NCP1622 — 01 引脚功能与关键规格
依据:onsemi NCP1622/D Rev.5,引脚定义(表 4)、版本编码(表 1~3)、电气特性(表 6)。下文“DS”指此手册;标注“推断/经验”处为库内分析,与手册事实分开。 本篇对标 TI 数据手册“Pin Configuration and Functions + Specifications”的组织方式:先总表,再逐脚讲透(内部结构→为什么需要→外围怎么接→怎么算→接错会怎样)。
本篇总结
- 6 脚承载 4 类信息:VCTRL(环路命令)、FB(输出电压)、CS/ZCD(一个脚同时提取电感电流、漏极电压=母线电压、退磁/谷底信号、OVP2 采样),DRV(执行)。CS/ZCD 单脚复用是 NCP1622 省脚的核心:靠漏极 1/138 电阻桥代替辅助绕组,“简单电感”也能做谷底同步。
- VCTRL 是全片工作模式的调度依据:它的电压高低直接对应负载轻重,CrM→DCM 折返阈值(Vctrl,th)、Skip 阈值(VSKIP)都画在同一根 VCTRL 电压轴上——理解这根轴,02 篇的所有工作模式就都有了坐标系。
- FB 不只是调节:一个脚挂了四个比较器(DRE 95.5% / 软 OVP 105% / 快速 OVP 107% / UVP 12%),加上 200 nA typ 悬空保护电流——输出电压的全部状态信息都经 FB 采集。
- 版本编码决定功能有无:第 1 位字母(L1)管 Brown-out/Skip 有无,第 2 位(L2)管折返阈值与 ton,max,第 3 位(L3)管 VCC 启动电平;默认 AEA 版既无 Brown-out 也无 Skip——选型时不看编码表,轻载待机指标就会误用。
- 封装预算只有 550 mW(TA=70 °C,RθJA 145 °C/W):TSOP-6 驱动大管时驱动损耗要计入 IC 结温校核。
- 表 6 多处与正文不一致(迟滞 40/100 mV、LEB 200/400 ns 等),一律以电气特性表为准(DS 全译已在 0 逐条标注)。
1. 引脚总表(TSOP-6,顶视图,DS 表 4)
| 脚号 | 名称 | 功能概述 | 关键规格(typ,另注除外) |
|---|---|---|---|
| 1 | VCTRL | 误差放大器输出/环路补偿;全片工作模式的调度依据 | 摆幅 0.5~4.5 V;折返阈值(E 档)1.553 V;Skip 617/593 mV |
| 2 | GND | 功率地兼信号地;开路可被检测 | 开路 ~200 ms 后停机(DS 故障检测) |
| 3 | CS/ZCD | 限流+过应力+退磁/谷底+母线采样+OVP2,一脚五用 | OCP 500 mV;OVS 750 mV;ZCD +40/−50 mV;正钳位 9.5 V |
| 4 | DRV | 图腾柱栅驱动 | −500/+800 mA;tR/tF = 30/20 ns @1 nF;高 VCC 钳位 12 V |
| 5 | VCC | 供电;UVLO 两档版本 | 启动 17.0/10.5 V;关断 9.0 V;工作 9.5~30 V |
| 6 | FB | 输出采样:调节+DRE+双 OVP+UVP | VREF 2.5 V;偏流 200 nA;DRE/软OVP/快OVP = 95.5/105/107% |
2. 逐脚深读
2.1 脚 1 VCTRL — 环路补偿,也是负载指示量
内部结构:跨导误差放大器(OTA)的输出独占此脚——GEA 200 µS typ(110~290),拉/灌电流能力 ±20 µA(15~26)。输出被内部电路限制在约 0.5 V(=1×VF,VF≈0.5 V)到约 4.5 V(=4.0 V+VF)之间。读取 VCTRL 的内部环节有一整排:Vton 斜坡比较器(ton 与 Vctrl 成正比)、CrM↔DCM 折返阈值检测(Vctrl,th,*)、Skip 比较器(VSKIP-H/L)、Brown-out 泄流电流源(30 µA,[C/D] 版)、OFF 模式下拉。
为什么需要:PFC 要 PF≈1,电压环带宽必须远低于 2 倍工频(100/120 Hz),否则环路会去“纠正”母线上的工频纹波,破坏电流整形。所以补偿网络必须外接——这就是 VCTRL 存在的理由:它把“环路怎么慢”的决定权交给用户。
