UCC28700 — 02 内部框图与工作原理(PSR 采样机理讲透)
依据:TI SLUSB41A §8(详细描述/功能描述/器件功能模式)+ 图 2 功能框图、图 12~18。文中“DS”均指此手册;数值标 min/typ/max;「本库推导」「业界经验」为手册外工程展开。
本篇总结
- UCC28700 的一切都要回答一个问题:不看次级,怎么知道输出是多少安、多少伏? 答案藏在反激的一个几何事实上——退磁段辅助绕组电压是次级输出电压的“镜像”(V_AUX=(V_OUT+V_F+I_S·R_S)×N_A/N_S),退磁时长是输出电流的“沙漏”(I_OUT=½·I_PP·(N_P/N_S)·(t_DM/T_SW))。前者管电压环,后者管电流环,两个环都不需要光耦。
- 采样时刻是整流管压降补偿的全部秘密:退磁段波形沿“I_S·R_S+V_F 递减”的斜坡下行,控制器在副边电流恰好到零的瞬间捕获误差——此时 I_S·R_S=0、V_F 处于近零电流值,“采样自带整流管压降补偿”,DS 原话:“在副边绕组电流到零的时刻捕获误差信号”。
- 采样窗口只在退磁段存在,所以 PSR 的两个“关键判据”都是波形判据:漏感复位平台必须 <500 ns(I_PRI 最小)/<1.5 µs(最大)(否则平台被误认成退磁结束,采到假电压),t_DM 结束前 200 ns 起 VS 纹波必须 <100 mV(p-p)(否则振铃叠加进入采样窗)。
- 控制律是“FM→AM→FM”三段(图 15):控制电压 V_CL 从 0.75 V 滑到 5 V,f_SW 先从 1 kHz 升到 44 kHz(FM1,峰值电流锁在 I_PP(min)=I_PP(max)/3),再恒频 44 kHz 把峰值电流从 1/3 摇到满(AM),最后恒流满幅把频率从 44 kHz 摇到 130 kHz(FM2)——44 kHz 是 AM 枢轴,也是器件降功耗的分界。
- 恒流环的锚点是个内部常数:DMAG_CC=0.425——CC 段控制器锁死“副边导通占空比”,于是 I_OCC = V_CCR×N_PS/(2×R_CS)×η_XFMR 与输出电压无关,USB“从 5 V 恒流到 2 V”是架构自带的,不是补偿出来的。
- 电源状态机四态(start 1 µA / run 2.1 mA / wait 85 µA / fault 2.1~2.8 mA)+ 启动头三个周期 I_PP(min) 限流,是“<30 mW 待机而不牺牲启动时间”的执行机构。
- 保护全部汇入同一条通道——UVLO 复位重启:OVP(VS 4.6 V)、过流(CS 1.5 V 无消隐)、欠线(220/80 µA)、过温(165 ℃)、VS 失效——没有锁死型保护,一切故障都以“打嗝重启”的形态表现,这也定义了它的检修方法(04 篇)。
功能模块索引
| 功能块 | 本文件 | DS 对应 | 机理概述 |
|---|---|---|---|
| UVLO + 电源状态机(start/run/wait/fault) | §6、§1 框图 | DS §8.1、图 1 | 21 V/8 V 迟滞;1 µA/2.1 mA/85 µA 四态电流 |
| SAMPLER 采样器(零电流时刻捕获) | §3.1~3.3 | DS §8.4.1、图 13 | 退磁斜坡末端采样,自带 V_F/I_S·R_S 补偿 |
| 采样两条硬判据(漏感复位/振铃) | §3.4 | DS 图 14 | 平台 <500 ns/1.5 µs;VS 纹波 <100 mVpp |
| E/A + 线缆补偿(V_CVS) | §3.5、§4.1 | DS §8.3.1.6 | 基准 4.05 V 随 CBC 电流垫高 |
| CONTROL LAW 三段控制律 FM-AM-FM | §4.3 | DS §8.4.3、图 15 | 0.75~5 V 折线,44 kHz 枢轴;无模拟补偿器 |
