EVBUM2734 全文精译 —《NCP1568 USB-PD 评估板用户手册》
原文：onsemi EVBUM2734/D《NCP1568 USB-PD Evaluation Board User's Manual》（© Semiconductor Components Industries, LLC, 2020；May, 2020 − Rev. 0），共 39 页。原文 PDF：
90_资料源/NCP1568_EVBUM2734.pdf。 本篇为全文忠实精译：覆盖原文全部文字章节（电路描述/关键特性/规格/器件表/效率数据/波形/满载启动/输出纹波/瞬态响应/微载数据/热数据/BOM 全表/法律声明）与全部 59 幅图（图 1~59 逐图列出）。原文无公式。照片、PCB 布局、原理图、示波器截图、热成像为位图：除效率图 12~16 可由文本层数据标签完整抄录数值外，其余图内读数无法提取，逐图注明并指向原 PDF 对应页。版权归 onsemi。
译注约定
- 字形还原：原文部分字段以 Symbol 字体排版，提取文本中
m实为 µ、W实为 Ω。BOM 中 “mF”=µF、“mW”=mΩ，已按制造商料号核实还原（如 C23 “1 mF”=1 µF，Taiyo Yuden HMK212BC7105KG=1 µF/100 V；Q8 “11 mW”=11 mΩ，FDMS86202=120 V/11.5 mΩ）。阻值记法 “0R0/10R0/604R” 中 R=Ω，为原文记法，照录。 - 电感单位甄别：L3 “10 mH”/L1 “2 mH” 按料号核实为 10 µH（Wurth 744772100，WE-TMS 10 µH 2.6 A）与 2 µH（Wurth 744314200，WE-HCI 2 µH 11.5 A）——原文单位受字形替换影响；共模电感 T2 的 6.5 mH 为真实毫亨（KEMET SCF-03-650）。
- 图形：图 1~11、18~59 图面为位图（照片/布局/示波器截图/热成像/图表）。效率图 12~16 的每个数据标签数值已完整抄录；曲线-输入档归属为译者依标签坐标与效率规律重建（见该节译注）。其余图注明页码并指向原 PDF。
- 原文没有独立的“连接方法/跳线设置”章节：板卡连接信息仅见于封面 NOTE、规格框与 BOM 中的测试点/排针行——已全部译出，并另附译者整理的探针点汇总（已标注为译者整理）。
- 术语首次出现中英并注：有源钳位反激（Active-Clamp Flyback, ACF）、零电压开关（Zero-Voltage Switching, ZVS）、同步整流（Synchronous Rectification, SR）、断续导通模式（Discontinuous Conduction Mode, DCM）、物料清单（Bill of Materials, BOM）、过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、过压保护（OVP）、不安装（Do Not Install, DNI/DNP）、USB 供电（USB-PD）、电磁干扰（EMI）、负温度系数热敏电阻（NTC）。
第 1 页 电路描述（Circuit Description）【全译】
本评估板手册介绍一款 60 W 通用输入、5 V / 9 V / 12 V / 15 V / 20 V 输出的笔记本适配器评估板。该电源为**有源钳位反激（ACF）**拓扑，采用 onsemi 的 NCP1568 PWM 控制器、NCP51530 半桥（Half-Bridge, HB）驱动器、NCP4305 SR 控制器与 FDMS86202 SR 功率管。本手册提供该评估板完整的电路原理图、PCB、BOM 与变压器信息，并给出效率、瞬态响应、输出纹波与热数据。
本设计将 NCP1568 与 NCP51530 用于有源钳位反激拓扑。有源钳位反激拓扑能有效回收漏感能量；该拓扑的另一特点是功率 MOSFET 实现 ZVS。由于没有漏感损耗且 ZVS 工作，该拓扑适合高频工作，从而缩小变压器体积。因此有源钳位反激拓扑非常适合 100 W 以下高功率密度电源。ZVS 且开关频率固定的变换器还简化 EMI 设计，并易于设计成避开系统中其他敏感电路的干扰。
关键特性（Key Features）【全译】
- 通用交流输入工作（90 – 265 Vac）
- 高满载效率与高平均效率
- 低待机功耗
- 极低纹波与噪声
- 高频工作，最高 450 kHz
- 固有（拓扑自带）的 SCP 与 OCP 保护
- 热保护与 OVP 保护
- 基于交流输入与输出负载状况的自适应频率工作
- 自适应 ZVS 工作
- 更小的 EMI 元件
- 多个评估探针点
- 平滑启动
规格（Specifications）框
| 项目 | 值 |
|---|---|