外围怎么接:VCTRL 与 GND 之间接 Type-2 网络(Rz+Cz 串联,再并一只高频小电容 Cf)。DS 建议“带宽通常设定在 20 Hz 以下”。
怎么算(示例值,本库示例):Rz = 47 kΩ、Cz = 1 µF、Cf = 0.15 µF——
- 补偿零点 fz = 1/(2π·Rz·Cz) = 1/(2π×47e3×1e-6) ≈ 3.4 Hz(提升相位,使穿越频率处有相位裕量);
- 高频极点 fp = 1/(2π·Rz·Cf) = 1/(2π×47e3×0.15e-6) ≈ 22.6 Hz(衰减 100/120 Hz 纹波经环路进来的增益)。
- 结果核算:零点在穿越频率(~15 Hz)的 1/4~1/5 处,典型 Type-2 布局,相位提升约 50°(经验值,具体环路测量为准)。
隐藏设计点:软启动时长由你自己的补偿网络决定。OFF 模式解除时 VCTRL 被内部拉到 0 V,之后 OTA 以最大 20 µA 给 Cz 充电——VCTRL 从 0 爬到折返阈值 1.553 V 的时间 ≈ Cz×ΔV/I = 1 µF×1.553/20 µA ≈ 78 ms(爬到满幅 4.5 V 则约 225 ms)。也就是说:Cz 既定环路零点,也定了软启动斜率——加大 Cz 改善环路的同时会拖长启动,两方面都要复核(DS 描述“电路关断时 VCTRL 脚被内部下拉,启动功率缓慢上升”,时长推导为本库计算)。
器件怎么用这根轴(重排 DS 数据,这是本脚的精华):
| VCTRL 电压 | 片内事件 | 模式 |
|---|---|---|
| ≈4.5 V(钳位) | ton = ton,max(L2 组决定,E 档低线 12.5 µs) | 满载 CrM |
| > Vctrl,th,*(E 档 1.553 V typ,±10%) | 正常 CrM,ton 随 Vctrl 线性变 | CrM |
| < Vctrl,th,* | 插入死区 tDT,频率线性折返 | DCM(VSFF) |
| < VSKIP-H(617 mV)→ 低至 VSKIP-L(593 mV) | 禁止/恢复开关(B/D 版) | Skip 突发 |
| ≈0.5 V / 被下拉到 0 | 静态 OVP 有效 / OFF 模式(故障时内部拉地→重启即软启动) | 停机 |
开路/短路/接错会怎样:DS 明确警告不得从外部驱动或下拉 VCTRL——外部源会和 OTA 争夺节点控制权,环路被外部源接管。补偿网络开路(VCTRL 悬空):OTA 无法建立命令、节点漂浮,重载时可能失去控制(推断:OCP 会提供后备限流,但系统不再稳压);Cz 短路:VCTRL 被钳到地,ton→0,无功率输出。测量该脚要用高阻探头——万用表/示波器探头等效负载会改变环路(经验)。
2.2 脚 2 GND — 别只当它是地
内部结构:驱动灌电流(−500 mA 脉冲)与全部内部基准的地。为什么单独讲:图腾柱灌电流瞬间在地回路上产生 di/dt 尖峰,若与 FB/CS 共享细地线,毫伏级检测阈值(ZCD 才 40 mV!)会被直接干扰。外围怎么接:驱动回路(MOSFET 源极→Rsense→GND)与 IC 地单点汇于功率地;VCC 去耦电容的地也回到这里。接错会怎样:DS 内置了 GND 开路监测——该脚持续开路约 200 ms 后电路停止工作(防止“GND 没接、驱动通过其他脚寄生回路乱开”的灾难,推断其检测原理为内部上拉/下拉电平判别,DS 未给细节)。但监测救不了布局烂:地弹导致的谷底误判、误 OCP 是现场最常见问题之一(见 04 陷阱 3)。
2.3 脚 3 CS/ZCD — 一脚五用的“情报站”
内部结构:CSZCD 缓冲器接收此脚电压 VCSint,分送四路(DS 图 12):① 过应力比较器(VCS,OVS(th) 750 mV typ,消隐 250 ns);② OCP 比较器(VCS(th) 500 mV typ,消隐 400 ns,传播延迟 40 ns typ);③ 退磁与线路检测块——输出 ZCD(谷底同步用)与 VSNS(前馈/Brown-out 用);④ 第二 OVP(OVP2,阈值 3.175 V typ,消隐 1 µs)。脚上另有正钳位 9.5 V typ @5 mA、测试电流源(对地 50 µA、对 VCC 200 nA)用于开路/短路判别。