| 恒流锚点 DMAG_CC=0.425 | §4.2、§4.5 | DS 式 6、§8.4.2 | 锁副边占空比,Iout 与 Vout 无关 |
| SECONDARY TIMING DETECT(t_DM 提取) | §1、§4.2 | DS 图 2 | 从 VS 波形量退磁时长,归算副边平均电流 |
| VALLEY SWITCHING 谷底开关与谷跳 | §4.4 | DS 图 18 | T_ZTO=2.1 µs 节拍,跳整数谷保周期精度 |
| LINE SENSE 欠线检测 | §9 | DS 图 2 | 220/80 µA run/stop,2.8:1 大迟滞 |
| CS 逐周期限流 + LEB | §1、§7、§9 | DS §8.3.2 | 0.25~0.75 V 调节窗;1.5 V 无消隐硬过流 |
| 保护统一归口(UVLO 打嗝重启) | §9 | DS §8.3.2 | 全故障无锁死,一律以打嗝形态表现 |
| 驱动级(25 mA 源/14 V 钳/200 kΩ 下拉) | §1 | DS 图 2 | 电流源开通限 dv/dt |
1. 内部框图走读

框图从左到右读出信号流(模块名按 DS 原文):
| 模块 | 输入→输出 | 功能概述 |
|---|---|---|
| UVLO 21 V/8 V | VDD→电源管理 | 双阈值迟滞,四态电源状态机的门 |
| POWER & FAULT MANAGEMENT | 各故障标志→内部 5 V 轨/关断 | 汇集 OC/OV/TSD-SD/LINE 四类故障,统一 UVLO 复位 |
| SAMPLER | VS→E/A | 退磁段跟踪波形、零电流时刻捕获(§3 核心) |
| E/A(基准 4.05 V+V_CVS) | VS 采样值→V_CL | 电压误差放大;V_CVS 为线缆补偿叠加项 |
| CONTROL LAW | V_CL→V_CST 与 1/f_SW | 三段 FM/AM 调制律:输出“峰值电流阈值+周期”两个数 |
| VALLEY SWITCHING | VS→PWM 逻辑 | 退磁后检测 VDS 振铃谷底,择谷开通 |
| SECONDARY TIMING DETECT | VS→电流调节块 | 从 VS 波形提取 t_DM,归算副边平均电流 |
| CURRENT REGULATION | (CS, t_DM)→控制律 | 把副边平均电流与 V_CCR 比较,CC 段锁 DMAG=0.425 |
| LINE SENSE(内部 10 kΩ,2.2 V/0.80 V 比较) | I_VSLS→LINE FAULT | 导通段母线检测:220 µA run / 80 µA stop |
| CS 前沿消隐 LEB + 过流比较 1.5 V | CS→PWM/OC FAULT | 235 ns 消隐的调节比较器 + 无消隐的 1.5 V 保护比较器 |
| 驱动级(25 mA 源/14 V 钳/200 kΩ 下拉) | PWM→DRV | 电流源开通限 dv/dt |
| CABLE COMPENSATION(仅 28700:I_CBC×3 kΩ,28 kΩ 内阻,0~3 V) | CBC→E/A 基准 | 输出电流越大,VS 基准抬得越高(线补) |
| NTC 块(仅 28701/2/3:105 µA 上拉,0.95 V 阈值) | NTC→TSD/SD FAULT | 外部热关断接口 |
这张图最重要的一条隐藏信息:没有传统意义上的“误差放大器输出直接定占空比”——V_CL 进入 CONTROL LAW 后被翻译成两个数:本周期的 CS 阈值 V_CST 和本周期的周期长度 1/f_SW。UCC28700 的“环路”是一个查表式的调制律(图 15 的三段折线),这就是 DS 敢说“无需稳定性补偿”(8.4.1 节)的原因:没有连续时间补偿器,就没有补偿失效。
2. 一张图看懂 PSR 反推:辅助绕组是次级的“镜像”