| 输出电压 | 5、9、12、15、20 V |
| 纹波 | 1 V（译注：原文如此，口径偏大，疑为含瞬态/噪声的总预算） |
| 标称电流 | 3 A |
| 最大电流 | 3 A |
| 最小电流 | 零 |
器件-应用表
| 器件 | 应用 | 输入电压 | 输出功率 | 拓扑 | I/O 隔离 |
|---|---|---|---|---|---|
| NCP1568、NCP51530、NCP4305、NCP4328、FDMS86202 | USB-PD 笔记本适配器 | 90 Vac 至 265 Vdc | 60 W | 有源钳位反激 | 隔离（3 kV） |
注（NOTE，原文警告）：本板旨在通过手动操作来模拟 USB-PD 的各输出电压档。本板不得用作任何 USB-PD 兼容设备的充电装置。
第 2~5 页 板卡照片与 PCB 布局（图 1~8）【位图，逐图注明】
| 图号 | 标题（译） | 位置 |
|---|---|---|
| 图 1 | 评估板顶视图（照片） | 原 PDF 第 2 页 |
| 图 2 | 评估板底视图（照片） | 第 2 页 |
| 图 3 | 子卡（Daughter Card）底视图（照片） | 第 3 页 |
| 图 4 | 子卡顶视图（照片） | 第 3 页 |
| 图 5 | 主板布局——顶层 | 第 4 页 |
| 图 6 | 主板布局——底层 | 第 4 页 |
| 图 7 | 子卡布局——顶层 | 第 5 页 |
| 图 8 | 子卡布局——底层 | 第 5 页 |
第 6~7 页 原理图（图 9~10）
- 图 9 主板原理图（第 6 页）。原文注：For detailed version, see separate Schematic PDF（详细版本另见独立的原理图 PDF）。
- 图 10 子卡原理图（第 7 页）。原文注同上。
原理图分块导读（⚠️ 以下为译者依据 BOM 位号整理的导读，非原文文字；图面见原 PDF 第 6~7 页）：
| 功能块 | 位号与元件值（摘自 BOM） |
|---|---|
| EMI 滤波与输入整流 | F1 3.15 A 快熔保险丝；T2 6.5 mH 共模电感（KEMET SCF-03-650）；C4 220 nF X2 电容；L1 2 µH、L3 10 µH（差模/级间滤波）；C1-2 Y 电容（DNP，250 Vac，1812）；C27 470 pF、C28 150 pF 径向 Y 电容；BD1 600 V/4 A 整流桥（ZOWIE Z4GP40KH）；C7 47 µF/400 V + C8 82 µF/400 V 母线电解 |
| 高压母线与钳位 | C18-21 0.22 µF/450 V ×4（母线薄膜）；C9-10 0.1 µF/650 V ×2（钳位电容）；R26-29 499 k ×4、R13 280 k、R5 4.02 M、R17 10 M（高压取样/泄放类） |
| 功率级与驱动 | Q2 IPL60R385CPAUMA1、Q3 IPL60R299CP（均 600 V 9 A，ThinPak 8×8，主开关与钳位开关，具体分配见图 9）；T1 变压器 750317295（120 µH，6:1，RM8LP，Wurth/Hitachi Metals，磁材 ML29D）；U2 NCP51530 半桥驱动（600 V，1.9 A，接收 NCP1568 的 LDRV/ADRV 逻辑）；R19/R23 15 Ω、R36/R40 22 Ω（驱动/阻尼）；R18/R21 10 Ω |
| 同步整流与输出 | U3 NCP4305 SR 控制器（20 V，DFN8）；Q8 FDMS86202（120 V，11 mΩ，SOIC8_FL）；C36-37 470 µF/25 V 铝聚合物 ×2 + C29-31/C33 22 µF/35 V ×4（输出滤波）；C22 68 µF/50 V；D12 STPS2150A（150 V 2 A 肖特基） |
| 控制与保护 | U1 NCP1568（ACF PWM 控制器，TSSOP-16）；R32-33 0.5 Ω ×2（CS 电流采样）；RT1 220 kΩ NTC（过温检测，原文描述作“SMT Resistor”）；Z1 18 V、Z2/Z6 12 V、Z3 6.2 V、Z5 4.7 V、Z4（DNI）稳压/钳位；Q4 FDN86265P（150 V P 管）、Q5 BSS64L、Q6/Q10 MBT3904 双管、Q7 2N7002L、Q9 BSS84L（小信号/使能逻辑）；Q1（DNI） |
| 反馈与子卡接口 | PRIREG、SEC_REG 排针（Wurth 61300211021/61300411021）；F1S/SIS、F2S/S2S RM8 变压器 T1 连接端子；NCP4328（器件表所列，装于子卡，见图 10） |