为什么需要:传统 CrM PFC 要限流脚 + ZCD 辅助绕组两个传感通道;NCP1622 用一只接在漏极与地之间的电阻桥(Rcs1 上接漏极、Rcs2 下接源极/地)把漏极电压按 KCS = Rcs2/(Rcs1+Rcs2) = 1/138 缩小后送进来:导通期漏极≈源极电位,桥与 Rsense 合成,CS 脚上呈现 Rsense·I(限流);关断期 CS 脚呈现漏极电压/138 = 母线电压/138(退磁检测、线路前馈、OVP2)。于是不要辅助绕组也能谷底同步——DS 特性第一条就写着“可用简单电感工作(无需 ZCD 绕组)”。
外围怎么接 + 怎么算(75 W 示例,完整推导见 03):
- 源极 Rsense:OCP 点 = 0.5 V/Rsense,取 Rsense = 0.15 Ω → I_OCP = 3.33 A(约为设计峰值电流 2.56 A 的 1.3 倍);OVS 点 = 0.75/0.15 = 5.0 A(=OCP 的 150%,专防电感饱和/旁路二极管短路)。
- 漏极桥:Rcs2 = 4.7 kΩ、Rcs1 = 649 kΩ → KCS = 4.7/653.7 = 1/139.1,OVP2 触发 = 3.175 V×139.1 ≈ 442 V(名义 438 V,偏差 +0.8%,由 Rcs1 误差主导,用 1% 精度可控制在 ±2% 内)。
- Ccs(CS 脚对地):滤开关噪声,但 τ = Ccs×(Rcs1∥Rcs2) ≈ Ccs×4.66 kΩ 不能拖慢谷底检测——谷底振铃周期约 1~2 µs(由漏极寄生电容与电感决定,推断),Ccs 取 47~100 pF 量级(DS 未给值,经验值,以实测谷底开通不迟滞为准)。
开路/短路/接错会怎样(DS 故障检测节):
- 悬空:200 nA 上拉电流源把脚拉向 VCC → 片内判为开路,停止工作;
- 对地短路:看门狗定时器到期(200 µs typ)后片内用 50 µA 电流源做阻抗检测,发现对地短路即停止工作;
- 分压比接错:若误把 KCS 做成 1/120,正常 390 V 母线会在关断期呈现 390/120 = 3.25 V > 3.175 V → OVP2 在正常输出时就误触发,电源以 800 µs 节奏打嗝(这是该脚最阴险的接错方式,现象像负载问题)。
2.4 脚 4 DRV — 不只是“推栅极”
内部结构:图腾柱输出,拉 +800 mA / 灌 −500 mA,ROH 10 Ω / ROL 7 Ω typ,1 nF 负载下 30/20 ns。两个细节规格常被忽略:
- VDRV,high = 10/12/14 V @VCC = 30 V:VCC 高于内部钳位时,驱动高电平被钳在约 12 V 而不是跟着 VCC 冲到 30 V——保护 20 V 级栅氧(VCC 直接供电场景省一颗稳压管,DS 注 (*))。
- VDRV,low ≥8.0 V @VCC = VCC,off+0.2 V:VCC 快掉光时驱动仍能维持 ≥8 V 高电平,保证不出现“半开半关”的线性区损耗。
为什么需要大电流:CrM 开关频率高(几十~上百 kHz,轻载折返也有 33 kHz),TO-220/TO-247 管 Qg 可达 60~100 nC,驱动峰值电流不够 → 开关沿变缓 → 损耗与 EMI 双输。
怎么算:驱动峰值电流 ≈ (VDRV−Vgs平台)/(ROH+RG外)。例:VDRV 12 V、平台 4 V、ROH 10 Ω、外接 RG 5.1 Ω → Ipk ≈ 12−4)/(15.1) ≈ 0.53 A,Qg 60 nC 管上升时间 <50 ns,够用;RG 同时阻尼振铃抑制 EMI。接错会怎样:DRV 短路到地/到 VCC 属于故障场景,DS 未声称专门保护——由 OCP(管子常通会被限流)与 TSD 提供后备保护(推断);栅极走线过长引起的振铃见 04 布局节。
2.5 脚 5 VCC — 两档启动电平是两个应用场景