DS 图 12 把链路画成:辅助绕组 → R_S1/R_S2 分压 → Discriminator & Sampler(鉴别器与采样器) → V_CL → Control Law(最小周期与峰值原边电流) → DRV;CS 与“Zero Crossings / Timing”信号回送控制律。功率级就是普通 DCM 反激,“精确的输出电压与电流检测是原边控制的关键”(DS 8.4.1 原话)。
3. PSR 采样机理(本篇核心,逐层讲透)
3.1 波形长什么样:一段镜像,一段沙漏

DS 图 13 标注了辅助绕组(即 VS 分压器输入)电压的三个区域:
导通段(t_ON): V_AUX = −V_BLK × N_A/N_P ← 正比母线电压(线检测用)
退磁段(t_DM): V_AUX = (V_OUT + V_F + I_S·R_S) × N_A/N_S
↑ 随 I_S 线性下降的斜坡(I_S 从峰值降到 0)
死区段(谐振): 漏感振铃,围绕 0 V 衰减振荡
代一个数看清镜像关系(EVM 参数:N_AS=N_AUX/N_SEC≈3.84,本库反推见 03 篇):输出 5 V、肖特基近零电流 V_F≈0.3 V 时,退磁段稳态部分 V_AUX=(5+0.3)×3.84=20.4 V(辅助匝数是副边的 3.84 倍,所以电压更高——这是为了 VDD 25 V 自供电的设计取向)。经 R_S1/R_S2=121 k/30.1 k 分压后,VS 采样值 = 20.4×30.1/(121+30.1) = 4.06 V ≈ 4.05 V 调节目标 ✓(差值由 V_F 取值与精确匝比圆整解释,完整复算见 03 篇 Step 8)。
3.2 反推公式链:从 VS 采样值到 V_OUT
采样器在退磁结束(副边电流到零)时刻捕获 VS 电压 V_VSR=4.05 V 为调节目标,反推输出:
VS 采样值 = V_AUX(零电流时刻) × R_S2/(R_S1+R_S2)
V_AUX(零电流) = (V_OUT + V_F) × N_A/N_S = (V_OUT + V_F) × N_AS?——注意匝比方向:
= (V_OUT + V_F) × N_AUX/N_SEC = (V_OUT + V_F) × (N_AS 为"辅助/副边"匝比)
→ V_OUT = V_VSR × (R_S1+R_S2)/R_S2 × (N_S/N_A) − V_F …(反推链,DS 式 2 的逆用)
EVM 代入:4.05 × (121+30.1)/30.1 × (1/3.84) − 0.4 = 4.05×5.020×0.2604−0.4 = 5.29−0.4 = 4.89 V;按精确匝比 N_AS=3.719(R_S1 由 70 VAC 反推的同源值):4.05×5.020×0.2689−0.4 = 5.46−0.4 = 5.06 V ≈ 5 V ✓。误差敏感性一目了然:V_VSR 的 ±1%、分压电阻比、匝比、V_F 的取值四项相乘——±5% 整机精度就是这四项散差的卷积(DS 特性表自洽)。
3.3 为什么“零电流时刻采样”= 整流管压降补偿
退磁段斜坡的物理来源:V_AUX=(V_OUT+V_F+I_S·R_S)×N_A/N_S,其中 I_S 从峰值线性降到 0——斜坡下降的部分全是“整流管压降+绕组铜阻压降”,它随负载电流变化(负载越重,I_S·R_S 越大,若在固定时刻采样,误差就随负载漂)。
UCC28700 的鉴别器(discriminator)做法(DS 8.4.1 原文逐条):
- 可靠阻隔漏感复位与振铃(不让它们混进采样窗);
- 在振铃衰减后的下降斜坡期间连续采样(跟踪斜坡,不是单点);
- 在副边电流到零的时刻捕获误差——此刻 I_S·R_S=0,V_F 处于“近零电流正向压降”(比满载 V_F 小得多且可预测)。
于是输出电压表达式中随负载变化的项(I_S·R_S 和大电流 V_F)在采样瞬间自动归零/归最小——这就是“采样时刻自带整流管压降补偿”的全部机理。对比:若在退磁开始时刻采样,采样值会随负载加重而虚高(I_S·R_S 最大),输出就会被拉低——PSR 的重载电压跌落有一半来自错误的采样时刻。