探针点（Test Points）汇总（译自 BOM 测试点行；即关键特性“多个评估探针点”的落实）：
| 探针点位号 | 颜色 | 数量 | 料号（E-Mark Inc） |
|---|---|---|---|
| HV | 黄 | 1 | 01-1013 |
| E | 绿 | 1 | 01-1036 |
| L | 白 | 1 | 01-1013 |
| N | 黑 | 1 | 01-1015 |
| VCC、VOUT | 红 | 2 | 01-1178 |
| ADRV、ATH、VSW | 蓝 | 3 | 01-1017 |
| DTH、FB、FLT、LGATE、RT、CS | 白 | 6 | 01-1013 |
| GND4、GND_S、GND1-3 | 黑 | 5 | 01-1015 |
第 8 页 磁件设计（图 11）
- 图 11 磁件设计（Magnetic Design）：磁件设计表格/工具截图（位图），文字层数据不可提取，见原 PDF 第 8 页。对应实物即 BOM 中 T1：Wurth（与 Hitachi Metals 合作）750317295，120 µH，匝比 6:1，RM8LP 骨架，磁材 ML29D。
第 9~11 页 评估板效率数据（图 12~17）
五张效率图横轴刻度均为 0%/25%/50%/75%/100%，但轴标题作 “Load (A)”（原文如此）；纵轴 “Efficiency (%)”（文本层作 “Efficiencyv (%)”，尾缀 v 为提取伪影）。图例：115Vac、230Vac 两条曲线。
译注：① 图 12~16 数值为原文图内数据标签的完整抄录；② 文本层不含曲线颜色，115/230 两列归属按标签坐标与效率规律重建——轻载段 115 Vac 因自适应频率更低而效率更高、重载段 230 Vac 因导通损耗更小而更高，五档均呈“轻载 115 高、重载 230 高”的交叉形态，两线几乎重合的个别点以原 PDF 图为准；③ 最左数据点位于 0% 刻度附近（0 A 负载下效率本无定义，实测点对应极轻载，图中位置略偏右）。
图 12 20 V 效率（纵轴 82~96%）
| 负载 | 115 Vac | 230 Vac |
|---|---|---|
| 0% | 86.51% | 83.25% |
| 25% | 88.59% | 88.13% |
| 50% | 90.74% | 92.46% |
| 75% | 92.75% | 93.21% |
| 100% | 93.39% | 93.54% |
图 13 15 V 效率（纵轴 80~94%）
| 负载 | 115 Vac | 230 Vac |
|---|---|---|
| 0% | 85.19% | 80.70% |
| 25% | 85.49% | 86.63% |
| 50% | 89.41% | 91.20% |
| 75% | 91.89% | 92.59% |
| 100% | 92.90% | 92.97% |
图 14 12 V 效率（纵轴 76~94%）
| 负载 | 115 Vac | 230 Vac |
|---|---|---|
| 0% | 83.21% | 76.98% |
| 25% | 84.63% | 84.22% |
| 50% | 89.09% | 90.66% |
| 75% | 91.64% | 92.15% |
| 100% | 92.64% | 92.70% |
图 15 9 V 效率（纵轴 76~94%）
| 负载 | 115 Vac | 230 Vac |
|---|---|---|
| 0% | 81.64% | 78.61% |
| 25% | 84.99% | 82.28% |
| 50% | 89.21% | 90.95% |
| 75% | 91.58% | 92.23% |
| 100% | 92.61% | 92.52% |
图 16 5 V 效率（纵轴 76~92%）
| 负载 | 115 Vac | 230 Vac |
|---|---|---|
| 0% | 83.02% | 76.93% |
| 25% | 86.25% | 79.56% |
| 50% | 89.93% | 87.92% |
| 75% | 90.75% | 90.20% |
| 100% | 90.89% | 90.62% |
图 17 四点平均效率（4-Point Average Efficiency）（第 11 页）：横轴为输出电压 5~20 V（步进 1 V 刻度），纵轴 80~94%；图例含 115Vac、230Vac 与 Limit（限值参考线）。图内无数据标签（位图）——两档输入的四点平均效率曲线全程高于限值线，具体读数见原 PDF。