内部结构:UVLO 比较器 + 启动电流源控制。规格:[A] 版启动 17.0 V typ(15.80~18.20),迟滞 8.0 V typ;[C] 版启动 10.5 V typ(9.75~11.25),迟滞 1.5 V typ;关断都是 9.0 V typ。启动电流 ≤70 µA max(VCC=9.4 V),工作电流 0.5 mA(不开关)/2.0 mA(50 kHz 开关,DRV 空载)typ。
为什么做两档:[A] 17 V 大迟滞版——给“高压启动电阻 + 辅助绕组自举”的经典架构:迟滞越大,VCC 电容可以越小、启动电阻可以越高阻(待机损耗越低);[C] 10.5 V 版——DS 明说适合“由外部辅助电源或后级变换器供电”:11.25 V max 启动电平保证 12 V 轨可靠启动。
怎么算(启动电阻):启动电阻需在最坏低线(90 VAC,整流均值 ≈90 V)下仍供出 >70 µA max 启动电流直至 VCC,on:R_start ≤ (90−17)/70 µA ≈ 1.04 MΩ。取 R_start = 2×360 kΩ = 720 kΩ(串联耐压),高线损耗 373²/720k ≈ 0.19 W(用两颗 1206 串联分摊);启动时间 t ≈ C_VCC×VCC,on/I,C_VCC = 47 µF 时 ≈ 47µ×17/110µ ≈ 7 s(经验上可接受;要更快就减 C_VCC 或换 [C] 版 + 12 V 辅助轨)。注意:70 µA 是 max,设计按 max 算才是保守的。
接错会怎样:VCC 欠压 → UVLO 停机(正常保护);VCC 超过 30 V 绝对最大额定 → 损坏;轻载 Skip 时辅助绕组供电能力骤降,若 C_VCC 太小会陷入“启动-掉电”循环(见 04 陷阱 1)。
2.6 脚 6 FB — 一个脚上的四道防线
内部结构:FB 与 VREF 2.5 V(2.44~2.56)比较,四组阈值共用这一根线(DS 表 6 + 图 2 FB MANAGMENT 块):
| 阈值 | 电平(×VREF) | 390 V 输出时 | 动作 |
|---|---|---|---|
| DRE 触发 | 95.5%(迟滞 0.35%) | 372 V | 注入 220 µA typ 加速补偿网络,环路增益约 ×10 |
| 软 OVP | 105%(迟滞 1.87%) | 409 V | 占空比线性渐减(功率缓退) |
| 快速 OVP | 107%(迟滞 4.0%) | 417 V | 立即禁止驱动(非锁存,回落自动恢复) |
| UVP | 高 530 mV(≈21%)/ 低 303 mV(≈12%) | ≈83 V / 47 V | 阻止/停止工作 |
FB 偏置电流 IB,FB = 200 nA typ(50~450 nA)——够小,允许 MΩ 级高阻分压;又“不至于太小”:DS 引脚描述称内部有灌电流(正文写 250 nA,表 6 记 IB,FB 200 nA typ,以表为准)保证 FB 悬空时该脚保持低电平 → UVP 动作 → 停机,这就是“反馈脚未连接禁用保护”的实现路径。
外围怎么接 + 怎么算:Rfb2(下)= 24.9 kΩ、Rfb1(上)= 3.86 MΩ → Vout = 2.5×(1+3860/24.9) ≈ 390 V;分压电流 390/3.885M ≈ 100 µA,偏流误差 200 nA/100 µA = 0.2%;分压损耗 39 mW。为什么上分压要做到 MΩ 级:这 39 mW×全年不断电,比 IC 自身功耗还重要——待机指标是这个量级逼出来的。代价是高阻节点对 PCB 漏电敏感(见 04 陷阱 5)。
接错会怎样:Rfb1 开路/虚焊 → FB 被内部电流拉低 → UVP 停机(安全侧,正确行为);Rfb2 开路 → FB 冲高 → 软 OVP→快速 OVP 依次动作,输出电压失控但不过压损坏后级(推断:OVP 为非锁存,会反复打嗝);分压比错 → 输出电压按比例错,所有百分比阈值跟着错。
2.7 规格表里藏着的三处自洽(读懂 DS 表 6 的“暗线”)
规格表不是孤立数字,三处交叉读能读出 DS 没明说的设计逻辑:
- ton,max 的测试条件本身就是一张“线路检测判据图”。表 6.9 里 ton,max,LL 的条件写“avg(VCS) = 0.9 V”、ton,max,HL 写“avg(VCS) = 2.8 V”——而线路检测阈值 VLL/VHL = 1.480/1.690 V(均基于 avg(VCS))恰好落在 0.9 与 2.8 之间。即:0.9 V 以下肯定判低线、2.8 V 以上肯定判高线、1.48~1.69 V 是判决带,三个参数拼出完整的判定边界。按 1/138 桥比折算,avg(VCS)=1.48~1.69 V ≈ 漏极平均 204~233 V,对应输入电压约 144~165 VAC rms——这就是高/低线判决的物理位置(推算)。
- ICC 两行读出待机预算。ICC,op1(不开关)0.5 mA typ 与 ICC,op2(50 kHz 开关,DRV 空载)2.0 mA typ 之差 ≈1.5 mA 就是开关+驱动损耗在 IC 侧的份额——Skip 模式省的就是这一段(跳过 1.5 mA 的开关期消耗,回到 0.5 mA 静态)。
- 迟滞全部朝“防抖”方向设计。UVLO 迟滞 8 V([A])、CrM↔DCM 迟滞 100 mV、Skip 迟滞 24~30 mV、OVP 迟滞 1.87%/4.0%、UVP 迟滞 225 mV、ZCD 迟滞 84 mV、线路检测迟滞 100 mV——每个阈值都配了防抖回差,量级随“信号源阻抗 × 噪声”放大。看任何保护阈值时,把它的迟滞一起看,才知真实动作区间。
3. 版本编码解码(订购信息,DS 表 1~3)
产品编码 NCP1622-X-Y-Z:X=L1(功能有无)、Y=L2(折返/ton,max)、Z=L3(VCC 启动电平)。封装印字与订购码不对应(如 AEA 印 A5A、DCC 印 DC6),验货按印字反查。
表 1 — L1:Brown-out / Skip 有无
| L1 | Brown-out | Skip | 定位 |
|---|---|---|---|
| A(默认) | 无 | 无 | 极简成本版 |
| B | 无 | 有 | 要待机指标、不管低线保护 |
| C | 有 | 无 | 要低线保护、不管待机 |
| D | 有 | 有 | 全功能 |
表 2 — L2:CrM→DCM 阈值 Vctrl,th 与 ton,max(低线/高线=1/3)(Rev.5 实列 A~L 共 12 档)
| 组别 | Vctrl,th (V) | ton,max,LL (µs) | ton,max,HL (µs) | 组别 | Vctrl,th (V) | ton,max,LL (µs) | ton,max,HL (µs) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A | 0.816 | 25 | 8.33 | G | 1.459 | 8.3 | 2.77 |
| B | 1.026 | 25 | 8.33 | H | 2.079 | 8.3 | 2.77 |
| C | 1.296 | 25 | 8.33 | I | 2.840 | 8.3 | 2.77 |
| D | 1.132 | 12.5 | 4.17 | J | 0.816 | 30 | 10 |
| E(默认) | 1.553 | 12.5 | 4.17 | K | 1.026 | 30 | 10 |
| F | 2.079 | 12.5 | 4.17 | L | 1.296 | 30 | 10 |
选法(两条主线):ton,max 组决定给定电感下的最大输出功率能力(Pout ∝ ton,max 与 L,DS 图 9)——低输入电压(85~100 VAC)重载要 25/30 µs 组(A/B/C/J/K/L),230 VAC 专用可用 8.3 µs 组(G/H/I);Vctrl,th 决定折返从多轻的负载开始——阈值高 → 折返早启动、轻载效率好但电流整形负担重;阈值低 → CrM 区更宽、PF 更稳。默认 E = 1.553 V/12.5 µs 是 230 V 欧标 75~150 W 的折中。
表 3 — L3:VCC 启动电平:A = 17.0 V(默认,电阻启动架构);C = 10.5 V(12 V 辅助轨架构)。
4. 关键参数的设计含义(≥15 行,参数→设计动作)
| 参数(typ,另注除外) | 数值 | 设计含义 |
|---|---|---|