3.4 两条采样判据:漏感复位时间与振铃幅度

MOSFET 关断瞬间,漏感先要完成自己的复位——漏感平台上辅助电压反映的是漏感储能而不是输出电压。DS 给出两条硬判据(图 14):
| 判据 | 阈值 | 违反后果 |
|---|---|---|
| 漏感复位平台 T_LK_RESET | I_PRI 最小时 <500 ns;I_PRI 最大时 <1.5 µs | 平台末端“陡下降沿”酷似“退磁结束”,采样器被骗到平台末端采样 → 输出采样值虚高 → 实际输出被拉低、CC 点漂移 |
| 振铃幅度(VS 脚) | t_DM 结束前至少 200 ns 起 <约 100 mV(p-p) | 振铃叠加进入采样窗 → 采样值抖动 → 输出纹波/漂移,轻载最严重(t_DM 最短) |
第二条的可容忍辅助纹波按分压比放大:100 mV × (R_S1+R_S2)/R_S2——EVM 例 =100 mV×151.1/30.1 ≈ 502 mV(p-p)@辅助绕组。轻载/空载 t_DM 最短,是振铃最容易入侵的工况(04 篇陷阱 2/3 给对策)。
3.5 线缆补偿:把基准“垫高”而不是把反馈“压低”

(图 1 曲线同时给出四态电流的量级:start 态 <1.5 µA、wait 态 85 µA、run/fault 态 2.1 mA——对应 §6 状态机。)
线缆补偿(UCC28700 专属)在 E/A 的基准侧动手脚:V_CVS = I_CBC×3 kΩ,CBC 脚 0~3 V(对应 0~I_OCC)经对地电阻 R_CBC 变成电流,内部镜像注入基准——负载电流越大,基准从 4.05 V 抬得越高,输出电压跟着抬,抵消输出线缆的 IR 压降。量化(DS §8.3.1.6 + 电气特性表):
- CBC 开路:V_CVS(min)=−15 mV(−45~25)→ 输出端几乎不抬(EVM 取此档);
- CBC 对地短路:V_CVS(max)=320 mV(275~365)@VS → 折算 5 V 输出端 400 mV max;
- 中间值由 R_CBC 连续编程(式 5/18)。
注意补偿方向:线补是“负载越重基准越高”——如果实际线缆很短而补偿配大了,输出空载-满载特性变成显著“上翘”,轻载电压超规格甚至触发受电端 OVP;这是 PSR 充电量产最常见的一类客诉(04 篇陷阱 5)。
4. CV/CC 双环与三段控制律
4.1 电压环(CV):采样值 vs 4.05 V+V_CVS
链路:VS 采样 →E/A(基准 4.05 V+V_CVS)→ V_CL → 控制律 → (V_CST, 1/f_SW) → DRV。没有模拟补偿器——V_CL 直接查三段折线(下节),环路的“补偿”就是折线本身+DCM 的一拍延迟结构。DS 明说:无需稳定性补偿。
4.2 电流环(CC):沙漏 + 锚点 0.425

DS 式 6(忽略漏感):
I_OUT = (I_PP / 2) × (N_P/N_S) × (t_DM / T_SW)
代一个数(EVM 满载 CC 点,参数来源见 03 篇):I_PP=V_CST(max)/R_CS=0.75/2.05=0.366 A;N_PS=N_P/N_S=14;CC 段 t_DM/T_SW 被内部钳位在 DMAG_CC=0.425。副边三角波电流峰值为 I_PP×N_PS=0.366×14=5.12 A,其平均值 =½×5.12×DMAG_CC=0.5×5.12×0.425=1.089 A,再乘变压器效率 η_XFMR=0.9 → 0.98 A ≈ 1 A ✓✓(式 23 的 R_CS 设计公式 R_CS=V_CCR×N_PS/(2×I_OCC)×η 正是本式的逆用,两式互为验证)。