第 12~13 页 波形（Waveforms，图 18~20）【示波器截图，逐图注明】
| 图号 | 标题（译） | 页 |
|---|---|---|
| 图 18 | 稳态 ACF（有源钳位）工作波形 | 12 |
| 图 19 | 稳态 DCM 工作波形 | 12 |
| 图 20 | DCM 到 ACF 的切换（Transition）波形 | 13 |
图 18~20 对应该板两种稳态（重载 ACF/ZVS 与轻载 DCM）及其过渡；示波器通道设置与读数在截图位图中，见原 PDF 第 12~13 页。
第 14 页 满载启动（Full Load Startup，图 21~22）
| 图号 | 条件 | 页 |
|---|---|---|
| 图 21 | 115 Vac 输入、20 V 输出——满载启动波形 | 14 |
| 图 22 | 230 Vac 输入、20 V 输出——满载启动波形 | 14 |
（对应关键特性“平滑启动”；波形截图见原 PDF。）
第 15~24 页 输出纹波（Output Ripple，图 23~42）【逐图列出】
每个输出档给出“纹波全景 + 放大（Zoom）”两图，共 5 档 × 2 输入 × 2 图：
| 115 Vac | 230 Vac | 输出档 |
|---|---|---|
| 图 23 纹波 ／ 图 24 放大 | 图 25 纹波 ／ 图 26 放大 | 5 V（第 15~16 页） |
| 图 27 纹波 ／ 图 28 放大 | 图 29 纹波 ／ 图 30 放大 | 9 V（第 17~18 页） |
| 图 31 纹波 ／ 图 32 放大 | 图 33 纹波 ／ 图 34 放大 | 12 V（第 19~20 页） |
| 图 35 纹波 ／ 图 36 放大 | 图 37 纹波 ／ 图 38 放大 | 15 V（第 21~22 页） |
| 图 39 纹波 ／ 图 40 放大 | 图 41 纹波 ／ 图 42 放大 | 20 V（第 23~24 页） |
（纹波幅值读数在示波器截图中，见原 PDF；规格框纹波口径为 1 V。）
第 25~29 页 瞬态响应（Transient Response，图 43~52）
章节标题注明测试条件：负载在 0.1 A − 3 A 间跳变，摆率 150 mA/ms，周期 20 ms。
| 输出档 | 115 Vac | 230 Vac |
|---|---|---|
| 5 V | 图 43（第 25 页） | 图 44（第 25 页） |
| 9 V | 图 45（第 26 页） | 图 46（第 26 页） |
| 12 V | 图 47（第 27 页） | 图 48（第 27 页） |
| 15 V | 图 49（第 28 页） | 图 50（第 28 页） |
| 20 V | 图 51（第 29 页） | 图 52（第 29 页） |
（瞬态过冲/欠冲幅值与恢复时间读数在示波器截图中，见原 PDF。）
第 30~32 页 微载数据（Tiny Load Data，图 53~57）
五张微载效率曲线（瓦级至 1.2 W），横轴 “Power (W)”，纵轴 “Efficiency (%)”；图例 115Vac/230Vac；图内无数据标签（位图）。坐标范围如下，曲线读数见原 PDF：
| 图号 | 输出档 | 横轴范围 | 纵轴范围 | 页 |
|---|---|---|---|---|
| 图 53 | 5 V | 0~1.2 W | 45~85% | 30 |
| 图 54 | 9 V | 0~1 W | 50~85% | 30 |
| 图 55 | 12 V | 0~1.2 W | 50~80% | 31 |
| 图 56 | 15 V | 0~1.2 W | 55~80% | 31 |
| 图 57 | 20 V | 0~1.2 W | 50~75% | 32 |
第 33~34 页 热数据（Thermal Data，图 58~59）
| 图号 | 条件 | 页 |
|---|---|---|
| 图 58 | 热数据（热成像）——115 Vac 满载 | 33 |
| 图 59 | 热数据（热成像）——230 Vac 满载 | 34 |
（各点温度读数在热成像位图中，见原 PDF。）
第 35~38 页 物料清单——主板（BILL OF MATERIALS − MAIN BOARD）【全表】
列：位号｜数量｜描述｜值｜电压额定｜封装｜制造商｜制造商料号。（原文仅给主板 BOM；子卡物料仅 NCP4328 等见于器件表/图 10。）
第 35 页
| 位号 | 数量 | 描述 | 值 | 电压额定 | 封装 | 制造商 | 料号 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Q7 | 1 | N 沟 MOSFET | 60 V 115 mA | SOT-23-3 | ON Semiconductor | 2N7002L | |