| VREF | 2.50 V(±2.4%) | 输出电压 = 2.5×(1+Rfb1/Rfb2),输出精度由分压电阻与 VREF 共同决定 |
| GEA / IEA | 200 µS / ±20 µA | VCTRL 补偿阻抗上限:满幅 4 V 需要 4/20µ = 200 kΩ 级网络,别把 Rz 做到 MΩ 级 |
| VCTRL 摆幅 | 0.5~4.5 V | 所有模式阈值都叠在这 4 V 窗口内;测量该脚可读出负载状态 |
| Vctrl,th(E 档) | 1.553 V | 折返起点=窗口的 ~39% 处;重载区占窗口 61%,轻载功能占 39% |
| VSKIP-H/L | 617/593 mV | Skip 只比折返终点低一点:突发模式工作在最低频率附近,效率最优 |
| VCS(th) | 500 mV | I_OCP = 0.5/Rsense;Rsense 兼顾损耗(I²R)与 OCP 裕量(1.2~1.3×Ipk) |
| VCS,OVS(th) | 750 mV | =1.5×OCP,故意放大到“饱和/短路”量级,正常波形永远不该碰到 |
| tLEB,OCP | 400 ns | 电流波形前沿 400 ns 内的尖峰不会误触发 OCP——Rsense 上并小 RC 前馈时可放宽 |
| VZCD(th)H/L | +40/−50 mV | 阈值是毫伏级!谷底检测极易被地弹/DRV 耦合干扰,布局优先级最高 |
| tWDG | 200 µs | 无退磁信号时的脉冲间隔上限:天然把“失联状态”频率钳在 ≤5 kHz(推断) |
| tWDG(OS) | 800 µs | 过应力打嗝周期,平均占空比被压到极低,防二极管短路时过热 |
| ton,max,LL/HL | 12.5/4.17 µs(E) | 最大功率能力+线路前馈基准;低线要重载必须选大 ton,max 组 |
| Kton,LL−HL | 3 | 高线斜坡斜率 ×3 → ton,max 自动除 3,一种设定覆盖 90~264 VAC |
| IB,FB | 200 nA | 允许 MΩ 级 FB 分压(待机损耗核算),误差贡献 ≤0.2% |
| VUVPH/L | 530/303 mV | 启动前 Vout=V_mains 峰值,UVP 低阈值兼作“brown-in”判据(DS 正文) |
| VBOH/VBOL | 819/737 mV | 经 1/138 桥折算:低线检测点 ≈ 819 mV×138 ≈ 113 V 母线(DS 未直说,按桥比推算,待核实) |
| VHL/VLL | 1.690/1.480 V | 同桥折算 ≈ 233/204 V 母线 → 对应输入电压约 165/144 VAC rms 的高/低线分界(推算) |
| VREF,OVP2 | 3.175 V | ×138 = 438 V,比快速 OVP(417 V)再高一档的冗余独立保护 |
| TLIMIT/HTEMP | ≥150 / 50 °C | 结温校核:PD 550 mW + 驱动损耗,TSOP-6 是小封装,大管高频驱动要算热 |
| VCC,on/off | 17.0/9.0 或 10.5/9.0 V | 迟滞大小决定 C_VCC 与启动电阻的预算分配(见 §2.5) |
精炼要点
| 要点 | 数值 | 为什么重要 |
|---|---|---|
| CS/ZCD 单脚 = 限流+谷底+母线+OVP2 | KCS = 1/138 | 免辅助绕组,“简单电感”方案成立的物理基础 |
| VCTRL 一根轴四种模式 | 4.5→1.553→0.617→0.5 V | 所有轻载行为都由同一只补偿电容上的电压驱动,理解它=理解全片 |
| 版本必须按需选码 | A/B/C/D × 12 × A/C | 默认 AEA 无 Brown-out/Skip;L2 组决定低线功率能力 |
| FB 四阈值 | 95.5/105/107% + 12% | 下冲保护、过冲软硬两级、反馈失效保护,全在一根高阻线上 |
| 毫伏级检测阈值 | ZCD 40 mV / OCP 500 mV | 布局与地弹是第一敌人(→04 篇) |
| 驱动钳位 | VDRV,high ≈12 V @VCC=30 V | VCC 直供 30 V 也不烧栅,省外围 |
上一级:NCP1622