CC 段的工作方式:副边定时检测块持续把 t_DM/T_SW 折算成“副边平均电流代表值”与 V_CCR=319 mV 比较;一旦到达,控制器进入频率调制——输出电压再怎么掉(5 V→2 V),只要辅助绕组还能把 VDD 维持在 8.1 V 之上,输出电流就锁在 I_OCC(DS 8.4.2)。恒流段电压降低 → 所需传输时间变短 → t_DM/T_SW 的上升趋势被 0.425 锚点约束 → f_SW 自动下降(这就是 CC 段频率从 ~44 kHz 逐步降至低频的原因)。

4.3 三段控制律:FM→AM→FM,44 kHz 枢轴

控制电压 V_CL(E/A 输出)从低到高滑过 0.75→5 V,控制器输出两个被调制量:
| 段 | V_CL 区间 | f_SW | I_PP | 为什么这样排 |
|---|---|---|---|---|
| 深轻载 | <0.75 V | 1 kHz(f_SW(min)) | I_PP(min)=I_PP(max)/3(0.25 V 阈值) | 待机:最低频+最小流,双管齐下压损耗 |
| FM1 | 0.75→2.2 V | 1 kHz→4.4 kHz→44 kHz | 锁定 I_PP(min) | 先抬频率:峰值电流小时升频几乎不增加开关损耗 |
| AM | 2.2→3.55 V | 锁 44 kHz | I_PP(min)→I_PP(max)(0.25→0.75 V) | 再抬电流:中等功率段让导通损耗分担,频率不动(EMI 频谱稳定) |
| FM2 | 3.55→5 V | 44 kHz→130 kHz | 锁定 I_PP(max) | 最后才用频率换功率:满载贴近 f_MAX(DS 电源建议) |
三段的设计哲学:把“每瓦损耗增量”最大的两个自由度(频率、电流)错峰使用——任何负载点都只动其中一个,另一个锁定。44 kHz 同时是器件降功耗分界(<44 kHz 降工作电流,DS 8.1)与 AM 段频率锚点,不是巧合——同一个“中段”概念的两面。
K_AM=3 的出处:I_PP(max)/I_PP(min)=V_CST(max)/V_CST(min)=0.75/0.25=3.0(2.75~3.15)。峰值电流三倍动态范围就是 AM 段的全部调功空间,也是待机计算式 27 里 K_AM²=9 的那 9 倍红利。
4.4 谷底开关与谷跳

退磁结束(VS 过零检测),漏感与 MOSFET 输出电容开始谐振,VDS 以约 500 kHz(DS 设计假设 T_R≈2 µs)振荡。控制器延迟到第一个谷底(VDS 最低点)给出 DRV——开通损耗 Coss·V² 与开通 dv/dt 双降。节拍器是 T_ZTO=2.1 µs(1.8~2.45)过零超时:若按调制律算出的等待时间超过一个谷,就跳过整数的谷(谷底跳跃,valley-skipping)等到下一个合法谷——图 18 显示三个周期分别跳了不同个数的谷。
为什么“谷跳”而不“强开”:调节精度优先——周期必须等于控制律要求的 1/f_SW(量化到整数个振铃半周期),宁可多等一个谷也不破坏周期精度。代价是轻载时 VDS 谷点电压略高(振铃衰减后),但 DS 明言:除非振铃已衰减消失,所有负载条件下都做谷底开关。
4.5 CC 段的频率下滑与 V-I 拖尾(本库推导,与式 6 自洽)
CC 段“恒流”锁的是平均电流,输出电压降低时周期必须拉长:t_DM 被 0.425 锚点按住上限,但每周期传输的能量 = V_OUT×I_OUT×T_SW——V_OUT 降、能量需求降、f_SW 同步下滑(由 44 kHz 一路滑向低频)。图 17 V-I 特性的恒流段因此不是理想竖线,而是带轻微拖尾:V_OUT 接近 0 时辅助供电逼近 8.1 V 极限,DS 注明“只要辅助绕组能把 VDD 维持在关断阈值之上”——恒流的下限电压由 N_AS(式 26)决定,USB 的 2 V 要求就是这条注的现实化(03 篇 Step 11 的 3.58~3.84 反推互洽)。
4.6 三种“省光耦”架构在一页纸上
| 维度 | UCC28700(辅助绕组反推) | InnoSwitch3(FluxLink 磁隔离) | 光耦+TL431(传统) |
|---|---|---|---|