| R9、R25、R34-35、R38 | 5 | 贴片电阻 | 0R0 | 603 | Vishay | CRCW06030000Z0EA | |
| R1 | 1 | 贴片电阻 | 100 k | 603 | Panasonic | ERJ-3EKF1003V | |
| R17 | 1 | 贴片电阻 | 10 M | 1206 | Vishay | CRCW120610M0JNEA | |
| R18、R21 | 2 | 贴片电阻 | 10R0 | 603 | Vishay | CRCW060310R0JNEAC | |
| R6-7 | 2 | 贴片电阻 | 10 k | 603 | Vishay | CRCW060310K0FKEA | |
| R19、R23 | 2 | 贴片电阻 | 15R0 | 603 | Vishay | CRCW060315R0FKEAHP | |
| R39 | 1 | 贴片电阻 | 15 k | 603 | Vishay | CRCW060315K0FKEA | |
| R8 | 1 | 贴片电阻 | 1R0 | 603 | Vishay | CRCW06031R00JNEA | |
| R10 | 1 | 贴片电阻 | 1 k | 603 | Vishay | CRCW06031K00FKEA | |
| R2-3 | 2 | 贴片电阻 | 1 k | 1206 | Vishay | CRCW12061K00JNEA | |
| R44 | 1 | 贴片电阻 | 2.49 k | 603 | Vishay | CRCW06032K49FKEA | |
| R36、R40 | 2 | 贴片电阻 | 22R0 | 603 | Vishay | CRCW060322R0FKEAC | |
| R11 | 1 | 贴片电阻 | 24.9 k | 603 | Vishay | CRCW060324K9FKEA | |
| R13 | 1 | 贴片电阻 | 280 k | 603 | Vishay | CRCW0603280KFKEAHP | |
| R52 | 1 | 贴片电阻 | 3.09 k | 603 | Vishay | CRCW0603K09FKEA（译注：料号照录，疑漏“3”，应为 CRCW06033K09FKEA） | |
| R48 | 1 | 贴片电阻 | 3.92 k | 603 | Vishay | CRCW06033K92FKEAHP | |
| R5 | 1 | 贴片电阻 | 4.02 M | 603 | Vishay | CRCW06034M02FKEA | |
| R45 | 1 | 贴片电阻 | 4.99 k | 603 | Vishay | CRCW06034K99FKEAC | |
| R4 | 1 | 贴片电阻 | 44.2 k | 603 | Vishay | CRCW060344K2FKEA | |
| R26-29 | 4 | 贴片电阻 | 499 k | 603 | Vishay | CRCW0603499KFKEAHP | |
| R24 | 1 | 贴片电阻 | 604R | 603 | Vishay | CRCW0603604RFKEA | |
| R12 | 1 | 贴片电阻 | 82.5 k | 603 | Vishay | CRCW060382K5FKEA | |
| R14-15 | 2 | 贴片电阻 | DNI | 603 | Vishay | CRCW06036K65FKEA | |
| R16 | 1 | 贴片电阻 | DNI | 603 | Vishay | CRCW06030000Z0EA | |
| R30、R47 | 2 | 贴片电阻 | DNI | 603 | DNI | ||
| D9-11、D13 | 4 | 肖特基势垒二极管 | 100 V | 100 V | SOD-123 | ON Semiconductor | MMSD4148T3G |
| D4-7 | 4 | 肖特基势垒二极管 | 30 V 1 A | 30 V | SOD-123 | ON Semiconductor | MBR130LSFT1G |
| D8 | 1 | 高压二极管 | 600 V 1 A | 600 V | SOD-123-2 | ON Semiconductor | ES1JFL |
| Q4 | 1 | P 沟 MOSFET | 150 V | SOT23 | ON Semiconductor | FDN86265P | |
| Q9 | 1 | P 沟 MOSFET | 50 V | SOT23 | ON Semiconductor | BSS84LT1G | |
