电阻在开关电源中的功能与应用 —— 采样之外的全功能清单
电阻是开关电源中承担功能最多的基础件：采样只是其一。本篇按功能清单梳理用途、参数口径与常见错误；毫欧采样的深度资料见Bourns 精译与Vishay 白皮书。
1. 功能清单
| 功能 | 位置 | 设计口径 |
|---|---|---|
| 电流采样 | 功率回路毫欧电阻/CS 电阻 | 精度/温漂/寄生电感/功耗（热 EMF），见 §2 |
| 分压反馈 | FB 分压、线检测（X2 放电检测/过零检测） | 精度与温漂直接进入输出精度；高阻值位的漏电流与噪声 |
| 限流 | 启动电阻、驱动 Rg、限流电阻 | 脉冲功率与平均功率分别核算；启动电阻按最坏低线工况 |
| 阻尼/缓冲 | RC 阻尼、RCD 钳位 | 脉冲功率口径（平均功率选型必错），见RCD 吸收篇 |
| 上拉/下拉 | 控制脚定义、MOS 栅防悬空、假负载 | 保证确定电平与最小负载；数值兼顾待机损耗 |
| 定时/频率设定 | RT/CT 振荡器、软启动 | 精度与温漂直接进入频率/时序；用 ±1% 温漂低温漂件 |
| 并联/串联组合 | 分压网络、大功率泄放 | 并联均流对称布线；串联考虑耐压分摊与寄生电容（影响动态分压比） |
| 测量与保护辅助 | 温度检测（NTC 串联分压）、保险电阻 | 保险电阻兼具限流与熔断（安规口径） |
2. 电流采样（毫欧位）要点
- 阻值由检测阈值与电流峰值反推：$R_{CS} = V_{TH}/I_{PK}$（教科书通识）；功耗 $P = I_{RMS}^2 R_{CS}$；
- 精度链：电阻精度 + 温漂 + 热电动势（EMF）共同决定采样误差——大电流位热 EMF 可等效假电流（见 Bourns 篇）；
- 布局：四端开尔文（Kelvin）连接、电阻体远离温度梯度（见Vishay 白皮书）；
- 寄生电感：毫欧位的 nH 级寄生电感在开关沿产生 $L\,di/dt$ 误差电压 → 选低感结构或并联 RC 校正。
3. 分压反馈位的设计要点
- FB 分压下臂阻值并非越小越好：兼顾噪声拾取与待机损耗（业界经验）；
- 高阻值（MΩ 级）位注意表面漏电与 PCB 洁净度（污染等级下的漏电流路径）；
- 动态分压：串联电阻的寄生电容在高频下改变分压比 → 线检测/过零检测位必要时并联补偿电容。
4. 参数口径
| 参数 | 影响 | 说明 |
|---|---|---|
| 精度 | 输出电压/阈值精度 | 反馈下臂与采样位用 ±1% 或更优 |
| 温漂（TCR） | 温度工况下的漂移 | ±100 ppm/℃ 常规；精密位 ±25 ppm/℃ |
| 额定功率/脉冲 | 损耗与瞬态 | 脉冲位（吸收/钳位）按脉冲功率曲线复核 |
| 寄生电感 | 高频采样误差 | 毫欧采样位选低感结构 |
| 耐压 | 高压分压位 | 串联分摊并留裕量（含 PCB 爬电） |
5. 常见错误
- 钳位/吸收电阻按平均功率选型 → 脉冲过载失效（最高频错误）；
- 采样电阻忽略热 EMF 与寄生电感 → 波形畸变、阈值漂移、误保护；
- 高压启动电阻单颗承受全母线 → 超耐压与爬电不足（应串联分摊，器件耐压与 PCB 爬电同时核）；
- FB 下臂随便取值 → 反馈点噪声拾取导致输出漂移或振铃；
- NTC 串联分压未考虑自热 → 温度读数系统性偏差。
6. 库内实例锚点
- 启动电阻计算实例：NCP1622 设计计算（R_start ≤ 1.04 MΩ 口径）
- CS 阈值与斜坡补偿：UC3842 原理
- 采样电阻深度资料：07_电阻 导览
上一级：07_电阻