| 采样点 | 辅助绕组(原边侧“镜像”) | 次级真实采样,磁隔离编码传回 | 次级真实采样,光耦传回 |
| CV 精度 | ±5%(受 V_F/匝比/基准散差乘性卷积) | ±1% 级(只由片内基准决定) | ±1~2%(基准+CTR 漂移) |
| CC 精度 | ±5%(V_CCR+R_CS) | 片内 | 靠次级电路 |
| 动态响应 | 退磁段单点采样+DCM 一拍延迟(最弱) | 快(次级实时) | 快(环路带宽决定) |
| 待机 | <30 mW 级 | 低 | 光耦偏置拖累 |
| 成本 | 最低(6 脚+无光耦) | 高(全集成) | 中 |
| 生态位 | ≤10 W 固定输出充电器 | 20~65 W 高密 PD | 全功率段通用 |
——UCC28700 用“镜像采样”换来 BOM 与待机的双重最低,是这条轴上的起点;InnoSwitch3 在“省光耦”架构上实现了“真实采样”,是该轴的终点(../InnoSwitch3/)。
5. CV/CC 信号链全景(从输出变化到占空比调整)
以“负载突然加重”为例走一遍完整链条(每个箭头都是本章一节):
V_OUT 微跌 → 退磁段 V_AUX 斜坡整体下移 → 零电流时刻采样值 < 4.05 V
→ V_CL 升高 → 控制律三段折线输出:f_SW ↑ 与/或 V_CST ↑(FM1 段先升频)
→ 谷底开关在 1/f_SW 节拍上给出 DRV → I_PP 沿 (V_BLK/L_P) 爬升到新阈值
→ 退磁传输能量增加 → V_OUT 回到 4.05 V 采样线 → V_CL 稳定
(若加重到 CC 边界:I_OUT 抵达 V_CCR 对应值 → 控制器切 CC:锁 DMAG=0.425、调 f_SW)
响应速度受限于两个结构因素:采样只在退磁段(每周期一次)、DCM 一拍延迟——这就是 PSR 动态响应的结构上限(04 篇“适合谁”的出处),EVM 用 1120 µF 输出电容把 0.1→0.6 A 阶跃压在 4.1~6 V 窗口内(05 篇实测)。
6. 启动与电源状态机(HV 启动的 µA 哲学)
UCC28700 没有集成高压启动电流源(对比 NCP1342 等)——它靠“启动电阻 + 1 µA 启动态电流”这对组合达到同样的低待机:
| 状态 | 电流(typ/max) | DRV | 行为 |
|---|---|---|---|
| start(VDD<21 V) | 1 / 1.5 µA | 200 kΩ 下拉 | RSTR 给 CDD 充电至 21 V; DRV 被高阻拉低防误开通 |
| 启动序列 | — | — | 最初三个开关周期钳在 I_PP(min)——以最小功率探路,感知输入/输出故障 |
| run | 2.1 / 2.65 mA | 调制律 | 正常 CV/CC;<44 kHz 降到 wait 巡检 |
| wait | 85 / 110 µA | 关断 | 轻载/空载在脉冲间歇关掉大部分偏置,85 µA×25 V≈2.1 mW |
| fault | 2.1 / 2.8 mA | 关断 | 任一保护触发→保持内部电路给 CDD 放电到 8.1 V→回 start 重启 |
图 1(本篇 §3.5 引用)就是这部状态机的伏安特性写照:VDD 从 0 升至 21 V 全程 µA 级(start),过 21 V 跳到 mA 级(run),跌回 8.1 V 跳回 µA 级——12.9 V 迟滞就是 run/wait 与 start 之间的状态边界。
为什么标称 VDD 定在 25 V:USB 恒流要维持到输出 2 V——辅助电压正比输出,输出 2 V 时辅助电压 ≈25×(2+0.3)/(5+0.3)≈10.9 V,仍高于 8.1 V 关断点 ✓(N_AS 按此设计,DS 式 26);35 V 上限则吸收高载时漏感能量灌入 CDD 的抬升(04 篇陷阱 7)。
7. 一个开关周期的时序走读(谷底开关的一拍)