| C12、C14-16、C38、C40 | 6 | 贴片陶瓷电容 | 0.1 µF | 50 V | 603 | TDK | C1608X7R1H104K080AA |
| C11 | 1 | 贴片陶瓷电容 | 1.0 µF | 35 V | 603 | TDK | C1608X5R1H105K080AB |
| C17、C24、C39 | 3 | 贴片陶瓷电容 | 1.0 µF | 35 V | 603 | TDK | C1608JB1H105K080AB |
| C35 | 1 | 贴片陶瓷电容 | 10 nF | 50 V | 603 | Kemet | C0603C103K5RACTU |
| C13、C25 | 2 | 贴片陶瓷电容 | 120 pF | 50 V | 603 | Kemet | C0603C121J5GACTU |
| C6 | 1 | 贴片陶瓷电容 | 18 pF | 25 V | 603 | Kemet | C0603C180K3GACTU |
第 36 页（续）
| 位号 | 数量 | 描述 | 值 | 电压额定 | 封装 | 制造商 | 料号 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3 | 1 | 贴片陶瓷电容 | 1 nF | 50 V | 603 | Murata | GCM188R71H102KA37D |
| C5 | 1 | 贴片陶瓷电容 | 47 nF | 50 V | 603 | TDK | CGA3E2X7R1H473K080AA |
| C26 | 1 | 贴片陶瓷电容 | DNP | 603 | |||
| C32 | 1 | 贴片电容 | 150 pF | 200 V | 805 | AVX Corporation | 08052A151JAT2A（译注：按 AVX 编码 2A=100 V，与电压额定栏 200 V 不一致，存疑） |
| C23 | 1 | 贴片电容 | 1 µF（原文“1 mF”） | 100 V | 805 | Taiyo Yuden | HMK212BC7105KG-TE |
| C34 | 1 | 贴片电容 | 470 pF | 200 V | 805 | KEMET | 08052C471J2GACTU |
| C9-10 | 2 | 贴片电容 | 0.1 µF（原文“0.10 mF”） | 650 V | 1210 | TDK Corporation | CGA6L1X7T2J104K160AC |
| C18-21 | 4 | 贴片电容 | 0.22 µF（原文“0.22 mF”） | 450 V | 1210 | TDK Corporation | C3225X7T2W224K200AA |
| C1-2 | 2 | Y 电容 | DNP | 250 Vac | 1812 | ||
| C22 | 1 | 铝电解电容 | 68 µF（原文“68 mF”） | 50 V | φ6.3 mm | Panasonic | EEU-HD1H680B |
| C29-31、C33 | 4 | 贴片陶瓷电容 | 22 µF（原文“22 mF”） | 35 V | 1206 | TDK | C3216X5R1V226M160AC |
| C4 | 1 | X2 电容 | 220 nF | 275 Vac | 13×8×14.5 mm | Wurth | 890334023028 |
| C36-37 | 2 | 铝聚合物电容 | 470 µF/25 V（原文“470 mF”） | 25 V | 10.3×10.3×12.8 mm | Nichicon | 25SVPK470M |
| D1-3 | 3 | 高压二极管 | 600 V 1 A | 600 V | SOD-123-2 | ON Semiconductor | ES1JFL |
| PRIREG | 1 | SIP 排针 | 2 | 通孔 | Wurth | 61300211021 | |
| SEC_REG | 1 | SIP 排针 | 2 | 通孔 | Wurth Electronics Inc. | 61300411021（译注：该料号为 4 针，“2”照录） | |
| Q2 | 1 | 600 V MOSFET | 600 V 9 A | 600 V | ThinPak 8×8 | Infineon Technologies | IPL60R385CPAUMA1 |
| Q3 | 1 | 600 V MOSFET | 600 V 9 A | 600 V | ThinPak 8×8 | Infineon Technologies | IPL60R299CP |
