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TEA1995T — NXP GreenChip 双通道 LLC 同步整流控制器(深度解读)

拓扑:LLC 谐振(中心抽头次级)+ 多输出反激低边 SR | 厂商:NXP | 封装:SO8(SOT96-1,SOI 工艺)| 状态:✅ 深度级 依据:NXP TEA1995T 产品数据手册 Rev.3(2017-12-05,18 页)。下文“DS”指此手册,图/表编号为该手册编号;推断内容均单独标注。 原版 PDF:datasheet/TEA1995T_datasheet.pdf | 逐节全译:01_规格书全译

Description(这是什么)

TEA1995T 是 NXP GreenChip 家族新一代双通道同步整流(SR, Synchronous Rectification)控制器,SO8 封装内集成两套完全独立的“检测-判定-驱动”链,专为 LLC 谐振变换器中心抽头次级的两只整流管而生,也可做多输出反激的低边 SR。

它的标志性特点是自适应栅驱动(adaptive gate drive)——别的 SR 控制器像“开关”:压降越限就满栅压开通、过零就关断;TEA1995T 更像“伺服”:导通期间把 SR 管的漏源压降闭环调节在 −55 mV(typ),栅压因此成为电流波形的“复写纸”——电流大栅压自动升高,电流小栅压自动收小,电流到零以 40 ns(typ)干净关断,而且没有最小导通时间。三个后果:驱动损耗随负载缩放(轻载不白烧栅电荷)、过零关断前栅已被“预放电”(关断又快又干净)、LLC 轻载/突发模式的窄脉冲每一拍都能如实跟随。

为使伺服环正常工作,它给每只 SR 管配了 4 线差分检测(漏检 DSA/DSB + 开尔文源检 SSA/SSB)——这也是它的使用门槛:检测布线不合格时,伺服环调节的对象就是噪声。

Features(特性,每条带数值)

Applications(用在哪)

DS 第 3 章:一切要求高效率的谐振型电源——适配器、台式 PC 与一体机电源、电视机电源、服务器电源。典型形态是 LLC 中心抽头次级(DS 图 5),两只 SR 管取代两只整流二极管;次典型形态是多输出反激的低边 SR(DS 图 6)。

关键参数速查表

# 参数 值(min/typ/max) 条件 出处
1 供电范围 4.5 ~ 38 V(极限 −0.4~+38 V) — DS 特性 2.2/表 4
2 UVLO 开/关 Vstart 4.55 / Vstop 4.20 V typ 4.35~4.75 / 4.0~4.4 V DS 表 6
3 待机电流(energy-save) 160 μA typ(140~180) — DS 表 6
4 工作电流 1.1 mA typ(0.9~1.3) 不含栅电荷 DS 表 6
5 开通阈值 Vact(drv) −400 mV typ(−450~−350) VSS=0 V DS 表 6
6 调平电压 Vreg(drv) −55 mV typ(−60~−50) VSS=0 V DS 表 6
7 关断锁定阈值 Vswoff +150 mV typ(90~200) VSS=0 V DS 表 6
8 开通/去激活延迟 80 / 40 ns typ 阶跃测试 DS 表 6
9 峰值拉/灌电流 1.0 A / 1.0 A typ VCC=12 V DS 表 6
10 调平档灌电流 100 mA typ VCC=12 V DS 表 6
11 栅压上限 VG(max) 4.95 V typ @5 V;10.75 V typ @12 V;12 V typ @15~38 V — DS 表 6
12 关断态栅下拉电阻 4 Ω typ(3.2~5) off 态 DS 表 6
13 漏极检测耐压 −0.8 ~ +100 V(DC 极限) DSA/DSB DS 表 4
14 源极检测耐压 −0.4 ~ +0.4 V(DC 极限) SSA/SSB → 只做低边 DS 表 4
15 最高频率 / 总功耗 500 kHz / 0.5 W 若不受 Ptot 限制 DS 表 4
16 热阻 Rth(j-a) 140 K/W、Rth(j-c) 90 K/W typ JEDEC 板 DS 表 5

与库内相关 IC 的差异概述

五件套导航

适合谁 / 不适合谁

适合:做 LLC 中心抽头次级、对全负载段效率曲线挑剔的适配器/PC/TV/服务器电源工程师;输出 5 V 级(USB-PD 类)需要逻辑电平栅驱动的场合;待机功耗预算按 mW 抠的方案(energy-save 160 μA typ);愿意为 4 线开尔文检测付出布局投入的团队。

不适合:单输出反激求最简 BOM(NCP4307/MP6908 更省);漏极平台电压会超过 100 V DC 且不接受检测脚降额设计的拓扑(反激反射电压高的方案,DSA 直连会越极限,见 03 篇第 4 节);想要集成 MOSFET 单芯片方案的(本颗是纯控制器,Ptot 0.5 W 内要自己做驱动热校核,见 03 篇步骤 7);检测布线无法做开尔文、功率地混用的板子——伺服环调节的是噪声,效率反而不如简单方案。