以满载(I_PP=I_PP(max)=0.366 A)为例,一个周期按时间轴分四幕(对照图 13/16/18 波形,时间数字按 EVM 参数 L_P=885 µH 本库推导):
| 幕 | 时间段 | VS 脚上发生什么 | CS 脚上发生什么 | 控制器动作 |
|---|---|---|---|---|
| 1. 导通 | t_ON=L_P×I_PP/V_BLK:低线 4.76 µs(V_BLK=68 V)~高线 0.95 µs(339 V) | 辅助绕组负压 −V_BLK×N_A/N_P,VS 被钳位到 −0.25 V,R_S1 电流=母线采样 | 电流按 (V_BLK/L_P) 斜率线性上升,R_LC 垫入线补压降 | 235 ns 消隐后,电流达到 V_CST 阈值(0.75 V 满载)→ 关断 DRV |
| 2. 漏感复位 | <500 ns~1.5 µs | 平台电压(漏感储能镜像,不是输出)——采样器阻隔此段 | RCS 电流已断(MOSFET 关断),CS=0 | 等待;同期钳位电路(D1/R1/C1/D4)泄放漏感能量 |
| 3. 退磁 | t_DM≈4.1 µs(满载,与 V_BLK 无关:t_DM=t_ON×V_BLK/(N_PS×(V_OUT+V_F)),式 10 正用) | (V_OUT+V_F+I_S·R_S)×N_A/N_S 斜坡下行——连续采样、零电流时刻捕获 | 无信号 | 副边定时检测块量 t_DM;电流调节块归算 I_OUT 与 V_CCR 比较 |
| 4. 谐振待谷 | 剩余时间(T_ZTO=2.1 µs 为过零判定窗) | 过零→围绕 0 V 衰减振铃(判据:末端 200 ns <100 mVpp) | 无信号 | 谷底检测:等到 1/f_SW 节拍上最近的 VDS 谷 → 回到幕 1 |
四个数字的相互咬合(低线满载,f_SW≈105 kHz、T_SW=9.5 µs):t_ON 4.76 µs + 漏感复位 ≤0.5 µs + t_DM 4.1 µs ≈ 9.4 µs ≈ T_SW 排满——这正是式 21 的几何来源:D_MAX+D_MAGCC=0.475+0.425=0.9,剩下 10% 给谐振待谷。高线满载:t_ON 缩到 0.95 µs 而 t_DM 不变(能量守恒与母线电压无关),多出的约 3.8 µs 全部由“跳谷”消化——这就是图 18 谷跳形态的由来,也解释了“高线满载谷跳更密、低线满载几乎不跳”的实测现象。轻载则两端同时收缩,频率沿 FM1 段下探、谷跳数进一步增加。
8. EMI 调制:频率抖动与谐波整形
- 手册事实:特性表列 “Patent-Pending Frequency-Jitter Scheme to Ease EMI Compliance”(专利申请中的频率抖动方案,简化 EMI 达标);§8.1 概览写明 “includes features in the modulator to reduce the EMI peak energy of the fundamental switching frequency and harmonics”(调制器内置降低基波及谐波 EMI 峰值能量的功能)。
- 机理推断(业界经验):开关频率围绕设定值小幅度摆动(jitter),把传导 EMI 频谱从“一根根尖峰”摊成“矮胖包络”——准峰值/平均值检波读数下降数 dB,滤波器压力减轻。三段控制律本身也是 EMI 手段:AM 段 44 kHz 恒频段功率“密集区”的频谱能量集中但幅值受控,FM 段天然扫频。
- 设计含义:EMI 调试时不要把频率“锁死”思维带进来——f_SW(max)=130 kHz 是平均值口径(电气特性表注 1:阈值为抖动后平均水平),传导测试看到的是以 130 kHz 为中心的一个带;滤波段按“带”设计。
- 待核实:jitter 的幅度与调制频率 DS 未给数值(内部调制律细节),需实测频谱反推。
9. 保护逐个物理机理
| 保护 | 阈值(min/typ/max) | 检测点 | 物理机理 | 动作 |