| C28 | 1 | Y 电容 | 150 pF | 30 Vac | 径向圆盘 | Murata | DE1B3KX151KN4AP01F |
| C27 | 1 | Y 电容 | 470 pF | 250 Vac | 径向圆盘 | Murata | DE2B3KY471KN3AM02F |
| D12 | 1 | 肖特基二极管 | 150 V 2 A | 150 V | SMA | STMicroelectronics | STPS2150A |
| C7 | 1 | 铝电解电容 | 47 µF（原文“47 mF”） | 400 V | 12.1×33.5 mm | Nichicon | UPZ2G470MHD |
| C8 | 1 | 铝电解电容 | 82 µF（原文“82 mF”） | 400 V | 12.1×42 mm | Rubycon | 400BXW82MEFCG412.5X40 |
| F1 | 1 | 快熔保险丝（原文“FAST FUSE 2”） | 3.15 A | 8.5×4×8 mm | Littelfuse Inc. | 39213150000 | |
| BD1 | 1 | 整流桥 | 600 V / 4 A | 600 V | 4-SMD | ZOWIE | Z4GP40KH |
| T2 | 1 | 共模电感 | 6.5 mH，70 mΩ（原文“70 mW”） | 15×12×15 mm | KEMET | SCF-03-650 | |
| L3 | 1 | 贴片电感 | 10 µH（原文“10 mH”） | 8.2 mm | Wurth | 744772100 | |
| L1 | 1 | 贴片电感 | 2 µH（原文“2 mH”） | 6.90×6.90 mm | Wurth | 744314200 | |
| E | 1 | 测试点（绿） | 通孔 | E-Mark Inc | 01-1036 |
第 37 页（续）
| 位号 | 数量 | 描述 | 值 | 电压额定 | 封装 | 制造商 | 料号 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| L | 1 | 测试点（白） | 通孔 | E-Mark Inc | 01-1013 | ||
| N | 1 | 测试点（黑） | 通孔 | E-Mark Inc | 01-1015 | ||
| Q6、Q10 | 2 | 双 NPN 三极管 | 40 V 200 mA | SOT-363 | ON Semiconductor | MBT3904DW1T1G | |
| Q5 | 1 | NPN 三极管 | 80 V 200 mA | 40 V | SOT-23-3 | ON Semiconductor | BSS64LT1G |
| Q1 | 1 | PNP 三极管 | DNI | SOT-23-3 | ON Semiconductor | DNI | |
| Z2 | 1 | 稳压二极管 | 12 V | SOD-323 | ON Semiconductor | MM3Z12VB | |
| Z6 | 1 | 稳压二极管 | 12 V 500 mW | SOD-323 | ON Semiconductor | MM3Z12VB | |
| Z1 | 1 | 稳压二极管 | 18 V 500 mW | SOD-323 | ON Semiconductor | MM3Z18VC | |
| Z5 | 1 | 稳压二极管 | 4.7 V 500 mW | SOD-123 | ON Semiconductor | MMSZ5230BT1G | |
| Z3 | 1 | 稳压二极管 | 6.2 V | SOD-323 | ON Semiconductor | MM3Z6V2C | |
| Z4 | 1 | 稳压二极管 | DNI | SOD-323 | ON Semiconductor | MM3Z5V1C | |
| Q8 | 1 | 功率 N 沟 FET | 120 V，11 mΩ（原文“11 mW”） | 120 V | SOIC8_FL | ON Semiconductor | FDMS86202 |
| U1 | 1 | ACF PWM 控制器 | 700 V 2 A（译注：照录，列位含义存疑，应指 700 V 启动相关规格，见规格书） | 30 V | TSSOP-16 | ON Semiconductor | NCP1568S02DBR2G |
| U3 | 1 | 同步整流控制器（Sync Rec） | 20 V | DFN8 | ON Semiconductor | NCP4305DMNTWG | |
| U2 | 1 | 半桥驱动器 | 600 V 1.9 A | 20 V | SOIC-8 | ON Semiconductor | NCP51530ADR2G |
