 稳压器（给内部逻辑）、UVLO 监视器；栅驱动级另由内部 DRIVER SUPPLY 轨（框图标称 11 V）供电【译注：框图为示意标注，与表 6 的 VG(max) 三档口径不同，见 00 篇附注 2】。

• 为什么需要独立去耦【DS §8.2】：栅驱动峰值电流 1 A 级（表 6），去耦电容到 IC 的连线电感会在开通瞬间把 VCC 拉出凹陷。计算【业界经验，取 L=10 nH、t=36 ns（Qg=36 nC/1 A 估算）】：

  ΔV = L × di/dt = 10 nH × (1 A / 36 ns) ≈ 0.28 V
  复算：1/36e-9 = 2.78e7 A/s；10e-9 × 2.78e7 = 0.278 V ✓
  

  0.28 V 看似不大，但若连线更长（30 nH → 0.83 V）或 VCC 本就工作在低裕量区（5 V 应用），凹陷击穿 Vstop=4.2 V typ 就触发 UVLO——SR 两通道同时停止工作一个开关周期。这就是 DS 原文“not only with Cout”的物理背景：输出电容 Cout 通常离 IC 很远，属于大容量储能元件，无法就近快速补充电流。

• 外围怎么接【DS §8.2 + 业界惯例】：7-2 脚间陶瓷电容紧贴 IC（取值 DS 未给，业界惯例 100 nF，视需要并 1 μF）；VCC 常接输出轨（12 V 级用通用管 / 5 V 用逻辑电平管），也可接自举绕组整流（DS 未给方案，待核实）。

• 怎么算：VCC 电流预算 = 静态 1.1 mA typ + 两通道栅电荷电流 f×Qg×2（算例见 03 篇步骤 7）。辅助绕组/输出轨的带载能力要覆盖峰值而非平均值。

• 接错会怎样【推断】：VCC 开路 → IC 停在 UVLO、栅输出被主动拉低（DS §8.5），系统退化成体二极管整流（能工作但发热、效率掉）；VCC 接到超过 38 V 的轨 → 超绝对极限，器件损坏。

2.2 GND（脚 2）— 地

• 内部结构：全 IC 电压参考点——表 6 头注明确“所有电压相对脚 2 测量”；两只阈值比较器和驱动级的“地”都从这里长出来。
• 为什么它不是普通地：这颗 IC 的全部判据是毫伏级（−400/−55/−50/+150 mV）。若 GND 走线混入功率回流电流，1 A 级脉动电流在走线电阻/电感上的压降直接叠加进四个阈值——相当于拿一把会伸缩的尺子量 55 mV。
• 外围怎么接【DS §12 + 业界惯例】：去耦电容接地端单独回 GND 脚；GND 与 SSA/SSB 的开尔文地分开走线、仅在单点汇合（DS 原文禁止借用载流功率地做检测参考，GND 脚本身是信号地口径）；不承载功率电流。
• 接错会怎样【推断】：GND 串进功率回流 → 阈值整体漂移，症状是“栅压幅值忽大忽小、两通道行为不一致、随负载变化”；GND 开路 → IC 失去参考，栅输出状态不定，属于必须杜绝的接法。

2.3 DSA（脚 6）/ DSB（脚 3）— 漏极检测

• 内部结构【DS 图 1/§8.3】：耐压输入级（DC +100 V 极限【DS 表 4】，SOI 工艺实现高压隔离——DS §1 提到 SOI，此为工艺层面的合理对应【推断】）接四个阈值比较器：−400 mV（turn-on）→ −55 mV（on regulation）→ −50 mV（off regulation）→ +150 mV（SWITCH OFF）。漏极电压为正 → 驱动强制 off-mode、栅脚下拉；漏极电压为负 → 使能差分 SR 检测【DS §8.3】。
• 为什么需要它：漏极电压的极性是“该不该整流”的第一判据——次级电流真的流过来时体二极管先导通、漏极被拉负；电流该断时漏极摆正。没有这个脚，IC 就不知道半周期何时开始。
• 外围怎么接：直连 SR 管漏极引脚，无需分压（漏极平台 ≤100 V DC 的场合）；走线短、远离功率回路（详见 04 篇）。
• 怎么算：校验漏极关断平台电压。中心抽头 LLC 的关断管漏极平台 ≈ 2×Vout + 振铃尖峰（本库示例：12 V 输出 → 平台约 30~40 V，示例假设）→ 远低于 100 V ✓。反激低边的平台 = Vout + 反射电压（见 03 篇第 4 节，可能超 100 V，要先算）。
• 开路/短路会怎样【推断】：DSA 开路 → 该通道永远等不到负压开通判据，SR 管不开通、由体二极管承担全部电流（发热大、效率下降，系统不损坏）；DSA 对地短路 → 差分输入恒为“零减源极”的近零值，同样不开通；DSA 与 SSA 接反 → 极性判据颠倒，开通/关断逻辑紊乱，属接线事故，上电前必须万用表核对。

2.4 SSA（脚 5）/ SSB（脚 4）— 源极检测（开尔文）

• 内部结构【DS §8.4/8.6】：差分检测的“另一端”。IC 以 DSA−SSA 的差值生成栅驱动电压，SSA 就是这个测量的参考电位。输入耐压仅 −0.4~+0.4 V DC【DS 表 4】——源极必须近地电位，这就是“低边专用”的出处（高侧 SR 的源极会摆到输出电压，一脚打穿）。