|---|---|---|---|---|
| 输出过压 OVP | 4.52/4.6/4.68 V @VS | VS 采样值 | 采样值>调节点 115%(4.6/4.05=1.136)→ 输出侧约 5.75 V(EVM 口径);常见根因:光耦级故障不存在,此处多为采样链/预载异常或 true 输出过压 | 停开关,CDD 放电至 8.1 V,回 start |
| 原边过流(逐周期) | CS 0.25~0.75 V 窗 | CS | 调节阈值本身逐周期终止导通——UCC28700 “always operates with cycle-by-cycle primary peak current control”(DS 8.3.2) | 逐周期(不是故障) |
| CS 硬过流 | 1.4/1.5/1.6 V @CS | CS | 窗口上限 2 倍——判变压器饱和/CS 短路级异常;无前沿消隐:真尖峰也会触发,保护优先于抗扰 | UVLO 复位重启 |
| 欠线(brown-out) | 220/80 µA @VS(run/stop,190~260/70~95) | 导通段 R_S1 电流 | 钳位状态下 R_S1 电流∝母线电压;run/stop 比 2.8:1(2.5~3.05)→ 大滞后防“临界电压反复启停” | run 前不出脉冲;stop 后 UVLO 循环 |
| 过温 TSD | 165 ℃(typ) | 结温 | 内部温度传感器;循环末仍热则继续循环 | UVLO 复位重启 |
| VS 失效 | — | VS | 反馈完全丢失(R_S1 开路等)→ 控制律失去反馈 | 停止开关并重启(DS 8.3.2) |
| CS 失效 | 同 1.5 V 通道 | CS | CS 短路/饱和由 1.5 V 无消隐阈值覆盖;RCS 开路则该通道同失效(推断:仅余周期上限后备)——见 04 篇陷阱 9 | UVLO 复位重启 |
统一出口:DS 明言“UVLO reset and restart sequence applies for all fault protection events”——全部故障都以打嗝(hiccup)形态表现,没有锁死。检修含义:看到周期性重启,先分不清是哪种保护,就按“欠线→OVP→过流→过温”的顺序用示波器逐个排除(04 篇排查流程)。
精炼要点
| 要点 | 数值/结论 | 出处 |
|---|---|---|
| 反推公式链 | V_OUT=V_VSR×(R_S1+R_S2)/R_S2×N_S/N_A−V_F | §3.2 |
| 采样时刻 | 副边电流到零瞬间(斜坡末端捕获)→ 自带 V_F/I_S·R_S 补偿 | §3.3 |
| 采样判据 | 漏感复位 <500 ns/1.5 µs;振铃 <100 mVpp(t_DM 端前 200 ns) | §3.4 |
| CC 锚点 | DMAG_CC=0.425 内部固定;I_OUT=½·I_PP·N_PS·DMAG_CC·η | §4.2 |
| 控制律 | FM1(1→44 kHz)→AM(0.25→0.75 V@44 kHz)→FM2(44→130 kHz);K_AM=3 | §4.3 |
| 谷底节拍 | T_ZTO=2.1 µs;谷跳保精度 | §4.4 |
| 时序几何 | 低线满载 t_ON 4.76+t_LK 0.5+t_DM 4.1 ≈ T_SW 9.5 µs 排满;高线差额全给谷跳 | §7 |
| 状态机 | start 1 µA / run 2.1 mA / wait 85 µA / fault;头三周期 I_PP(min) | §6 |
| 恒流自供电 | 25 V 标称 VDD ↔ 输出 2 V 时辅助≈10.9 V>8.1 V | §6 |
| 保护哲学 | 全故障→UVLO 打嗝重启,无锁死 | §7 |
| 无需补偿 | 调制律查表制,无模拟补偿器 | §1/§4.1 |
上一级:UCC28700