| RT1 | 1 | 贴片电阻（译注：料号为 220 kΩ NTC 热敏电阻） | 220 k | 603 | Murata Electronics North America | NCP18WM224J03RB | |
| R46 | 1 | 贴片电阻 | 0R0 | 402 | Vishay | CRCW04020000Z0EDHP | |
| R43 | 1 | 贴片电阻 | DNI | 402 | Panasonic | ERJ-2GE0R00X | |
| R49-50 | 2 | 贴片电阻 | 4.99 k | 603 | Vishay | CRCW06034K99FKEAC | |
| R20、R22、R31、R42、R51 | 5 | 贴片电阻 | 49.9 k | 603 | Vishay | CRCW060349K9FKEAC | |
| R37 | 1 | 贴片电阻 | 499R | 603 | Stackpole | RMCF0603FT499R | |
| R41 | 1 | 贴片电阻 | 100R | 805 | Vishay | CRCW0805100RJNEAC | |
| R32-33 | 2 | 贴片电阻 | 500 m（=0.5 Ω） | 805 | Susumu | RL1220S-R50-F | |
| F1S、SIS | 2 | RM8 T1 连接端子 | |||||
| F2S、S2S | 2 | RM8 T1 连接端子 | |||||
| T1 | 1 | 变压器 | 120 µH，6:1，磁材 ML29D | RM8LP | Wurth（与 Hitachi Metals） | 750317295 | |
| ADRV、ATH、VSW | 3 | 测试点（蓝） | 通孔 | E-Mark Inc | 01-1017 | ||
| DTH、FB、FLT、LGATE、RT、CS | 6 | 测试点（白） | 通孔 | E-Mark Inc | 01-1013 | ||
| GND4、GND_S、GND1-3 | 5 | 测试点（黑） | 通孔 | E-Mark Inc | 01-1015 |
第 38 页（续）
| 位号 | 数量 | 描述 | 值 | 电压额定 | 封装 | 制造商 | 料号 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC、VOUT | 2 | 测试点（红） | 通孔 | E-Mark Inc | 01-1178 | ||
| HV | 1 | 测试点（黄） | 通孔 | E-Mark Inc | 01-1013 |
第 39 页 法律声明、警告与注意事项【逐段全译】
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补充信息（ADDITIONAL INFORMATION）
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译者附注（全库视角）
- 方案构成：NCP1568（ACF 控制）+ NCP51530（600 V 半桥驱动，级联 NCP1568 的 LDRV/ADRV 逻辑信号）+ NCP4305（SR）+ NCP4328（子卡反馈）+ FDMS86202（120 V SR 管）；主/钳位管用 600 V CoolMOS（IPL60R385/299CP），变压器仅 RM8 6:1 120 µH——印证 NCP1568 面向超结管的高频小型化定位（450 kHz 上限）。
- 效率基准：20 V 满载 93.39%（115 Vac）/93.54%（230 Vac）为全档位最高点；5 V 满载约 90.6~90.9% 为最低点；四点平均效率曲线（图 17）全程高于限值线。可作为 60 W ACF 方案的效率参照系。
- 测试口径：瞬态条件 0.1 A↔3 A、150 mA/ms、20 ms；微载效率覆盖 0~1.2 W；纹波规格 1 V（规格框口径，疑为含噪声/瞬态的总预算）；两档热成像（115/230 Vac 满载）。
- BOM 照录原文的存疑点：R52 料号疑漏“3”；C32 电压额定 200 V 与 AVX 编码（2A=100 V）不一致；SEC_REG 料号 61300411021 实为 4 针；RT1 实为 NTC 而描述作电阻；U1 行“700 V 2 A”列位含义不明；F1 描述“FAST FUSE 2”尾字照录。
- 本篇取代旧版《05_EVBUM2734要点精译》：补齐全部 59 图清单、BOM 全表（97 行）、法律条款全译与微载/热数据章节，效率数据由 2 个点扩为 50 个点（5 档输出 × 5 负载 × 2 输入）。
上一级：NCP1568