• 为什么需要开尔文：功率电流从源极引脚流出的路径上有寄生电感，大 dI/dt 在上面产生压降。若借用功率地走线或从离源极很远的铺铜取检测点，这个压降就混进“漏源压降”的测量值。计算【业界经验】：

  取 dI/dt = 200 A/μs（20 A 电流在 100 ns 内换流，LLC 常见量级）
  10 nH 走线：V = 10e-9 × 200e6 = 2 V —— 是 55 mV 调平目标的 36 倍
  1 nH（已很小心）：V = 0.2 V —— 仍是 5 mV 调平迟滞窗的 40 倍
  

  结论：检测误差无法靠“小心”消除，只能靠“贴着源极引脚取点”消除——这是 4 线检测存在的唯一理由【DS §8.6 原文同义】。

• 外围怎么接：SSA/SSB 单独引一根感测线贴到对应 SR 管的源极引脚根部（Kelvin connection）；不得与功率地合线【DS §12 原文 “not allowed”】。

• 开路/短路会怎样【推断】：SSA 开路 → 差分输入悬空/漂移，栅驱动不可预测（可能常开、常关或乱动）；SSA 接到功率地远处 → 测量点偏离源极引脚，源极引线电感压降串入——负载越重误差越大，症状是“重载栅压异常、轻载正常”；SSA 与 GND 短接（近处单点）→ 功能可用但损失了源极引脚与 GND 之间那几 nH 的精度，属于“可用但不佳”的简化接法。

2.5 GDA（脚 8）/ GDB（脚 1）— 栅驱动输出

• 内部结构【DS §8.5/图 1】：推拉级 + 钳位 + 关断下拉，一个脚三种身份：
  1. 调平期：以 ~100 mA typ 的“调节灌电流”细修栅压（表 6），把漏源压降伺服在 −55 mV；
  2. 过零关断期：以 1.0 A typ 峰值灌电流快速放电（td(deact) 40 ns typ 的保障）；
  3. 关断锁定后：栅脚经 Rpd(G)=4 Ω typ 低阻下拉至地电平【DS §8.4】。 输出高电平钳在 VG(max)：4.95 / 10.75 / 12 V typ（VCC=5 / 12 / 15~38 V）【DS 表 6】。
• 为什么拉/灌要分开标定：开通要快（1 A 拉流对大 Qg 管的 36 nC 只需 36 ns），调平要慢（100 mA 小步渐进调整，否则伺服环在 5 mV 迟滞窗里振荡），关断要更快（1 A 灌 + 4 Ω 下拉保障）。三档能力写在同一张表里，是同一引脚的三个工况。
• 外围怎么接：直连 SR 管栅极，回路最短化；表 6 测试条件即 CGDA/CGDB=10 nF——比多数应用实际 Qg 大，属于能力上限口径；栅极串阻 DS 未要求【业界经验：小阻值 2~10 Ω 抑振铃可选，代价是开通变慢，按 03 篇步骤 3 预算复核】。
• 开路/短路会怎样【推断】：GDA 开路 → MOSFET 栅极悬空，靠米勒电容与寄生参数漂浮，可能半开——务必避免（栅极开路是功率级大忌）；GDA 对地短路 → 驱动级持续灌流，IC 发热（DS 未给短路电流限，待核实），应查布局短路而非长期运行；GDA 与 VCC 短路 → 关断期 4 Ω 下拉对抗 VCC，IC 大电流发热且 SR 管可能被钳在半开态——上电前通断检查必备项。

2.6 逐脚故障症状速查（汇总）【业界经验/推断，供排查跳转】

排查时按“症状 → 疑似脚 → 04 篇对应陷阱”的路径走；本表只给方向，定量判据见 04 篇流程树。

3. 绝对极限值（DS 表 4，IEC 60134）与热特性（DS 表 5）

热特性（DS 表 5，typ，JEDEC 测试板）：Rth(j-a) 140 K/W、Rth(j-c) 90 K/W。

三条设计红线【业界经验解读】：

• ±0.4 V 源检耐压 = 低边专用判决书——源极摆幅超过 ±0.4 V 的拓扑（高侧 SR、半桥次级）直接出局；
• 0.5 W Ptot = 500 kHz + 大 Qg 管的紧箍咒——P ≈ 2×f×Qg×VCC + VCC×ICC，先算再选频率（03 篇步骤 7）；
• +100 V 漏检耐压 = 拓扑适配的门槛——不是“管子 100 V”而是“漏极关断平台 ≤100 V DC”，反激高反射电压方案要专门校验（03 篇第 4 节）。

封装：SO8（SOT96-1），体宽 3.9 mm、脚距 1.27 mm【DS 图 7/表 1】。

4. 电气特性全表（DS 表 6：Tamb=25 °C，VCC=12 V，CGDA/CGDB=10 nF；电流流入 IC 为正）

【DS 译注】① Isource 负号 = 电流流出 IC（给栅充电）；② §8.4 正文与框图还出现去激活阈值 Vdeact(drv)（框图标 −50 mV），表 6 未单列——原文如此，阈值链以 −400/−55/−50/+150 mV 为准【DS 图 1】。

5. 关键参数的设计含义（每个数怎么用）

精炼要点

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